應(yīng)用數(shù)學(xué)分析基礎(chǔ)是在重慶大學(xué)“高等數(shù)學(xué)”課程教材體系改革試點(diǎn)工作的配套講義的基礎(chǔ)上歷經(jīng)20多年修訂而成的.與傳統(tǒng)高等數(shù)學(xué)教材相比,本書(shū)不僅注重讓學(xué)生理解、掌握高等數(shù)學(xué)的內(nèi)容,同時(shí)也強(qiáng)調(diào)培養(yǎng)學(xué)生實(shí)事求是的科學(xué)態(tài)度、嚴(yán)謹(jǐn)踏實(shí)的科學(xué)作風(fēng)和追根究底的科學(xué)精神.全書(shū)共分四冊(cè),本冊(cè)為多元函數(shù)微積分學(xué),內(nèi)容包括n維歐氏空間、多元函數(shù)

本書(shū)是石油高等院�！督Y(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)》、《晶體光學(xué)》相關(guān)課程的配套實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)，與課堂理論緊密結(jié)合，并將礦物內(nèi)部結(jié)構(gòu)、宏觀(guān)特征及顯微鏡下特征結(jié)合起來(lái)，使學(xué)生更容易通過(guò)實(shí)驗(yàn)掌握常見(jiàn)造巖礦物的鑒定特征。本書(shū)可作為指導(dǎo)學(xué)生進(jìn)行結(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)、晶體光學(xué)實(shí)驗(yàn)時(shí)使用。

本書(shū)是B·K·伐因斯坦（主編）與A·A·契爾諾夫和L·A·蘇伏洛夫主持編寫(xiě)的4卷本巨著《現(xiàn)代晶體學(xué)》中的第4卷.本書(shū)由有名學(xué)者L·A·蘇伏洛夫牽頭的8位專(zhuān)家共同編寫(xiě).本書(shū)是一本關(guān)于晶體物理性質(zhì)基本概念、理論和技術(shù)的有名著作，著重從晶體學(xué)基礎(chǔ)的角度來(lái)編排內(nèi)容，對(duì)晶體物理性質(zhì)的理論和實(shí)踐進(jìn)行了全面、系統(tǒng)的介紹，對(duì)廣大讀者有

《結(jié)晶學(xué)與礦物學(xué)教程/普通高等教育十三五規(guī)劃教材》分5篇18章：第Ⅰ篇晶體幾何學(xué)，含1～3章，包括晶體及其性質(zhì)、晶體宏觀(guān)對(duì)稱(chēng)、單形與聚形、空間格子、晶體結(jié)晶系統(tǒng)、七個(gè)晶系、230種空間群等；第Ⅱ篇晶體化學(xué)與晶體生長(zhǎng)，含4～5章，包括晶體化學(xué)、晶體結(jié)構(gòu)、晶體生長(zhǎng)物理化學(xué)、熱力學(xué)等；第Ⅲ篇礦物性質(zhì)及鑒定方法，含6～9章，包

本書(shū)對(duì)透射電子顯微鏡的構(gòu)造、實(shí)驗(yàn)技術(shù)的原理和應(yīng)用進(jìn)行了詳細(xì)介紹。第二版已對(duì)第一版內(nèi)容進(jìn)行了修訂和更新。解釋了為什么需要用到這一特殊的技術(shù)以及如何將這一特定概念運(yùn)用到實(shí)踐中。全書(shū)分為上下兩冊(cè)，共4篇，總計(jì)40章。第一篇主要介紹一些與透射電子顯微鏡相關(guān)的基本概念，包括電子衍射的基礎(chǔ)知識(shí)、儀器的構(gòu)造與功能，以及透射電子顯微鏡

本書(shū)用傳輸理論、熱力學(xué)、統(tǒng)計(jì)物理學(xué)和動(dòng)力學(xué)理論系統(tǒng)地總結(jié)和解釋了晶體生長(zhǎng)過(guò)程，著重討論了熔體生長(zhǎng)特別是直拉法生長(zhǎng)。結(jié)合溫場(chǎng)、溶質(zhì)分凝、液流效應(yīng)等問(wèn)題做了仔細(xì)的分析并給出相應(yīng)的物理解釋。對(duì)不同生長(zhǎng)系統(tǒng)中的的生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)采用統(tǒng)一的觀(guān)點(diǎn)加以闡述。本書(shū)是一本全面論述晶體生長(zhǎng)理論的專(zhuān)著，既可作為高等院校學(xué)生和研究有關(guān)晶體生長(zhǎng)課程的

《HVPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》結(jié)合著者在該領(lǐng)域的研究成果，介紹了獲得高質(zhì)量自支撐GaN單晶的方法�！禜VPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》的研究工作主要有以下四個(gè)方面：第2章介紹了V／Ⅲ對(duì)GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響，并對(duì)其作用機(jī)理進(jìn)行了分析。隨著V／Ⅲ的增加，GaN單晶中的位錯(cuò)密度降低、殘余應(yīng)

本書(shū)共分為10章，內(nèi)容包括：緒論、晶體生長(zhǎng)的基本規(guī)律、晶體的面角恒等及投影、晶體的宏觀(guān)對(duì)稱(chēng)、單形和聚形、晶體定向和結(jié)晶符號(hào)、實(shí)際晶體的形態(tài)和規(guī)則連生、晶體結(jié)構(gòu)的幾何理論、晶體化學(xué)基礎(chǔ)、晶體結(jié)構(gòu)。

本書(shū)主要介紹了晶體生長(zhǎng)技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷，結(jié)合計(jì)算流體力學(xué)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運(yùn)、化學(xué)反應(yīng)等方面闡明了晶體生長(zhǎng)技術(shù)的要點(diǎn)和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書(shū)也詳細(xì)介紹了分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理的研究策略，并應(yīng)用于晶體缺陷的研究。本書(shū)的研究涵蓋了宏觀(guān)和微觀(guān)的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的

本書(shū)是一本關(guān)于晶體生長(zhǎng)基本概念和技術(shù)的著名著作，書(shū)中對(duì)晶體生長(zhǎng)的理論和實(shí)踐進(jìn)行了系統(tǒng)的全面的敘述，對(duì)廣大讀者有重要的參考價(jià)值。本書(shū)由結(jié)晶過(guò)程和晶體生長(zhǎng)兩大部分組成。第一部分包含平衡、成核和外延、生長(zhǎng)機(jī)制、雜質(zhì)、質(zhì)量和熱輸運(yùn)、生長(zhǎng)外形及其穩(wěn)定性、缺陷的產(chǎn)生和團(tuán)塊結(jié)晶等。第二部分介紹了氣相生長(zhǎng)、溶液生長(zhǎng)和熔體生長(zhǎng)。本書(shū)可供