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薄膜真空沉積中的等離子體探測方法與技術(shù)

薄膜真空沉積中的等離子體探測方法與技術(shù)

定  價:78 元

        

  • 作者:陳吉堃
  • 出版時間:2021/11/1
  • ISBN:9787030699152
  • 出 版 社:科學(xué)出版社
  • 中圖法分類:O536 
  • 頁碼:156
  • 紙張:
  • 版次:31
  • 開本:B5
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讀者對象:本書對于從事薄膜真空沉積、相關(guān)精密儀器制造方面的專業(yè)研究者具有極高的參考價值。另一方面,該書可以用作應(yīng)用物理、材料科學(xué)與工程、精密儀器制造等方面的參考書。

低溫等離子體被廣泛應(yīng)用于脈沖激光沉積、磁控濺射、等離子體增強化學(xué)氣相沉積等現(xiàn)代半導(dǎo)體薄膜真空沉積技術(shù)中,并承擔(dān)著薄膜組分物質(zhì)輸運、薄膜形核與生長動力學(xué)調(diào)控等關(guān)鍵性角色。由于等離子體性質(zhì)是聯(lián)系薄膜真空沉積條件與沉積性能的關(guān)鍵性紐帶,以對等離子體性質(zhì)的表征與探測為突破口并建立其與薄膜沉積條件和性能之間的基礎(chǔ)關(guān)系,有助于從理論角度為薄膜沉積條件的設(shè)計與動力學(xué)過程優(yōu)化提供依據(jù)。本書結(jié)合作者的長期相關(guān)研究系統(tǒng)介紹了低溫等離子體的常用探測方法;重點結(jié)合脈沖激光沉積實例對等離子體與背景氣體間復(fù)雜的物理碰撞與化學(xué)反應(yīng),以及對薄膜沉積的基礎(chǔ)性影響關(guān)系作詳細介紹。

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