本書為“低維材料與器件叢書”之一。過去二十多年，半導體納米線因其獨特結構與優(yōu)異性能引起了世界各國科學家的高度關注與廣泛研究，半導體納米線功能器件在不同領域都展現(xiàn)出巨大的前景。本書基于作者多年的科研工作，并結合國內(nèi)外的最新研究進展，系統(tǒng)介紹了半導體納米線功能器件的研究成果。內(nèi)容涵蓋了從半導體納米線功能器件的發(fā)展現(xiàn)狀和加工

本書梳理和總結了中國科學院院士、半導體材料及材料物理學家王占國院士近60年從事半導體材料領域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導體材料及材料物理學家，對推動我國半導體材料科學領域的學術繁榮、學科發(fā)展、

本書重點介紹了各種不同類型的界面插層材料對NiFe磁阻薄膜材料結構及電輸運性能的影響。全書共7章，內(nèi)容包括：磁電阻薄膜材料簡介、NiFe薄膜材料研究現(xiàn)狀、薄膜制備及結構性能表征方法等。

半導體器件數(shù)值模擬計算方法是現(xiàn)代計算數(shù)學和工業(yè)與應用數(shù)學的重要領域。半導體器件數(shù)值模擬是用電子計算機模擬半導體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設計和研制新型半導體器件結構的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀八十年代直到今天持續(xù)活躍的關于半導體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導體中氫原子與分子的最初實驗發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻），到硅等元素半導體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導體中氫的基本性質和重要效應。其中包括對材料和器件研制至關重要的含氫復合物，荷電雜質與缺陷的中性化，氫致半導

本書主要描述半導體材料的主要測試分析技術，介紹各種測試技術的基本原理、儀器結構、樣品制備和分析實例，主要包括載流子濃度(電阻率)、少數(shù)載流子壽命、發(fā)光等性能以及雜質和缺陷的測試，其測試分析技術涉及到四探針電阻率測試、無接觸電阻率測試、擴展電阻、微波光電導衰減測試、霍爾效應測試、紅外光譜測試、深能級瞬態(tài)譜測試、正電子湮滅

本書是作者多年來在微波寬禁帶半導體器件及其建�？蒲泄ぷ鞯目偨Y，核心內(nèi)容來自于作者或者與中國電科55所、中國電科13所等聯(lián)合單位發(fā)表在國際重要期刊的文章。本書是作者多年來在微波寬禁帶半導體器件及其建�？蒲泄ぷ鞯目偨Y，核心內(nèi)容來自于作者或者與中國電科55所、中國電科13所等聯(lián)合單位發(fā)表在國際重要期刊的文章。

場發(fā)射冷陰極在顯示技術、微波能源及高頻電子等方面具有十分重要的應用�！都{米半導體場發(fā)射冷陰極理論與實驗》基于作者多年來在納米半導體場發(fā)射冷陰極方面的工作積累，對該領域的發(fā)展歷程、理論基礎、設計模型與制備性能進行了系統(tǒng)的介紹與討論，期望為新型納米半導體場發(fā)射冷陰極研發(fā)與器件應用提供指導與參考。 《納米半導體場發(fā)射冷陰極

太陽能是取之不盡用之不竭的清潔能源。太陽能光伏發(fā)電是近年來太陽能應用中發(fā)展最快、最具活力的研究領域。與目前廣泛采用的硅太陽能電池相比，銅銦硒薄膜太陽能電池具有光電轉化效率高、性能穩(wěn)定、空間抗輻射性能強等優(yōu)點，在當前的光伏領域備受關注。銅銦硒(CuInSe2)中加入一定量Al和S分別替代部分貴重金屬In和Se，一方面可以

光刻技術是所有微納器件制造的核心技術。特別是在集成電路制造中，正是由于光刻技術的不斷提高才使得摩爾定律（器件集成度每兩年左右翻一番）得以繼續(xù)�！冻�大規(guī)模集成電路先進光刻理論與應用》覆蓋現(xiàn)代光刻技術的主要方面，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝，內(nèi)容直接取材于國際先進集成電路制造技術，為了保證先進性，特別側重于32n

本書主要闡述國內(nèi)外硅基發(fā)光材料和器件的研究進展，主要包括：（1）硅基納米結構材料與發(fā)光器件，（2）硅基雜質與缺陷發(fā)光中心的構建及器件，（3）硅基多孔硅發(fā)光制備與器件，（4）硅基能帶調(diào)控發(fā)光材料與激光器件，（5）硅基量子點外延材料及激光器件，（6）硅/化合物半導體混合激光。（7）硅基有機發(fā)光材料與器件，（8）硅基光源和光

本書源于作者在直拉硅單晶生長控制領域十余年的研究心得與成果積累,在對硅單晶生長工藝參數(shù)及制備理論進行全面論述的基礎上,系統(tǒng)地介紹了直拉硅晶體生長的基本原理和工藝過程以及熱場、磁場等關鍵部件的設計理論與方法。研究了影響硅片品質的關鍵變量的檢測問題和工程方法,提出了全自動晶體生長控制系統(tǒng)的基本理論和控制方法。全書分為八章,

《半導體工藝與測試實驗》主要內(nèi)容包括半導體工藝的6個主要單項實驗、半導體材料特性表征與器件測試實驗、工藝和器件特性仿真實驗。并通過綜合流程實驗整合各單項實驗知識和技能，著重培養(yǎng)學生的半導體器件的綜合設計能力。

《半導體科學與技術叢書：透明氧化物半導體》重點闡述了已經(jīng)得到廣泛應用或具有重要應用前景的8種氧化物半導體的制備技術、晶體結構、形貌、缺陷、電子結構、電學性質、磁學性質、壓電性質、光學性質和氣敏性質，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了國內(nèi)外透明氧化物半導體重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半導體成熟理論，又反映了

《真空鍍膜原理與技術》闡述了真空鍍膜的應用，真空鍍膜過程中薄膜在基體表面生長過程；探討了薄膜生長的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學氣相沉積的原理、特點、裝置及應用技術等。力求避開煩瑣的數(shù)學公式，盡量用簡單的語言闡述物理過程。通俗易懂、簡單易學。

太陽電池可以實現(xiàn)太陽光直接轉換為電力，目前晶體硅太陽電池是光伏發(fā)電的主流產(chǎn)品。本書首先介紹了晶體硅的物理特性、太陽電池基本結構和標準電池工藝；并在介紹多晶硅原料制備原理、硅源化合物材料性能和制備基礎上，著重介紹高純多晶硅和太陽級多晶硅的制備與各種提純生產(chǎn)工藝；最后，詳細闡述了硅的晶體生長和硅片的生產(chǎn)工藝。本書可供大專院

《信息科學技術學術著作叢書：硅通孔3D集成技術》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術的最新進展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡討論三維集成關鍵技術中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導體工業(yè)中的納米技術和三維集成技術的起源和演變歷史，結合當前三維集成關鍵技術的發(fā)展重點討論

本系列叢書分為《半導體化合物光電原理》、《半導體化合物光電器件制備》、《半導體化合物光電器件檢測》三部分�！栋雽�體化合物光電原理》介紹半導體的結構學基礎、物理學基礎以及ⅢAⅤA族半導體化合物的電學性質、光學性質，半導體化合物的應用、光電器件的結構和工作原理等，較系統(tǒng)地介紹了相關基礎知識，適合材料、物理化學、光學、微電子

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截斷、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測與包裝等。本書根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務驅動、項目訓練的方法組織教學，以側重實踐操作技能為原則，注重實踐與理論的緊密結合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應用性和實踐性。本書適合

納米半導體具有常規(guī)半導體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領域具有空前的應用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動力�！都{米半導體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導體特殊性能及其在信息