本書首先簡要介紹低維異質(zhì)半導體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長兩種基本的低維半導體材料制備方法，簡要說明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長過程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學和動力學的角度詳細闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長機理及其相關(guān)理論，重點討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長理論和硅鍺低
本書全面系統(tǒng)地介紹了半導體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書共分十一章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學合成等各種半導體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導體器件的制備技術(shù)，第十
表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過焊接形成可靠的焊點，建立長期的機械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過程為主線，詳細介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測與返修等，其
本書介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類及應(yīng)用、主要制備技術(shù)及工藝，重點對太陽能電池、探測器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎(chǔ)上分析了新型廣譜硅材料的特點、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應(yīng)用。本書中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測器與太陽能電池的研制及性能等方
本書從光的特性入手，詳細介紹了半導體材料光電特性以及光、電相互作用機制和基本物理過程，重點闡述了半導體太陽能電池、光電導器件、光電二極管、光電耦合器件、CMOS圖像傳感器、發(fā)光二極管和半導體激光器等半導體光電子器件的工作機制、基本物理過程、基本性能曲線、關(guān)鍵參數(shù)及影響器件性能的因素等。本書既可作為微電子、光電子及相關(guān)學
GaN基寬禁帶半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應(yīng)用價值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導體材料。本書基于國內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細論述了GaN基半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國內(nèi)外發(fā)展動態(tài)、面臨的關(guān)鍵科學技術(shù)問題
光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機整機與分系統(tǒng)滿足光刻機分辨率、套刻精度等性能指標要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細介紹了本團隊提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技
本書共7章，主要介紹了改性鍺半導體物理的相關(guān)內(nèi)容，包括Ge帶隙類型轉(zhuǎn)變理論、改性鍺半導體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調(diào)制理論、改性鍺半導體光學特性理論以及改性鍺MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過本書的學習，可為讀者以后學習改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。本書可作為高等院校微電子學與固體電子學專業(yè)研究生的參考書，也可
本書研究MCSH結(jié)構(gòu)中電子波矢過濾、磁阻與巨磁阻、電子自旋過濾等重要量子效應(yīng)，包括量子調(diào)控及其可能電子器件應(yīng)用。全書由四章組成。第一章緒論，簡單介紹MCSH結(jié)構(gòu)，以及研究MCSH結(jié)構(gòu)中電子輸運的改進轉(zhuǎn)移矩陣方法和Landauer-Büttiker微結(jié)構(gòu)電導理論。第二章關(guān)于MCSH結(jié)構(gòu)中電子波矢過濾效應(yīng)、調(diào)控及其在電子動
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