第1章 緒論
1.1 單粒子效應(yīng)的影響及發(fā)展趨勢(shì)
1.2 VLSI單粒子效應(yīng)防護(hù)的緊迫性
1.3 VLSI單粒子效應(yīng)研究綜述
參考文獻(xiàn)

第2章 空間環(huán)境
2.1 地球大氣和電離層
2.1.1 地球大氣的成分
2.1.2 大氣對(duì)航天器飛行的影響
2.2 地球磁場(chǎng)與磁層
2.2.1 地球磁場(chǎng)
2.2.2 地球磁層
2.2.3 磁層亞暴
2.2.4 空間等離子體對(duì)航天器的影響
2.3 空間粒子與輻射環(huán)境
2.3.1 無輻射空間粒子
2.3.2 輻射空間粒子
2.4 空間真空環(huán)境
2.5 空間碎片
2.5.1 空間碎片的來源
2.5.2 空間碎片的分類
2.5.3 空間碎片對(duì)航天器的影響
2.6 NASA的空間環(huán)境計(jì)劃
2.6.1 計(jì)劃的策劃與組織
2.6.2 計(jì)劃的技術(shù)活動(dòng)
參考文獻(xiàn)

第3章 VLSI的單粒子效應(yīng)
3.1 單粒子效應(yīng)電荷收集模型
3.1.1 漏斗模型
3.1.2 粒子分流模型
3.2 高能粒子能量沉積的分布特性
3.2.1 空間分布特性
3.2.2 時(shí)間分布特性
3.3 重離子、質(zhì)子和中子的單粒子效應(yīng)特點(diǎn)
3.3.1 重離子、a粒子單粒子效應(yīng)
3.3.2 質(zhì)子單粒子效應(yīng)
3.3.3 中子單粒子效應(yīng)
3.4 VLSI單粒子效應(yīng)類型與影響
3.4.1 單粒子翻轉(zhuǎn)
3.4.2 單粒子多位翻轉(zhuǎn)
3.4.3 單粒子瞬態(tài)脈沖
3.4.4 單粒子功能中斷
3.4.5 單粒子閑鎖
3.5 VLSI單粒子翻轉(zhuǎn)率預(yù)估方法
3.5.1 質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)率預(yù)估方法
3.5.2 重離子單粒子翻轉(zhuǎn)率預(yù)估方法
3.5.3 FOM方法
參考文獻(xiàn)

第4章 VLSI的單粒子效應(yīng)故障模式與特性
4.1 單粒子效應(yīng)故障模式與特性的研究現(xiàn)狀
4.2 SRAM型FPGA單粒子效應(yīng)故障模式與特性
4.2.1 SRAM型FPGA結(jié)構(gòu)描述
4.2.2 FPGA單粒子效應(yīng)故障特性
……
第5章 單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)與驗(yàn)證方法
第6章 FPGA單粒子效應(yīng)故障檢測(cè)與加固設(shè)計(jì)
第7章 DSP單粒子效應(yīng)故障檢測(cè)與加固設(shè)計(jì)
第8章 空間電子儀器平臺(tái)抗單粒子效應(yīng)體系結(jié)構(gòu)
第9章 FPGA和DSP單粒子效應(yīng)加速器實(shí)驗(yàn)
第10章 單粒子防護(hù)技術(shù)的應(yīng)用情況
附錄
主要符號(hào)
主要縮略語