SMT是一門包含元器件、材料、設(shè)備、工藝以及表面組裝電路基板設(shè)計與制造的綜合電子產(chǎn)品裝聯(lián)技術(shù)，是在傳統(tǒng)THT通孔插裝元器件裝聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代微組裝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體材料、元器件、電子與信息技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，使SMT組裝的電子產(chǎn)品更具有體積小、性能好、功能全、價位低的綜合優(yōu)勢，適應(yīng)了數(shù)碼電子產(chǎn)品向短、小、輕

這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門類讀物。全書共分4章，包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別，以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的

集成電路與等離子體裝備

《基于弛豫鐵電單晶PMN-PT的新型器件（英文版）》一書介紹了基于鈮鎂酸鉛-鈦酸鉛晶體(PMN-PT)設(shè)計開發(fā)的原型器件，初步探索了鐵電材料在信息技術(shù)領(lǐng)域的新應(yīng)用。首先，利用PMN-26PT單晶作為介電層，單層二硫化鉬作為溝道半導(dǎo)體構(gòu)筑了一種光熱調(diào)控型場效應(yīng)晶體管,為FET器件提供了一種新的策略。其次，采用銀納米線作為

本書共分為4章，內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄，用以介紹每個領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題，這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級可靠性技術(shù)者”資格認(rèn)定考

本書介紹了熱敏(溫敏)電阻器的基本知識(分類、電導(dǎo)機(jī)制)、制備工藝、特性分析、測試表征。在儀器儀表中的應(yīng)用，溫度測量儀表的研制，及其計量測試方法進(jìn)行了闡述。特別是從陶瓷中發(fā)生的電子過程出發(fā)，論述了陶瓷的半導(dǎo)化過程及電導(dǎo)機(jī)制。著重論述了電路設(shè)計及應(yīng)用，計量示值誤差標(biāo)定方案和相關(guān)的計量技術(shù)規(guī)范，為熱敏陶瓷及其元件的制造、應(yīng)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（

擬申報中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)一流規(guī)劃教材。本書專為高年級本科生以及研究生的教學(xué)所需設(shè)計，主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識內(nèi)容，反映當(dāng)今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進(jìn)展，可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點(diǎn)。

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標(biāo)準(zhǔn)和培訓(xùn)教材（高級）為依據(jù)進(jìn)行編寫。題庫重點(diǎn)圍繞生產(chǎn)管理與準(zhǔn)備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進(jìn)行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點(diǎn)介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關(guān)鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開關(guān)器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關(guān)文獻(xiàn)，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢�！短蓟�硅器