本書(shū)以數(shù)據(jù)分析為基礎(chǔ)，探討了半導(dǎo)體材料及器件的特征參數(shù)分析和檢測(cè)的方法和技術(shù)。全書(shū)共七章，包括數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、半導(dǎo)體材料的接觸及能帶結(jié)構(gòu)測(cè)量、半導(dǎo)體缺陷及測(cè)量、載流子遷移率的測(cè)量、載流子動(dòng)力學(xué)和太陽(yáng)能電池的基本原理及表征，對(duì)相關(guān)材料專(zhuān)業(yè)學(xué)生和科研工作人員具有很好的參考價(jià)值和意義。

本書(shū)是光電課程改革創(chuàng)新系列教材之一，全書(shū)共有8個(gè)項(xiàng)目27個(gè)任務(wù)，主要內(nèi)容包括LED封裝技術(shù)、LED性能測(cè)試、LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)、LED照明燈具裝配、LED景觀照明設(shè)計(jì)與制作、LED顯示屏應(yīng)用、LED智能路燈應(yīng)用、LED智能照明系統(tǒng)。本書(shū)在介紹上述內(nèi)容的同時(shí)有機(jī)融入愛(ài)國(guó)主義、職業(yè)素養(yǎng)、辯證思維等思政元素。本書(shū)是新編校企合

作為薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的入門(mén)教材，本書(shū)以非晶硅薄膜晶體管（a-SiTFT)和多晶硅薄膜晶體管(p-SiTFT)為例詳細(xì)講解了與TFT技術(shù)相關(guān)的材料物理、器件物理和制備工藝原理及其在平板顯示中的應(yīng)用原理等。本書(shū)共分7章。第1章簡(jiǎn)單介紹了薄膜晶體管的發(fā)展簡(jiǎn)史；第2章詳細(xì)闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用原理；

本書(shū)對(duì)標(biāo)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級(jí))的考核方案，本題庫(kù)分為理論知識(shí)題庫(kù)和實(shí)操題庫(kù)兩部分。理論知識(shí)題庫(kù)按照工作任務(wù)進(jìn)行劃分，每個(gè)任務(wù)的考核由判斷題、選擇題、簡(jiǎn)述題和案例分析題四種題型構(gòu)成；同時(shí)，為方便學(xué)員的自我學(xué)習(xí)、自我檢查，該題庫(kù)還提供了部分習(xí)題的參考答案，利于學(xué)習(xí)效果的檢測(cè)。實(shí)操題庫(kù)根據(jù)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級(jí))中

全書(shū)較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書(shū)內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

本書(shū)介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書(shū)共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

半導(dǎo)體光電子學(xué)是研究半導(dǎo)體光子和光電子器件的學(xué)科，涉及各種半導(dǎo)體光電子器件的物理概念、工作原理及制作技術(shù)，在能源、顯示、傳感和通信等領(lǐng)域都擁有廣泛的應(yīng)用�！禕R》本書(shū)主要包括半導(dǎo)體材料基本性質(zhì)、半導(dǎo)體光電子器件基本結(jié)構(gòu)、載流子注入與速率方程、半導(dǎo)體激光器基本理論、光信號(hào)調(diào)制、半導(dǎo)體光電探測(cè)器、太陽(yáng)能光熱與光伏、半導(dǎo)體光

本書(shū)適合作為集成電路、微電子、電子科學(xué)與技術(shù)等專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件物理的雙語(yǔ)教學(xué)教材，內(nèi)容涵蓋了量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件的全部?jī)?nèi)容。全書(shū)在介紹學(xué)習(xí)器件物理所必需的基礎(chǔ)理論之后，重點(diǎn)討論了pn結(jié)、金屬–半導(dǎo)體接觸、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管的工作原理和基本特性。最后論述了結(jié)型場(chǎng)效

本書(shū)從材料、工藝、結(jié)構(gòu)、性能、歷史、產(chǎn)業(yè)和前沿研究角度，對(duì)半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管進(jìn)行系統(tǒng)性的介紹。主要包括半導(dǎo)體與新能源，太陽(yáng)能電池概述，晶體硅太陽(yáng)能電池，薄膜硅太陽(yáng)能電池，碲化鎘太陽(yáng)能電池，砷化鎵太陽(yáng)能電池，銅銦硒太陽(yáng)能電池，染料敏化太陽(yáng)能電池，有機(jī)太陽(yáng)能電池，發(fā)光二極管概述，氮化鎵發(fā)光二極管，氧化鋅發(fā)光二極管

本書(shū)以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識(shí)、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書(shū)共8章，內(nèi)容包括集成電路簡(jiǎn)介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測(cè)試和表征、等離子體仿真、顆�？刂坪土慨a(chǎn)。本