本書主要介紹在化學與材料科學、生命科學、環(huán)境科學等研究和應(yīng)用領(lǐng)域中常用的現(xiàn)代儀器分析方法，包括有機和金屬元素分析、色譜分析、質(zhì)譜分析、光譜分析、磁共振波譜分析、X射線分析、電子顯微分析、熱分析等。本書內(nèi)容有較大的覆蓋面，重點介紹各種方法的原理、儀器結(jié)構(gòu)與各部件功能、所能獲得的信息及能解決的問題，有較強的可讀性與參考價值

在超聲速流動中，正激波和斜激波理論已經(jīng)非常完善。但是，在高超聲速飛行器的設(shè)計工作中，遇到的激波往往是彎曲型的。目前，對于彎曲激波仍然沒有一個精確的理論解，且相關(guān)理論基礎(chǔ)比較缺乏。因此，本書擬從數(shù)值計算方法（二維特征線法）和理論解析方法（M?lder一階彎曲激波理論）這兩個方面，發(fā)展構(gòu)建彎曲激波理論，并通過標準模型的進氣

本書首先簡要介紹了數(shù)理邏輯的發(fā)展、形式系統(tǒng)及一些預備知識，然后介紹了集合論，詳細講解了命題演算、謂詞演算、可計算性理論和哥德爾不完全性定理，最后介紹了模型論的基礎(chǔ)知識和方法。全書重點突出，論證詳細，各部分內(nèi)容配有典型的例子和習題，以便讀者更好地理解、掌握相關(guān)知識。

本書主要研究數(shù)學分析中的微分與積分及相關(guān)的一些問題。內(nèi)容包括一元函數(shù)微分學、一元函數(shù)微分法的應(yīng)用、一元函數(shù)積分學和多元函數(shù)及其微分學等。本書在內(nèi)容的安排上，深入淺出，表達清楚，可讀性和系統(tǒng)性強。書中主要通過一些疑難解析和大量的典型例題來解析數(shù)學分析的內(nèi)容和解題方法，并提供了一定數(shù)量的進階練習題，便于教師在習題課中使用，

本書從金剛石膜晶體機構(gòu)、光電及熱性能等基本概念出發(fā)，描述膜的制備工藝；在成功制得[100]定向金剛石膜基礎(chǔ)上，對它和其它晶面取向的CVD金剛石膜進行全面的表征；介紹了金剛石薄膜肖特基場效應(yīng)晶體管和金剛石薄膜紫外光探測器。在此基礎(chǔ)上研究了金剛石膜粒子探測器的制備工藝，并通過所設(shè)計的信號處理系統(tǒng)測量得到在不同粒子輻照下的探

本書研究中國傳統(tǒng)數(shù)學的機械化、離散性和計數(shù)特征，從古代到晚清，共分4編14章，由作者多年來發(fā)表的80余篇數(shù)學史和組合數(shù)學學術(shù)論文編輯而成，選擇典型案例系統(tǒng)論述三千年中算計數(shù)的發(fā)展，多有新見，說明中國人自古擅長計數(shù)，對近代計數(shù)論亦有貢獻�！禕R》本書是中國數(shù)學史大專題研究，以史料和問題為中心，以應(yīng)用為導向，以相關(guān)拓展和專

本書主要內(nèi)容包含隨機事件及其概率、隨機變量及其分布、多維隨機變量及其分布、隨機變量的數(shù)字特征、數(shù)理統(tǒng)計的基本概念、參數(shù)估計、假設(shè)檢驗等。本書注重概率統(tǒng)計的工程應(yīng)用背景知識，通過介紹知識點的背景、起源和相關(guān)科學家等內(nèi)容，來激發(fā)學生的學習興趣。本書內(nèi)容上一方面精簡壓縮一些傳統(tǒng)知識點、淡化計算技巧，另一方面通過引入人工智能、

本書論述空間離子流場數(shù)值計算的基本原理及數(shù)值方法，推導各種數(shù)值方法的數(shù)學方程及算法實現(xiàn)過程。全書共分9章，主要內(nèi)容包括超（特）高壓直流輸電工程離子流場原理，電暈的機理和預測，離子流場的計算和測量方法，二維、三維和瞬態(tài)上流有限元計算方法，電荷輸運模型計算離子流場方法，油紙絕緣設(shè)備合成電場計算方法。本書融入了近年來國內(nèi)外在

頻散方程的計算，特別是涉及能量耗散系統(tǒng)復波數(shù)域中三維曲線的求解，是一個十分復雜的問題。本書提出了一種新的**方程求解算法，結(jié)合超聲導波的應(yīng)用背景，以該算法為基礎(chǔ)，系統(tǒng)研究了多種復雜材料層合結(jié)構(gòu)中波傳播的耗散問題，包括壓電復合結(jié)構(gòu)中的介電損耗、電極電阻、壓電半導體結(jié)構(gòu)中的載流子遷移以及一般各向異性復合結(jié)構(gòu)中材料的黏彈性等

低溫等離子體被廣泛應(yīng)用于脈沖激光沉積、磁控濺射、等離子體增強化學氣相沉積等現(xiàn)代半導體薄膜真空沉積技術(shù)中，并承擔著薄膜組分物質(zhì)輸運、薄膜形核與生長動力學調(diào)控等關(guān)鍵性角色。由于等離子體性質(zhì)是聯(lián)系薄膜真空沉積條件與沉積性能的關(guān)鍵性紐帶，以對等離子體性質(zhì)的表征與探測為突破口并建立其與薄膜沉積條件和性能之間的基礎(chǔ)關(guān)系，有助于從理