本書(shū)內(nèi)容包括：現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝可靠性概論；影響現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝可靠性的因素；焊接界面合金層的形成及其對(duì)焊點(diǎn)可靠性的影響；環(huán)境因素對(duì)電子裝備可靠性的影響工藝可靠性加固等。

內(nèi)容簡(jiǎn)介:本書(shū)從我國(guó)宇航用電子元器件實(shí)際需要出發(fā)，總結(jié)作者多年的研究成果，論述了雙極工藝器件輻射損傷效應(yīng)的基本特征和微觀(guān)機(jī)制，提出了雙極工藝器件抗輻射加固原理與技術(shù)研究的基本思路，涉及半導(dǎo)體物理與器件基礎(chǔ)、空間帶電粒子輻射環(huán)境表征、雙極器件電離輻射損傷效應(yīng)、雙極器件位移損傷效應(yīng)、雙極器件電離/位移協(xié)同效應(yīng)、雙極器件抗輻

《SMT生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)（第2版）》以SMT生產(chǎn)工藝為主線(xiàn)，以“理論知識(shí)+實(shí)踐項(xiàng)目”的方式組織教材內(nèi)容，主要介紹了SMT基本工藝流程、表面組裝元器件、焊錫膏、模板、表面組裝工藝文件、靜電防護(hù)、5S管理、表面組裝印刷工藝、表面貼裝工藝、回流焊接工藝、表面組裝檢測(cè)工藝、表面組裝返修工藝以及SMT設(shè)備的維護(hù)與保養(yǎng)等內(nèi)容。《SMT生產(chǎn)

本書(shū)從有機(jī)薄膜晶體管的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、材料種類(lèi)、器件性能及應(yīng)用等方面對(duì)這種新型的有機(jī)電子器件作了較全面的論述。重點(diǎn)梳理了作者及國(guó)內(nèi)外同行在有機(jī)薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計(jì)算模擬、有機(jī)單晶材料的發(fā)展與生長(zhǎng)方法等。系統(tǒng)闡述了提高有機(jī)薄膜晶體管器

發(fā)光是日常生活中的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題。古人到了晚上只能鑿壁偷光或者秉燭夜游。到了近代，燈泡的出現(xiàn)大大改變了人們的生活方式，燈紅酒綠一詞也成了現(xiàn)代城市生活的一個(gè)縮影。然而，傳統(tǒng)的白熾燈發(fā)光效率低下，只有很少一部分能量能轉(zhuǎn)化成光的形式，絕大部分能量以熱的形式浪費(fèi)了。LED（發(fā)光晶體二極管）的出現(xiàn)就克服了這一問(wèn)題。然而，紅光LED

本書(shū)梳理和總結(jié)了中國(guó)科學(xué)院院士、半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家王占國(guó)院士近60年從事半導(dǎo)體材料領(lǐng)域科研活動(dòng)的歷程。主要包括王占國(guó)院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎(jiǎng)項(xiàng)以及育人情況等內(nèi)容。王占國(guó)院士是我國(guó)著名的半導(dǎo)體材料及材料物理學(xué)家，對(duì)推動(dòng)我國(guó)半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)繁榮、學(xué)科發(fā)展、

寬禁帶半導(dǎo)體高頻及微波功率器件與電路

IGBT是新型高頻電力電子技術(shù)的CPU，是目前國(guó)家重點(diǎn)支持的核心器件，被廣泛應(yīng)用于國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。本書(shū)共分10章，包括器件結(jié)構(gòu)和工作原理、器件特性分析、器件設(shè)計(jì)、器件制造工藝、器件仿真、器件封裝、器件測(cè)試、器件可靠性和失效分析、器件應(yīng)用和衍生器件及SiC-IGBT。本書(shū)面向電氣、自動(dòng)化、新能源等領(lǐng)域從事電力電子技術(shù)

本書(shū)在“基于創(chuàng)新思維的工作過(guò)程系統(tǒng)化”教學(xué)改革成果基礎(chǔ)上，結(jié)合作者多年的工程應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行編寫(xiě)。全書(shū)注重所述知識(shí)的工程應(yīng)用，使讀者在掌握電力電子技術(shù)的同時(shí)能夠快速掌握工程項(xiàng)目開(kāi)發(fā)的思路、方法、經(jīng)驗(yàn)，并培養(yǎng)運(yùn)用理論解決項(xiàng)目中出現(xiàn)問(wèn)題的能力。全書(shū)設(shè)有6個(gè)項(xiàng)目，主要內(nèi)容為常用電力電子器件的工作原理與使用特性，以及由這些器件組成

《絕緣體上硅（SOI）技術(shù)：制造及應(yīng)用》的目的是對(duì)SOICMOS新技術(shù)的進(jìn)展進(jìn)行全面介紹。全書(shū)分為兩部分：第一部分介紹SOI晶圓片的制造工藝、表征及SOI器件物理；第二部分介紹相關(guān)的各種應(yīng)用。全書(shū)既涉及部分耗盡SOI這樣已成熟的技術(shù)，也包括全耗盡平面SOI技術(shù)、FinFET、射頻、光電子、MEMS以及超低功耗應(yīng)用這樣一