本書共七章，內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設計以及總結和展望。

本書以寬禁帶半導體微結構與光電器件光學表征為主線，按照面向?qū)捊麕О雽�體前沿課題，注重先進光電器件與材料微結構的基礎性質(zhì)和過程進行光學表征，以提升寬禁帶半導體光電子器件性能為目的的原則安排全書內(nèi)容，從應用基礎研究和研發(fā)先進光電子器件的角度出發(fā)，組織全國在該領域前沿進行一線科研工作的學者進行編寫，力爭用通俗易懂的語言，由淺

激光熱敏光刻具有以下特點:1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學衍射極限,而是取決于熱致結構變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴散并逐漸降低,

本書主要介紹了第一性原理及其在計算機模擬中各種參數(shù)的設置問題和實際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應變場)作用下電學性質(zhì)和磁學性質(zhì)研究中的應用,并將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。

功率半導體器件封裝技術

本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導體復合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導體異質(zhì)結構制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結構在工業(yè)應用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電

本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導體復合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導體異質(zhì)結構制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結構在工業(yè)應用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電

本書就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型，針對工藝技術的特點和要求做了較為詳細的介紹。尤其對常常困擾電路設計和工藝人員的射頻同軸電纜導線的使用問題進行了全面的分析。對于手工焊接的可靠性問題、整機接地與布線處理的電磁兼容性問題、工藝文件的編制、電子裝聯(lián)檢驗的理念和操作等內(nèi)容，本書不僅在理論上，還在

以日本碳化硅學術界元老京都大學名譽教授松波弘之、關西學院大學知名教授大谷昇、京都大學實力派教授木本恒暢和企業(yè)實力代表羅姆株式會社的中村孝先生為各技術領域的牽頭，集日本半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學研各界中的骨干代表，在各自的研究領域結合各自多年的實際經(jīng)驗，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術焦點，以技術為主導、以應用為目的的實用型

近年來.以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導體化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目.第三代半導體廣泛應用于新一代移動通信、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)和國防電子等產(chǎn)業(yè).已成為國際半導體領域的重點研究方向.本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關技術.內(nèi)容涵蓋垂直型和橫向功率半導體