氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎，物理氣相傳輸法、氫化物氣相外延法、金屬有機物化學氣相沉積法制備氮化鋁單晶和氮化鋁器件應用。

本書基于翔實的數(shù)據(jù)，對氮化鋁單晶材料生長的技術方法及應用領域的發(fā)展進行了討論，注重專業(yè)性和系統(tǒng)性，具有簡明、扼要等特點，可供從事相關研究的科研和工程技術人員閱讀，也可作為高等院校相關專業(yè)高年級本科生和研究生的參考教材。