《結(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)教程/普通高等教育十三五規(guī)劃教材》分5篇18章：第Ⅰ篇晶體幾何學(xué)，含1～3章，包括晶體及其性質(zhì)、晶體宏觀對(duì)稱、單形與聚形、空間格子、晶體結(jié)晶系統(tǒng)、七個(gè)晶系、230種空間群等；第Ⅱ篇晶體化學(xué)與晶體生長(zhǎng)，含4～5章，包括晶體化學(xué)、晶體結(jié)構(gòu)、晶體生長(zhǎng)物理化學(xué)、熱力學(xué)等；第Ⅲ篇礦物性質(zhì)及鑒定方法，含6～9章，包

本書(shū)對(duì)透射電子顯微鏡的構(gòu)造、實(shí)驗(yàn)技術(shù)的原理和應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)介紹。第二版已對(duì)第一版內(nèi)容進(jìn)行了修訂和更新。解釋了為什么需要用到這一特殊的技術(shù)以及如何將這一特定概念運(yùn)用到實(shí)踐中。全書(shū)分為上下兩冊(cè)，共4篇，總計(jì)40章。第一篇主要介紹一些與透射電子顯微鏡相關(guān)的基本概念，包括電子衍射的基礎(chǔ)知識(shí)、儀器的構(gòu)造與功能，以及透射電子顯微鏡

本書(shū)用傳輸理論、熱力學(xué)、統(tǒng)計(jì)物理學(xué)和動(dòng)力學(xué)理論系統(tǒng)地總結(jié)和解釋了晶體生長(zhǎng)過(guò)程，著重討論了熔體生長(zhǎng)特別是直拉法生長(zhǎng)。結(jié)合溫場(chǎng)、溶質(zhì)分凝、液流效應(yīng)等問(wèn)題做了仔細(xì)的分析并給出相應(yīng)的物理解釋。對(duì)不同生長(zhǎng)系統(tǒng)中的的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)采用統(tǒng)一的觀點(diǎn)加以闡述。本書(shū)是一本全面論述晶體生長(zhǎng)理論的專著，既可作為高等院校學(xué)生和研究有關(guān)晶體生長(zhǎng)課程的

《HVPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》結(jié)合著者在該領(lǐng)域的研究成果，介紹了獲得高質(zhì)量自支撐GaN單晶的方法�！禜VPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》的研究工作主要有以下四個(gè)方面：第2章介紹了V／Ⅲ對(duì)GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響，并對(duì)其作用機(jī)理進(jìn)行了分析。隨著V／Ⅲ的增加，GaN單晶中的位錯(cuò)密度降低、殘余應(yīng)

本書(shū)共分為10章，內(nèi)容包括：緒論、晶體生長(zhǎng)的基本規(guī)律、晶體的面角恒等及投影、晶體的宏觀對(duì)稱、單形和聚形、晶體定向和結(jié)晶符號(hào)、實(shí)際晶體的形態(tài)和規(guī)則連生、晶體結(jié)構(gòu)的幾何理論、晶體化學(xué)基礎(chǔ)、晶體結(jié)構(gòu)。

本書(shū)主要介紹了晶體生長(zhǎng)技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷，結(jié)合計(jì)算流體力學(xué)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運(yùn)、化學(xué)反應(yīng)等方面闡明了晶體生長(zhǎng)技術(shù)的要點(diǎn)和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書(shū)也詳細(xì)介紹了分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理的研究策略，并應(yīng)用于晶體缺陷的研究。本書(shū)的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書(shū)是一本關(guān)于晶體生長(zhǎng)基本概念和技術(shù)的著名著作，書(shū)中對(duì)晶體生長(zhǎng)的理論和實(shí)踐進(jìn)行了系統(tǒng)的全面的敘述，對(duì)廣大讀者有重要的參考價(jià)值。本書(shū)由結(jié)晶過(guò)程和晶體生長(zhǎng)兩大部分組成。第一部分包含平衡、成核和外延、生長(zhǎng)機(jī)制、雜質(zhì)、質(zhì)量和熱輸運(yùn)、生長(zhǎng)外形及其穩(wěn)定性、缺陷的產(chǎn)生和團(tuán)塊結(jié)晶等。第二部分介紹了氣相生長(zhǎng)、溶液生長(zhǎng)和熔體生長(zhǎng)。本書(shū)可供

本書(shū)是中山大學(xué)海洋科學(xué)學(xué)院系列教材之一，包括18個(gè)實(shí)驗(yàn)，介紹結(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)。每個(gè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容包括實(shí)驗(yàn)?zāi)康暮鸵�求、�?shí)驗(yàn)知識(shí)要點(diǎn)、實(shí)驗(yàn)的主要內(nèi)容及注意事項(xiàng)。本書(shū)符合實(shí)驗(yàn)教材常用寫法，理論與實(shí)踐結(jié)合，適合大學(xué)有關(guān)專業(yè)作教材使用。

本書(shū)是作者在多年的科研和教學(xué)基礎(chǔ)上積累而成。運(yùn)用幾何學(xué)的概念和方法系統(tǒng)地分析和推導(dǎo)晶體的對(duì)稱性原理及晶體的衍射原理，給讀者以鮮明的立體概念，便于理解、掌握和應(yīng)用。全書(shū)共分為三部分:幾何晶體學(xué)基本原理、微觀空間對(duì)稱原理和晶體中X射線衍射基本原理。第一、二篇運(yùn)用一般位置等效點(diǎn)系中的等效點(diǎn)在空間的對(duì)稱分布與空間對(duì)稱性相一致的

本書(shū)分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理，分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過(guò)程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流)、化學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題(材料的提純與合成問(wèn)題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)