《薄膜物理與技術(shù)》主要闡述了薄膜物理與薄膜技術(shù)的基礎(chǔ)理論知識，重點(diǎn)講述了薄膜生長基礎(chǔ)，薄膜生長技術(shù)，包括蒸發(fā)、濺射、離子鍍、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、化學(xué)溶液沉積以及納米薄膜組裝等，并對薄膜的基本性質(zhì)及與光、電相關(guān)的一些薄膜材料進(jìn)行了介紹。本書可作為高等學(xué)校材料科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、光學(xué)等專業(yè)的本科生或研

本書首先講解價(jià)電子的運(yùn)動狀態(tài)，引出了金屬自由電子理論的索末菲模型；其次講解離子實(shí)排布，引出了晶體結(jié)構(gòu)；再次講授內(nèi)層電子，引出了布洛赫定理和能帶理論；最后通過分析離子實(shí)的熱振動，研究晶格動力學(xué)，從微觀角度分析宏觀問題。

本教材分析了高分子復(fù)合材料電介質(zhì)所涵蓋的主要性能參數(shù)，如介電常數(shù)與場強(qiáng)擊穿強(qiáng)度，同時(shí)探究了其表界面以及其他主要的影響因素，以此明確了影響高分子電介質(zhì)復(fù)合材料的主要性能指標(biāo)。此外，圍繞介電常數(shù)與場強(qiáng)擊穿強(qiáng)度的主要理論模型進(jìn)行了深入的對比分析，從理論層面上分析了介電常數(shù)與場強(qiáng)擊穿強(qiáng)度的本質(zhì)。接著提出了主要的工程制備技術(shù)，如

《狄拉克半金屬的能帶調(diào)控和超快動力學(xué)研究（英文版）》針對超快時(shí)間分辨角分辨光電子能譜系統(tǒng)的研制以及兩個(gè)典型狄拉克半金屬材料的電子能譜和超快動力學(xué)開展研究，取得了多項(xiàng)創(chuàng)新性研究成果。包括成功研制出光子能量連續(xù)可調(diào)的超快時(shí)間分辨角分辨光電子能譜系統(tǒng)，為研究三維量子材料的超快動力學(xué)提供了重要的實(shí)驗(yàn)手段；通過Li插層形成凱庫勒

本書主要圍繞作者在缺陷與催化方面開展的研究工作進(jìn)行了系統(tǒng)梳理和總結(jié)，內(nèi)容包括固體缺陷化學(xué)及其發(fā)展概述、催化中的缺陷材料及其作用機(jī)制概述、碳材料缺陷與催化、金屬材料缺陷與催化、金屬化合物材料缺陷與催化、金屬有機(jī)配位化合物缺陷與催化、負(fù)載型材料缺陷與催化等。通過催化劑表面缺陷的構(gòu)筑，設(shè)計(jì)高性能催化劑，認(rèn)識缺陷產(chǎn)生機(jī)制，理解

本書系統(tǒng)全面地介紹了單分子膜的發(fā)展概況、制備方法、表征手段和應(yīng)用領(lǐng)域。重點(diǎn)介紹了LB膜、自組裝膜及二維材料膜的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、制備手段及表征方法，及其在儲存、手性催化、光電等領(lǐng)域的應(yīng)用；闡述了典型界面衍生膜(MOFs膜、COFs膜及非晶碳膜)的制備、表征及其在氣體分離、海水淡化等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

"固體物理是19世紀(jì)以來物理學(xué)發(fā)展的主流方向之一。在20世紀(jì)中期以后，固體物理的發(fā)展與第三次工業(yè)革命中的信息工業(yè)革命互相推動，相輔相成。本書在把握固體物理歷史發(fā)展脈絡(luò)和邏輯發(fā)展的基礎(chǔ)上，建立了清晰的概念體系，對學(xué)科發(fā)展進(jìn)行了全面且系統(tǒng)的論述。全書分為八部，共計(jì)三十六章。第一部討論固體結(jié)構(gòu)，包括自然界常見的晶體結(jié)構(gòu)、點(diǎn)群

《固體物理基礎(chǔ)》基于“厚基礎(chǔ)、寬口徑”的人才培養(yǎng)原則，在引入統(tǒng)計(jì)物理學(xué)和量子力學(xué)基本理論基礎(chǔ)上，詳細(xì)介紹能帶理論和金屬電子論，并在電子層面闡述材料的熱、磁、光、電等基本性質(zhì)的起源，最后介紹固體物理理論在各類新材料中的應(yīng)用。本書充分融合了凝聚態(tài)物理和典型功能材料最近20年的主要研究成果，針對材料類本科生知識結(jié)構(gòu)和培養(yǎng)特點(diǎn)

《介電常數(shù)近零媒質(zhì)的集成光學(xué)摻雜理論及應(yīng)用》針對介電常數(shù)近零（ENZ）媒質(zhì)及其光學(xué)摻雜調(diào)控展開研究，介紹了集成化、低損耗的ENZ媒質(zhì)及光學(xué)摻雜的理論與實(shí)現(xiàn)方案，并基于近零折射率特性與光學(xué)摻雜電磁調(diào)控給出一系列電路與天線領(lǐng)域的關(guān)鍵應(yīng)用�！督殡姵�數(shù)近零媒質(zhì)的集成光學(xué)摻雜理論及應(yīng)用》的內(nèi)容可以總結(jié)為如下三個(gè)方面。①基礎(chǔ)理論與

該著作系統(tǒng)研究了磁控濺射法制備InN、AlN薄膜材料的電學(xué)、光學(xué)等物理特性。首先對薄膜材料進(jìn)行研究。通過優(yōu)化濺射參數(shù)，得到具有不同性質(zhì)的InN薄膜材料，使其作為電子注入層制備出不同類型的InN基光電器件，并對器件的光電特性進(jìn)行深入分析研究。其次對AlN薄膜材料進(jìn)行研究。通過優(yōu)化濺射參數(shù)得到高質(zhì)量的AlN薄膜材料，在此基