該著作系統(tǒng)研究了磁控濺射法制備InN、AlN薄膜材料的電學(xué)、光學(xué)等物理特性。首先對薄膜材料進(jìn)行研究。通過優(yōu)化濺射參數(shù)，得到具有不同性質(zhì)的InN薄膜材料，使其作為電子注入層制備出不同類型的InN基光電器件，并對器件的光電特性進(jìn)行深入分析研究。其次對AlN薄膜材料進(jìn)行研究。通過優(yōu)化濺射參數(shù)得到高質(zhì)量的AlN薄膜材料，在此基礎(chǔ)上，將AlN薄膜用作InN薄膜材料的緩沖層，制備出相關(guān)的異質(zhì)結(jié)器件，并研究其對器件載流子傳輸特性的影響。進(jìn)一步制備出Aui-AlNn-GaNMIS結(jié)構(gòu)器件，并對器件的工作機(jī)理展開研究。