《國外電子與通信教材系列：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》系統(tǒng)介紹了電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的各類功率半導(dǎo)體器件。由淺入深地介紹了器件的基本結(jié)構(gòu)、物理機理、設(shè)計原則及應(yīng)用可靠性，內(nèi)容以硅功率半導(dǎo)體器件為主，同時也涵蓋了新興的碳化硅功率器件�！秶�外電子與通信教材系列：功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》首先從基本半導(dǎo)體理論開始，依次介紹了各類常用的功率

《氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體材料與電子器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關(guān)氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機理，HEMT材料的電學(xué)性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/

《半導(dǎo)體制造技術(shù)導(dǎo)論（第2版）》共包括15章，第1章概述了半導(dǎo)體制造工藝；第2章介紹了基本的半導(dǎo)體工藝技術(shù)；第3章介紹了半導(dǎo)體器件、集成電路芯片，以及早期的制造工藝技術(shù)；第4章描述了晶體結(jié)構(gòu)、單晶硅晶圓生長，以及硅外延技術(shù)；第5章討論了半導(dǎo)體工藝中的加熱過程；第6章詳細介紹了光學(xué)光刻工藝；第7章討論了半導(dǎo)體制造過程中使

《碲鎘汞材料物理與技術(shù)》系統(tǒng)地介紹了碲鎘汞材料的物理性能、制備工藝技術(shù)以及材料與器件的關(guān)系。材料的物理性能包括了碲鎘汞材料的結(jié)構(gòu)、熱學(xué)、熱力學(xué)（相圖）、電學(xué)、光學(xué)和缺陷性能，材料的制備工藝技術(shù)包括了材料的生長工藝、熱處理工藝和各種檢測分析技術(shù)以及材料制備工藝所涉及的通用性基礎(chǔ)工藝技術(shù)，《碲鎘汞材料物理與技術(shù)》同時也對碲

《中外物理學(xué)精品書系·前沿系列15：硅基光電子學(xué)》是筆者在微納光電子領(lǐng)域多年研究和教學(xué)基礎(chǔ)上完成的，系統(tǒng)描述了硅基光電子學(xué)的基礎(chǔ)理論、器件原理及應(yīng)用前景。全書共10章。第1～3章講述了硅基光電子學(xué)的起源及所需的基本知識；第4章介紹了硅基無源器件；第5～8章為硅基有源器件，包括光源、調(diào)制器、探測器、表面等離子體激元器件等

本書是高等職業(yè)教育應(yīng)用電子技術(shù)專業(yè)資源庫配套系列教材之一。根據(jù)現(xiàn)代電子制造業(yè)對表面貼裝崗位技術(shù)人才的需要，系統(tǒng)介紹了表面貼裝技術(shù)(SMT)工藝設(shè)備的操作與維護技術(shù)。全書在編寫過程中，融入了企業(yè)生產(chǎn)應(yīng)用案例、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)及企業(yè)規(guī)范，內(nèi)容按照表面貼裝設(shè)備崗位技術(shù)人員的典型工作任務(wù)和表面貼裝工藝流程環(huán)節(jié)的先后順序共分為六章，包括

本書講述了改良西門子法生產(chǎn)多晶硅的制備原理，包括多晶硅原料制備、原料提純、多晶硅制備、尾氣回收、硅芯的制備，以及超純水的制備，氫氣、氯氣的制備和凈化等內(nèi)容。本教材適用于高職高專、中專、技校硅材料技術(shù)專業(yè)的師生閱讀，也可供多晶硅企業(yè)的技術(shù)人員參考。

本書主要以異質(zhì)結(jié)雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運器件、量子結(jié)構(gòu)激光器、量子結(jié)構(gòu)紅外探測器和量子結(jié)構(gòu)太陽電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對自旋電子器件、單分子器件和量子計算機等內(nèi)容進行了簡單介紹。

《太陽能光伏產(chǎn)業(yè)：半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)（第2版）》共分12章，較全面地講述了有關(guān)硅材料的基本知識。內(nèi)容包括硅材料的發(fā)展史與當(dāng)前的市場狀況；半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)；晶體結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)缺陷；能帶理論的基本知識；pn結(jié)和金屬半導(dǎo)體接觸的特性；硅材料的制備；化合物半導(dǎo)體材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重點講述了制備高純多晶硅的三氯

本書首先回顧了半導(dǎo)體材料的發(fā)展史，簡述了半導(dǎo)體材料的生長機理和現(xiàn)代半導(dǎo)體材料制備與表征新技術(shù)；然后對元素半導(dǎo)體鍺、硅單晶材料以及硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料的制備、物性及其在微電子、光伏電池和光電集成方面的應(yīng)用做了概述；接著介紹以GaAs、InP為代表的Ⅲ-V族化食物單晶襯底材料、趣晶格量子阱、量子線和量子點材料及應(yīng)用，寬禁帶Ga