InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)型射頻場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)
定 價(jià):58 元
叢書名:學(xué)術(shù)研究專著
當(dāng)前圖書已被 7 所學(xué)校薦購(gòu)過(guò)!
查看明細(xì)
- 作者:關(guān)赫著
- 出版時(shí)間:2022/8/1
- ISBN:9787561281253
- 出 版 社:西北工業(yè)大學(xué)出版社
- 中圖法分類:TN386.6
- 頁(yè)碼:192
- 紙張:
- 版次:1
- 開本:24cm
本書共七章,內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎(chǔ)研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設(shè)計(jì)以及總結(jié)和展望。
與傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件GaAs和GaN HEMTs相比,InAs/A1Sb HEMTs作為典型的銻基化合物半導(dǎo)體(ABCS)器件具備更高的電子遷移率和電子飽和漂移速度,在高速耗、低噪聲等應(yīng)用方面擁有良好的發(fā)展前景。在深空探測(cè)方面,InAs/A1Sb HEMTs作為深空探測(cè)的低噪聲放大器(LNA)的候選核心器件具有無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì)。因此,本文針對(duì)InAs/AlSb HEMTs器件開展了系統(tǒng)研究,在器件特性研究、模型建立、電路設(shè)計(jì)及制備工藝等方行了較為深入的探討。