隨著先進(jìn)的集成電路工藝節(jié)點(diǎn)不斷向納米級(jí)推進(jìn)，對(duì)半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點(diǎn)介紹電子納米器件，包括準(zhǔn)一維電子氣、強(qiáng)電子相關(guān)的測(cè)量、量子點(diǎn)的熱電特性、單電子源、量子電流標(biāo)準(zhǔn)、電子量子光學(xué)、噪聲測(cè)量、拓?fù)浣^緣體納米帶、硅量子比特器件等；后半部分介紹光電子納米器件，包括半導(dǎo)體量子點(diǎn)單光子源的電學(xué)控制、量子點(diǎn)太陽能電池、量子點(diǎn)激光器、納米線激光器，以及氮化物單光子源等內(nèi)容。本

本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動(dòng)光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識(shí)、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級(jí)大批量制造方面的獨(dú)特經(jīng)驗(yàn)，增加了關(guān)于接近式曝光方面的全新內(nèi)容，同時(shí)更新并擴(kuò)展了曝光系統(tǒng)、成像、曝光-離焦（E-D）法、硬件組件、工藝和優(yōu)化以及EUV光刻和浸沒式光刻等方面的資料。本書可供半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域的工程師、管理者以

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對(duì)基本原理的討論，借助圖表對(duì)各種效應(yīng)進(jìn)行圖形化直觀展示，并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外，還對(duì)小尺寸場(chǎng)效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實(shí)際業(yè)界對(duì)策進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生在學(xué)習(xí)完半導(dǎo)體物理知識(shí)后，進(jìn)一步學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件工作原理之用；也可作為集成電路相關(guān)專業(yè)研究生的研究工作參考書，還可作為集成電路代工廠或電路設(shè)計(jì)從業(yè)人員的專業(yè)參考書。

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、宏觀性質(zhì)間的聯(lián)系。第二部分則主要圍繞實(shí)際晶體中各種雜志與缺陷態(tài)對(duì)晶體性能的影響撰寫。第二部分?jǐn)M分為四章撰寫，第六至八章分別重點(diǎn)介紹晶體中三個(gè)維度的缺陷類型，包括點(diǎn)缺陷、線缺陷和面缺

本書首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問題進(jìn)行研究，從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。

本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點(diǎn)等；將功率器件測(cè)試分為特性測(cè)試、極限能力測(cè)試、高溫可靠性測(cè)試、電應(yīng)力可靠性測(cè)試和壽命測(cè)試等，并詳細(xì)介紹了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法和原理，同步分析了測(cè)試設(shè)備和數(shù)據(jù)等；重點(diǎn)從測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)、方法、理論和實(shí)際應(yīng)用各方面，詳細(xì)介紹了高溫可靠性測(cè)試和封裝可靠性測(cè)試及其難點(diǎn)。本書結(jié)合企業(yè)實(shí)際需求，貼近工業(yè)實(shí)踐，知識(shí)內(nèi)容新穎，可為工業(yè)界以及高校提供前沿?cái)?shù)據(jù)，

半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科，是信息、新能源（半導(dǎo)體照明、太陽能光伏）等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書共15章，詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù)，重點(diǎn)介紹了半導(dǎo)體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料）的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，闡述了化合物半導(dǎo)體（包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族、Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料和氧化物半導(dǎo)體材料）的制備技術(shù)和基本性質(zhì)，還闡述了有機(jī)半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體量子點(diǎn)（量子阱）等新型半導(dǎo)體材料的制備和性質(zhì)。本書配套MOOC在線課程、

本書內(nèi)容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實(shí)際應(yīng)用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)理論及應(yīng)用的基礎(chǔ)上，著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應(yīng)用等，緊接著介紹了薄膜厚度的測(cè)量、薄膜分析檢測(cè)技術(shù)等方面的內(nèi)容，最后詳細(xì)闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線的具體工藝流程。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實(shí)踐性強(qiáng)，在強(qiáng)化理論的同時(shí)，重點(diǎn)突出了工程應(yīng)用，賄很強(qiáng)的實(shí)用性。

本書詳細(xì)介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取，全書共分7章，內(nèi)容包括緒論、實(shí)驗(yàn)方案、鍺塵基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結(jié)論。

SMT是一門包含元器件、材料、設(shè)備、工藝以及表面組裝電路基板設(shè)計(jì)與制造的綜合電子產(chǎn)品裝聯(lián)技術(shù)，是在傳統(tǒng)THT通孔插裝元器件裝聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代微組裝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體材料、元器件、電子與信息技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展，使SMT組裝的電子產(chǎn)品更具有體積小、性能好、功能全、價(jià)位低的綜合優(yōu)勢(shì)，適應(yīng)了數(shù)碼電子產(chǎn)品向短、小、輕、薄，多功能，高可靠，優(yōu)質(zhì)量，低成本方向發(fā)展需求，成為世界電子整機(jī)組裝技術(shù)的主流。SMT作為新一代電子裝聯(lián)技術(shù)已廣泛地應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域的電子產(chǎn)品裝接中。近年來，電子信息、通信、互聯(lián)網(wǎng)