半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。

本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學(xué)屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機存儲器的電路結(jié)構(gòu)與3個關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與

《低維半導(dǎo)體材料及其信息能源器件》講述了低維半導(dǎo)體材料與器件的制備與構(gòu)筑及其在電子信息和綠色能源領(lǐng)域的新穎應(yīng)用。全書共7章，涵蓋了低維材料的生長和表征、二維半導(dǎo)體材料在觸覺傳感器的應(yīng)用、二維過渡金屬硫化合物感通融器件、二維過渡金屬硫化物的納米光子學(xué)和光電子學(xué)、二維半導(dǎo)體材料材料非易失性阻變存儲器和射頻開關(guān)、四/五主族二

本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設(shè)計與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細(xì)介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準(zhǔn)一維電子氣、強電子相關(guān)的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標(biāo)準(zhǔn)、電子量子光學(xué)、噪聲

本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級大批量制造方面的獨特經(jīng)驗，增加了關(guān)于接

本書對半導(dǎo)體存儲器技術(shù)進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術(shù)在機器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應(yīng)進行圖形化直觀展示，并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外，還對小尺寸場效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細(xì)的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生