本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設備及關鍵工藝的基礎上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設置、熱系統(tǒng)設計與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結合變量檢測、智能優(yōu)化及

有機光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國防、醫(yī)療等各個行業(yè)都有重要的應用，是未來光子發(fā)展以及國際高技術競爭的重要陣地。本書重點介紹了有機光功能材料及其在激光器件方面的應用，從光功能材料的發(fā)光機理、激發(fā)態(tài)過程及激光基礎理論出發(fā)，討論有機微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來的激光顯示應用。

本書以作者及其研究團隊多年的研究成果為基礎，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應用，內(nèi)容集學術性與實用性為一體。全書共12章，內(nèi)容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性質及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮

本書為“低維材料與器件叢書”之一。全書主要介紹低維半導體光子學的物理基礎，低維半導體材料制備與能帶調控、瞬態(tài)光學特性、光傳輸與光反饋、光子調控、非線性光學性質和納米尺度光學表征與應用，以及基于低維半導體材料或結構的發(fā)光二極管、激光器、光調制器和非線性光學器件等，最后介紹了基于低維半導體結構集成光子器件與技術。本書力求為

SiC功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎，在消費電子、智能電網(wǎng)、電氣化交通、國防軍工等領域，具有不可替代的作用。SiC功率器件的性能表征、封裝測試和系統(tǒng)集成，具有重要的研究價值和應用前景。圍繞SiC功率器件的基礎研究和前沿應用，本書系統(tǒng)介紹了SiC功率器件的研究現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢，分析了器件的電-熱性能表征方

有機熱電是有機電子學和能源領域的交叉前沿研究方向之一，自2010年以來取得快速發(fā)展。作為快速起步的新興研究方向，有機熱電材料與器件缺乏聚焦該方向的專著。本書圍繞分子體系的熱電能量轉換過程、機制、功能與應用，系統(tǒng)闡述有機熱電領域的發(fā)展機遇、現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)，對推動該領域的快速發(fā)展具有重要學術價值。本書根據(jù)該領域的特點和自身發(fā)展

本書以碳化硅和氮化鎵電力電子器件為主要對象，首先介紹寬禁帶電力電子器件的現(xiàn)狀與發(fā)展，闡述寬禁帶電力電子器件的物理基礎與基本原理；然后介紹寬禁帶電力電子器件的特性與參數(shù)，分析寬禁帶電力電子器件在單管電路和橋臂電路中的工作原理與性能特點，闡述寬禁帶電力電子器件的驅動電路設計挑戰(zhàn)、原理與設計方法；最后介紹在寬禁帶電力電子器件

本書根據(jù)作者從事半導體材料研究所積累的理論知識、工作經(jīng)驗和技術資料，在查閱了大量的書籍和文獻資料的基礎上，將與半導體材料專業(yè)技術相關的知識要點提取出來，并根據(jù)作者的理解將相關內(nèi)容分成6個部分，即半導體材料概述、材料物理性能、晶體生長、熱處理、材料性能測量和半導體工藝基礎技術。其中半導體材料物理性能被劃分為三大類12個方

本書基于作者多年從事LED芯片設計與制造技術研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的經(jīng)驗，詳細介紹了提高水平結構LED芯片、倒裝結構LED芯片和高壓LED芯片外量子效率的設計與制造技術。采用微加工技術在水平結構LED芯片的正面、底面和側面集成微納光學結構，提高其發(fā)光效率。采用高反射率、低阻P型歐姆接觸電極和通孔接觸式N型電極提高倒裝結構LED芯

本書為“低維材料與器件叢書”之一。過去二十多年，半導體納米線因其獨特結構與優(yōu)異性能引起了世界各國科學家的高度關注與廣泛研究，半導體納米線功能器件在不同領域都展現(xiàn)出巨大的前景。本書基于作者多年的科研工作，并結合國內(nèi)外的最新研究進展，系統(tǒng)介紹了半導體納米線功能器件的研究成果。內(nèi)容涵蓋了從半導體納米線功能器件的發(fā)展現(xiàn)狀和加工

本書由淺入深、系統(tǒng)地介紹了幾種常用的微波半導體器件的電磁損傷機理。首先介紹了幾種微波半導體器件基礎知識和典型的電磁脈沖及其效應，然后重點通過仿真分析和實驗分析介紹了幾種微波半導體器件的電磁損傷機理，最后簡要介紹了幾種半導體器件電磁損傷模型。

TFTLCD液晶顯示器在平板顯示器中脫穎而出，在顯示器市場獨占整頭。目前以TFTLCD為代表的平板顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，為適應平板顯示產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展的要求，本書作者編寫了薄型顯示器叢書�！禕R》本冊闡述TFT液晶顯示的基本原理和技術，共分4章：第1章介紹液晶顯示的歷史和現(xiàn)狀；第2章以近乎動（畫）、漫（畫）的形式形象直觀地介紹

《純電動汽車IGBT可靠性及健康管理研究》詳細闡述了純電動汽車IGBT的基本知識和研究現(xiàn)狀。系統(tǒng)介紹了IGBT模塊的主要失效模式以及狀態(tài)監(jiān)測參數(shù)；IGBT模塊的加速模型；基于K-S檢驗的壽命分布方法，基于ALTA軟件的仿真分析方法；IGBT模塊散熱分析；IGBT模塊的關于PHM技術的研究方案以及三種主流的故障預測技術；

本書從有機薄膜晶體管的發(fā)展歷程、器件結構與原理、材料種類、器件性能及應用等方面對這種新型的有機電子器件作了較全面的論述。重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在有機薄膜晶體管有源層及介電層材料方面的研究成果，涵蓋小分子材料、高分子材料、液晶材料、介電材料、材料計算模擬、有機單晶材料的發(fā)展與生長方法等。系統(tǒng)闡述了提高有機薄膜晶體管器

本書梳理和總結了中國科學院院士、半導體材料及材料物理學家王占國院士近60年從事半導體材料領域科研活動的歷程。主要包括王占國院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、科研和工作事跡、回憶文章、獲授獎項以及育人情況等內(nèi)容。王占國院士是我國著名的半導體材料及材料物理學家，對推動我國半導體材料科學領域的學術繁榮、學科發(fā)展、

本書重點介紹了各種不同類型的界面插層材料對NiFe磁阻薄膜材料結構及電輸運性能的影響。全書共7章，內(nèi)容包括：磁電阻薄膜材料簡介、NiFe薄膜材料研究現(xiàn)狀、薄膜制備及結構性能表征方法等。

本書根據(jù)大功率IGBT驅動與保護技術的**發(fā)展現(xiàn)狀，結合團隊多年積累的科研成果和技術經(jīng)驗，對IGBT驅動和保護技術進行了全面的介紹。全書在介紹IGBT器件及驅動**發(fā)展現(xiàn)狀的基礎上，從IGBT器件結構、特性以及工作原理出發(fā)，詳細地分析了影響大功率IGBT開關特性的因素，介紹了IGBT模塊的參數(shù)，進而對IGBT模塊的驅動

近年來，全球OLED技術和產(chǎn)業(yè)布局發(fā)展迅猛，柔性高世代OLED生產(chǎn)線陸續(xù)建設、投產(chǎn)，OLED產(chǎn)業(yè)無疑成為電子信息領域的產(chǎn)業(yè)藍海。然而與之不相匹配的是OLED專業(yè)人員和相關書籍的嚴重不足。《OLED顯示技術導論》從有機電致發(fā)光二極管設計的基礎理論著手，逐步拓展到當前實際工程應用到的各種發(fā)光器件的設計和應用原理。涉及的內(nèi)容

半導體器件數(shù)值模擬計算方法是現(xiàn)代計算數(shù)學和工業(yè)與應用數(shù)學的重要領域。半導體器件數(shù)值模擬是用電子計算機模擬半導體器件內(nèi)部重要的物理特性，獲取有效數(shù)據(jù)，是設計和研制新型半導體器件結構的有效工具。本書主要內(nèi)容包括半導體器件數(shù)值模擬的有限元方法、有限差分方法，半導體問題的區(qū)域分裂和局部加密網(wǎng)格方法，半導體瞬態(tài)問題的塊中心差分方

本書系統(tǒng)并扼要介紹國際上從上世紀八十年代直到今天持續(xù)活躍的關于半導體中氫的研究成果。內(nèi)容涵蓋從半導體中氫原子與分子的最初實驗發(fā)現(xiàn)到氫致缺陷研究（包括國內(nèi)研究人員的貢獻），到硅等元素半導體至砷化鎵，碳化硅等化合物半導體中氫的基本性質和重要效應。其中包括對材料和器件研制至關重要的含氫復合物，荷電雜質與缺陷的中性化，氫致半導