目錄
第二版前言
第一版叢書序
第一版序言
第一章 晶體與近代晶體學(xué)（1）
§1.1 晶體（1）
1.1.1 晶體與非晶體相比，晶體所具有的基本性質(zhì)（1）
1.1.2 天然晶體與人工晶體（2）
1.1.3 晶體內(nèi)涵的拓寬（4）
§1.2 近代晶體學(xué)（5）
1.2.1 經(jīng)典晶體學(xué)（6）
1.2.2 X射線晶體學(xué)（6）
1.2.3 晶體生長科學(xué)與技術(shù)（7）
1.2.4 非周期性晶體學(xué)（10）
1.2.5 納米晶體學(xué)（10）
1.2.6 蛋白質(zhì)晶體學(xué)（10）
§1.3 近代晶體學(xué)與其他主要相關(guān)學(xué)科的聯(lián)系（11）
參考文獻(xiàn)（11）
第二章 晶體結(jié)構(gòu)周期性點(diǎn)陣描述（14）
§2.1 晶體點(diǎn)陣（14）
2.1.1 晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)理論發(fā)展的簡要?dú)v史回顧（14）
2.1.2 點(diǎn)陣的類型（15）
2.1.3 點(diǎn)陣的矩陣表示（19）
2.1.4 點(diǎn)陣對(duì)晶體對(duì)稱軸軸次的限制（20）
2.1.5 點(diǎn)陣的方向指數(shù)（21）
2.1.6 三維空間點(diǎn)陣的平面指數(shù)（25）
2.1.7 三方及六方晶體的四軸坐標(biāo)系平面指數(shù)（26）
2.1.8 晶體結(jié)構(gòu)的有序性問題（28）
§2.2 倒易點(diǎn)陣（29）
2.2.1 倒易點(diǎn)陣的定義（29）
2.2.2 倒易點(diǎn)陣的基本性質(zhì)（32）
2.2.3 倒易矢量在晶體學(xué)中的應(yīng)用（35）
2.2.4 二維倒易點(diǎn)陣的平面類型（38）
參考文獻(xiàn)（40）
第三章 晶體對(duì)稱性理論（42）
§3.1 對(duì)稱性概念（42）
3.1.1 對(duì)稱性定義（42）
3.1.2 對(duì)稱操作與對(duì)稱元素（43）
3.1.3 對(duì)稱變換（43）
§3.2 群論基礎(chǔ)（44）
3.2.1 群G的基本性質(zhì)（又稱群的公理）（44）
3.2.2 群G的乘法表（45）
3.2.3 群G的一些基本概念（48）
§3.3 32種晶體學(xué)點(diǎn)群（54）
3.3.1 晶體的宏觀對(duì)稱元素（55）
3.3.2 晶體宏觀對(duì)稱元素的組合（57）
3.3.3 32種晶體學(xué)點(diǎn)群（60）
§3.4 14種晶體學(xué)平移群（80）
3.4.1 空間點(diǎn)陣類型與晶系的關(guān)系（80）
3.4.2 14種布拉維點(diǎn)陣型式（81）
3.4.3 約化胞理論（84）
§3.5 230種晶體學(xué)空間群（85）
3.5.1 晶體的微觀對(duì)稱元素（85）
3.5.2 晶體微觀對(duì)稱元素的組合（87）
3.5.3 點(diǎn)群與空間群的同形性（90）
3.5.4 推引晶體學(xué)空間群（91）
3.5.5 空間群符號(hào)（95）
3.5.6 等效點(diǎn)系（96）
3.5.7 一些常用技術(shù)晶體的空間群（97）
§3.6 一維和二維對(duì)稱群（100）
3.6.1 一維對(duì)稱群（100）
3.6.2 二維對(duì)稱群（100）
§3.7 二色群和準(zhǔn)晶對(duì)稱群（104）
3.7.1 二色群:既考慮到晶體的位置對(duì)稱性,又考慮到晶體的狀態(tài)對(duì)稱性（104）
3.7.2 準(zhǔn)晶對(duì)稱群（106）
參考文獻(xiàn)（106）
第四章 晶體形態(tài)學(xué)（108）
§4.1 晶體形態(tài)學(xué)中的幾個(gè)經(jīng)典性定律（108）
§4.2 晶面角的測(cè)量與投影（111）
4.2.1 晶面角的測(cè)量（112）
4.2.2 晶體的投影（113）
§4.3 晶體的理想形態(tài)（116）
4.3.1 晶體的單形（116）
4.3.2 47種單形在32種點(diǎn)群中的分布（117）
4.3.3 晶體的聚形（122）
§4.4 幾種預(yù)測(cè)性晶體形態(tài)理論模型（123）
4.4.1 BFDH理論模型（123）
4.4.2 AE理論模型（124）
4.4.3 最小表面能理論模型（124）
4.4.4 PBC理論模型（124）
4.4.5 配位多面體生長基元理論模型（125）
§4.5 實(shí)際晶體生長形態(tài)（126）
4.5.1 晶體的生長習(xí)性（126）
4.5.2 晶體生長的二型性與多型性（127）
4.5.3 類質(zhì)同象與類質(zhì)多象（128）
4.5.4 雙晶（129）
§4.6 生長環(huán)境相對(duì)晶體生長形態(tài)的影響（134）
§4.7 晶體形態(tài)穩(wěn)定性與晶體表面（137）
4.7.1 晶體形態(tài)穩(wěn)定性（137）
4.7.2 晶體表面（138）
§4.8 計(jì)算機(jī)模擬晶體形態(tài)（139）
§4.9 當(dāng)前研究晶體形態(tài)的意義與作用（141）
參考文獻(xiàn)（142）
第五章 晶體的衍射效應(yīng)與其應(yīng)用（144）
§5.1 晶體的衍射效應(yīng)（144）
5.1.1 X射線源與X射線性質(zhì)（144）
5.1.2 X射線衍射幾何學(xué)（146）
5.1.3 晶體對(duì)X射線衍射的影響（150）
5.1.4 X射線數(shù)據(jù)的收集方法（159）
5.1.5 電子衍射和中子衍射（164）
§5.2 晶體衍射效應(yīng)的應(yīng)用（171）
5.2.1 X射線對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的測(cè)定（171）
5.2.2 X射線形貌術(shù)（172）
5.2.3 晶胞常數(shù)的精確測(cè)量（172）
5.2.4 物相的X射線衍射分析（174）
5.2.5 結(jié)晶相圖的X射線測(cè)量（175）
5.2.6 電子衍射與中子衍射的應(yīng)用（178）
參考文獻(xiàn)（180）
第六章 晶體結(jié)構(gòu)的形成（182）
§6.1 原子結(jié)構(gòu)（182）
6.1.1 原子核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)（182）
6.1.2 量子數(shù)與軌道（183）
6.1.3 電子云的分布（185）
6.1.4 原子的電子排布（185）
6.1.5 原子的電離能、電子親和能及電負(fù)性（190）
§6.2 晶體的鍵型（192）
6.2.1 離子鍵（192）
6.2.2 共價(jià)鍵（199）
6.2.3 金屬鍵（208）
6.2.4 范德瓦耳斯鍵（211）
6.2.5 氫鍵（215）
6.2.6 中間型（混合型鍵（219）
§6.3 無機(jī)晶體結(jié)構(gòu)形成原理（221）
6.3.1 球緊密堆積原理（222）
6.3.2 鮑林規(guī)則（224）
6.3.3 晶體結(jié)構(gòu)中的配位多面體（224）
6.3.4 無機(jī)晶體形成的一些經(jīng)驗(yàn)規(guī)律（226）
§6.4 有機(jī)晶體結(jié)構(gòu)形成原理（227）
6.4.1 有機(jī)M的結(jié)構(gòu)（227）
6.4.2 有機(jī)M的對(duì)稱性（230）
6.4.3 晶體結(jié)構(gòu)中有機(jī)分子的堆積（230）
6.4.4 有機(jī)晶體結(jié)構(gòu)在空間群中的分布（231）
§6.5 晶體場(chǎng)理論與配位場(chǎng)理論（231）
6.5.1 晶體場(chǎng)理論（231）
6.5.2 配位場(chǎng)理論（233）
§6.6 晶體工程簡介（234）
參考文獻(xiàn)（236）
第七章 晶體結(jié)構(gòu)（238）
§7.1 晶體結(jié)構(gòu)的主要類型（238）
§7.2 元素單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)（239）
7.2.1 金屬單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)（239）
7.2.2 稀有氣體的晶體結(jié)構(gòu)（240）
7.2.3 非金屬單質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)（240）
§7.3 金屬合金的晶體結(jié)構(gòu)（242）
7.3.1 金屬固溶體（242）
7.3.2 金屬間化合物（243）
7.3.3 電子化合物（244）
7.3.4 非周期性結(jié)構(gòu)的固相合金（245）
§7.4 無機(jī)化合物典型的晶體結(jié)構(gòu)（245）
7.4.1 二元化合物典型的晶體結(jié)構(gòu)（245）
7.4.2 多元化合物典型的晶體結(jié)構(gòu)（254）
7.4.3 新型功能晶體結(jié)構(gòu)舉例（281）
§7.5 有機(jī)化合物典型的晶體結(jié)構(gòu)（287）
7.5.1 六次甲基四胺晶體結(jié)構(gòu)（287）
7.5.2 尿素的晶體結(jié)構(gòu)（287）
7.5.3 苯基脲的晶體結(jié)構(gòu)（288）
7.5.4 硫酸三甘肽的晶體結(jié)構(gòu)（289）
7.5.5 L-精氨酸磷酸鹽晶體（290）
7.5.6 2,4-二硝基苯丙氨基甲酯晶體（290）
7.5.7 2-甲基-4-硝基苯胺晶體（291）
§7.6 聚合物分子結(jié)構(gòu)與晶體結(jié)構(gòu)（291）
7.6.1 非生物聚合物（292）
7.6.2 生物聚合物（295）
參考文獻(xiàn)（301）
第八章 晶體的物理性質(zhì)（304）
§8.1 張量的基礎(chǔ)知識(shí)（304）
8.1.1 張量的定義（304）
8.1.2 張量的變換定律（307）
§8.2 晶體對(duì)稱性對(duì)晶體物理性質(zhì)的影響（310）
8.2.1 諾依曼原則（310）
8.2.2 晶體的對(duì)稱性對(duì)其物理性質(zhì)的影響（311）
§8.3 晶體的力學(xué)性質(zhì)（314）
8.3.1 晶體的應(yīng)力與應(yīng)變（314）
8.3.2 晶體的彈性和范性（319）
8.3.3 晶體的解理性（321）
8.3.4 晶體的硬度（322）
8.3.5 晶體的熱膨脹（323）
§8.4 晶體的介電性質(zhì)（325）
8.4.1 電極化（326）
8.4.2 晶體的介質(zhì)極化率和介電常數(shù)（326）
8.4.3 極化弛豫和介質(zhì)損耗（327）
§8.5 晶體的壓電性質(zhì)（329）
8.5.1 壓電系數(shù)（329）
8.5.2 電致伸縮效應(yīng)（331）
8.5.3 壓電晶體及其應(yīng)用（331）
§8.6 晶體的熱釋電性質(zhì)（333）
8.6.1 熱釋電晶體的對(duì)稱性特點(diǎn)（333）
8.6.2 熱釋電探測(cè)器對(duì)晶體材料的要求（334）
8.6.3 熱釋電晶體及其應(yīng)用（336）
§8.7 晶體的鐵電性質(zhì)（338）
8.7.1 鐵電晶體的電滯回線（339）
8.7.2 鐵電晶體的居里溫度Tc（340）
8.7.3 鐵電相變（鐵電體）的兩種主要類型（341）
8.7.4 鐵電晶體的主要類型（342）
8.7.5 介電晶體、壓電晶體、熱釋電晶體和鐵電晶體四者間對(duì)稱性的相互聯(lián)系（342）
§8.8 晶體的線性光學(xué)性質(zhì)（343）
8.8.1 晶體光學(xué)基礎(chǔ)（343）
8.8.2 光波在晶體中的傳播特性（344）
8.8.3 晶體中的雙折射現(xiàn)象（345）
8.9.2 晶體的二階非線性光學(xué)系數(shù)（倍頻系數(shù)）（356）
8.9.3 晶體的相位匹配（358）
8.9.4 非線性光學(xué)晶體材料（359）
§8.10 晶體在外場(chǎng)作用下的光學(xué)性質(zhì)（361）
8.10.1 晶體的電光效應(yīng)（361）
8.10.2 晶體的彈光效應(yīng)（370）
8.10.3 晶體的聲光效應(yīng)（371）
8.10.4 晶體的熱光效應(yīng)（374）
8.10.5 晶體的光折變效應(yīng)（376）
參考文獻(xiàn)（377）
第九章 晶體生長（380）
§9.1 相變與相圖（381）
9.1.1 相變（381）
9.1.2 相圖（381）
§9.2 相變的驅(qū)動(dòng)力（385）
9.2.1 氣體通體體系（385）
9.2.2 溶液通體體系（386）
9.2.3 溶體邊體體系（386）
§9.3 晶體的成核理論（388）
9.3.1 均勻成核的經(jīng)典理論（388）
9.3.2 非均勻成核理論（391）
§9.4 晶體生長的輸運(yùn)過程與邊界層理論（394）
9.4.1 晶體生長的輸運(yùn)過程（394）
9.4.2 邊界層理論（396）
§9.5 晶體生長界面結(jié)構(gòu)理論模型（402）
9.5.1 光滑界面理論模型（402）
9.5.2 螺旋位錯(cuò)理論模型（403）
9.5.3 粗糖界面理論模型（403）
9.5.4 擴(kuò)散界面理論模型（404）
9.5.5 蛋白質(zhì)晶體生長的微觀模型（405）
§9.6 晶體生長動(dòng)力學(xué)（406）
9.6.1 光滑界面的生長（407）
9.6.2 螺旋位錯(cuò)生長（409）
9.6.3 粗糖界面的生長（410）
9.6.4 擴(kuò)散界面的生長（411）
9.6.5 蛋白質(zhì)晶體生長（412）
9.6.6 蒙特卡羅法模擬晶體生長（413）
§9.7 單晶體生長方法（415）
9.7.1 從溶體中生長單晶體（415）
9.7.2 從溶液中生長單晶體（418）
9.7.3 高溫溶液法生長單晶體（421）
9.7.4 熱液法晶體生長（424）
9.7.5 從氣相中生長單晶體（426）
9.7.6 高溫高壓法（427）
§9.8 晶體薄膜（428）
9.8.1 晶體薄膜生長方法（428）
9.8.2 晶體薄膜的形成、結(jié)構(gòu)與其性質(zhì)（433）
9.8.3 薄膜材料的主要類型與其應(yīng)用（433）
§9.9 有機(jī)功能晶體與其生長（435）
參考文獻(xiàn)（437）
第十章 晶體缺陷（440）
§10.1 晶體缺陷的基本類型（440）
10.1.1 晶體的點(diǎn)缺陷（440）
10.1.2 晶體的線缺陷（447）
10.1.3 晶體的面缺陷（452）
10.1.4 晶體的體缺陷（456）
§10.2 晶體缺陷的觀測(cè)方法與技術(shù)（459）
10.2.1 晶體成分分析（459）
10.2.2 位錯(cuò)的光學(xué)觀察（460）
10.2.3 X射線衍射形貌術(shù)，簡稱X射線形貌術(shù)（462）
10.2.4 電子顯微術(shù)（468）
參考文獻(xiàn)（472）
第十一章 磁晶與磁群（474）
§11.1 磁晶（474）
11.1.1 常用的磁學(xué)名詞和單位（475）
11.1.2 磁晶的分類（476）
11.1.3 強(qiáng)磁性晶體的磁的各向異性（480）
11.1.4 磁疇（482）
11.1.5 磁晶的磁滯性質(zhì)（485）
11.1.6 磁晶的剩余磁化（486）
11.1.7 磁晶的磁結(jié)構(gòu)（487）
11.1.8 磁效應(yīng)（489）
11.1.9 天然磁晶和人工磁晶（490）
§11.2 磁群（492）
11.2.1 反對(duì)稱要素（492）
11.2.2 磁點(diǎn)群（496）
11.2.3 三維二色布拉維點(diǎn)陣（498）
11.2.4 三維二色空間群（499）
參考文獻(xiàn)（500）
第十二章 準(zhǔn)晶體（503）
§12.1 準(zhǔn)晶的類型（504）
12.1.1 三維準(zhǔn)晶（504）
12.1.2 二維準(zhǔn)晶（507）
12.1.3 —維準(zhǔn)晶（509）
§12.2 準(zhǔn)點(diǎn)陣（509）
12.2.1 一維準(zhǔn)點(diǎn)陣（510）
12.2.2 二維準(zhǔn)點(diǎn)陣（513）
12.2.3 三維準(zhǔn)點(diǎn)陣（513）
§12.3 準(zhǔn)晶的對(duì)稱性——點(diǎn)群與空間群（514）
12.3.1 一維準(zhǔn)晶的點(diǎn)群與空間群（514）
12.3.2 二維準(zhǔn)晶的點(diǎn)群與空間群（515）
12.3.3 三維二十面體的點(diǎn)群與空間群（516）
12.3.4 準(zhǔn)晶的點(diǎn)群與空間群實(shí)驗(yàn)測(cè)定的研究（516）
§12.4 準(zhǔn)晶生長（517）
12.4.1 高溫溶液法（517）
12.4.2 熔體禍下降法（518）
12.4.3 提拉法（518）
12.4.4 氣相蒸發(fā)法（518）
12.4.5 準(zhǔn)晶的生長形態(tài)（519）
12.4.6 準(zhǔn)晶的生長缺陷（519）
§12.5 準(zhǔn)晶的物理性能和準(zhǔn)晶材料的應(yīng)用（519）
12.5.1 準(zhǔn)晶的物理性能（519）
12.5.2 準(zhǔn)晶材料的應(yīng)用（520）
參考文獻(xiàn)（522）
第十三章 納米晶體（525）
§13.1 納米晶效應(yīng)（525）
13.1.1 表面效應(yīng)（525）
13.1.2 小尺寸效應(yīng)（526）
13.1.3 量子尺寸效應(yīng)（526）
13.1.4 宏觀量子隧道效應(yīng)（527）
13.1.5 庫侖堵塞效應(yīng)（527）
13.1.6 介電限域效應(yīng)（527）
§13.2 納米晶體生長（528）
13.2.1 金屬納米晶（528）
13.2.2 半導(dǎo)體納米晶（529）
13.2.3 磁性納米晶（530）
13.2.4 氧化物納米晶（531）
13.2.5 量子化納米晶（532）
13.2.6 膠體納米晶（533）
§13.3 納米晶的表征（534）
13.3.1 高分辨率透射電子顯微鏡（534）
13.3.2 掃描探針顯微鏡（535）
13.3.3 掃描電子顯微鏡（535）
13.3.4 X射線衍射（536）
13.3.5 磁力顯微鏡（537）
13.3.6 超導(dǎo)量子相干磁力測(cè)定儀（537）
13.3.7 拉曼散射法（537）
§13.4納米晶的性能特點(diǎn)（538）
13.4.1 納米晶的化學(xué)特性（538）
13.4.2 納米晶異常的熱力學(xué)性質(zhì)（538）
13.4.3 納米晶粒的異常物理性質(zhì)（539）
§13.5 納米晶的應(yīng)用（540）
13.5.1 在醫(yī)療藥物方面的應(yīng)用（540）
13.5.2 納米晶作為高效催化劑和吸收劑（540）
13.5.3 保護(hù)生態(tài)環(huán)境方面的應(yīng)用（541）
13.5.4 能源材料（541）
13.5.5 磁性納米晶的應(yīng)用（541）
13.5.6 半導(dǎo)體納米晶的應(yīng)用（542）
13.5.7 納米晶的光學(xué)性質(zhì)方面的應(yīng)用（542）
第十四章 液晶（548）
§14.1 液晶分子（549）
§14.2 液晶相與液晶類型（550）
14.2.1 液晶相（550）
14.2.2 液晶的類型（550）
§14.3 熱致液晶（551）
14.3.1 向列型液晶（551）
14.3.2 近晶型液晶（552）
14.3.3 膽留型液晶（553）
14.3.4 盤狀液晶（554）
14.3.5 有序參數(shù)（554）
14.3.6 液晶的向錯(cuò)缺陷（555）
14.3.7 液晶顯示用的液晶材料（556）
§14.4 溶致液晶（557）
§14.5 聚合物液晶（559）
14.5.1 主鏈型聚合物液晶（559）
14.5.2 側(cè)鏈型聚合物液晶（560）
§14.6 液晶的物理性質(zhì)與其應(yīng)用（561）
14.6.1 液晶的物理性能（561）
14.6.2 液晶的應(yīng)用（562）
§14.7 液晶的理論和新型液晶（563）
14.7.1 液晶的理論（563）
14.7.2 新型液晶（564）
參考文獻(xiàn)（566）
附錄I 點(diǎn)群及其同形空間群（568）
附錄II 晶體物理坐標(biāo)軸的定向規(guī)則（576）
附錄III 晶體物理性質(zhì)矩陣表（578）
后記（583）