HVPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究
定 價(jià)：48 元
- 作者：田媛 著
- 出版時(shí)間：2019/9/1
- ISBN：9787551722742
- 出 版 社：東北大學(xué)出版社
- 中圖法分類：O782
- 頁碼：106
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開本：16開
《HVPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》結(jié)合著者在該領(lǐng)域的研究成果，介紹了獲得高質(zhì)量自支撐GaN單晶的方法�！禜VPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》的研究工作主要有以下四個(gè)方面：
第2章介紹了V／Ⅲ對(duì)GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響，并對(duì)其作用機(jī)理進(jìn)行了分析。隨著V／Ⅲ的增加，GaN單晶中的位錯(cuò)密度降低、殘余應(yīng)力增加、載流子濃度降低、電子遷移率升高、光學(xué)性能變好。
第3，4章介紹了采用低溫緩沖層技術(shù)在藍(lán)寶石和sic襯底上生長(zhǎng)獲得自支撐GaN單晶的方法。系統(tǒng)地研究了不同緩沖層工藝和單晶生長(zhǎng)工藝對(duì)GaN晶體質(zhì)量的影響，確定了工藝條件，獲得了高質(zhì)量的自支撐GaN單晶。
第5，6章介紹了高溫退火處理襯底的方法。在退火過程中，位錯(cuò)的應(yīng)變能會(huì)降低GaN分解所需的自由能，GaN在位錯(cuò)處會(huì)優(yōu)先分解形成退火坑。且由于混合位錯(cuò)和螺位錯(cuò)的應(yīng)變能大于刃位錯(cuò)的應(yīng)變能，混合位錯(cuò)和螺位錯(cuò)對(duì)應(yīng)的退火坑尺寸大于刃位錯(cuò)對(duì)應(yīng)的退火坑尺寸。以此為基礎(chǔ)，第5章提出一種根據(jù)退火坑的差異表征位錯(cuò)的方法。第6章對(duì)襯底進(jìn)行高溫退火，使其分解形成多孔結(jié)構(gòu)，并在其上進(jìn)行GaN的生長(zhǎng)，獲得自支撐GaN單晶。
第7章介紹了兩步腐蝕法處理襯底獲得自支撐GaN單晶的方法。
第1章 緒論
1．1 引言
1．2 GaN的晶體結(jié)構(gòu)
1．3 GaN單晶的基本性質(zhì)
1．4 GaN單晶的結(jié)構(gòu)缺陷
1．4．1 GaN單晶中的點(diǎn)缺陷
1．4．2 GaN單晶中的線缺陷
1．4．3 GaN單晶中的面缺陷
1．4．4 GaN單晶中的體缺陷
1．5 GaN材料的制備方法
1．5．1 GaN異質(zhì)外延薄膜的制備方法
1．5．2 GaN單晶的生長(zhǎng)方法
1．6 GaN單晶結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分析方法
1．6．1 GaN單晶的結(jié)構(gòu)分析方法
1．6．2 GaN單晶的光學(xué)分析方法
1．6．3 GaN單晶的形貌分析方法
1．6．4 GaN單晶的電學(xué)性質(zhì)分析方法
1．6．5 GaN單晶的雜質(zhì)分析方法
1．7 GaN單晶展望
1．8 本書的選題依據(jù)和主要研究?jī)?nèi)容
第2章 V／Ⅲ對(duì)GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響
2．1 藍(lán)寶石襯底簡(jiǎn)介
2．2 不同V／Ⅲ生長(zhǎng)GaN單晶
2．3 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶宏觀形貌的影響
2．4 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶結(jié)構(gòu)的影響
2．4．1 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶位錯(cuò)密度的影響
2．4．2 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶殘余應(yīng)力的影響
2．4．3 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶晶體取向分布的影響
2．4．4 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶雜質(zhì)含量的影響
2．5 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶光電性質(zhì)的影響
2．5．1 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶電學(xué)性質(zhì)的影響
2．5．2 V／Ⅲ對(duì)GaN單晶光學(xué)性質(zhì)的影響
2．6 本章小結(jié)
第3章 采用低溫緩沖層技術(shù)生長(zhǎng)自支撐GaN單晶
3．1 自剝離機(jī)理
3．2 不同緩沖層處理工藝生長(zhǎng)GaN單晶
3．3 低溫緩沖層表面形貌
3．4 緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)HT-GaN的影響
3．4．1 緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)HT-GaN形貌的影響
3．4．2 緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)HT-GaN晶體質(zhì)量的影響
3_4．3 緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)HT-GaN殘余應(yīng)力的影響
3．4．4 緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)HT-GaN表面的晶體質(zhì)量和晶體取向分布的影響
3．4．5 緩沖層結(jié)構(gòu)對(duì)HT-GaN光學(xué)性質(zhì)的影響
3．4．6 緩沖層的作用分析
3．5 本章小結(jié)
第4章 在SiC的C面直接生長(zhǎng)自支撐GaN單晶
4．1 SiC襯底簡(jiǎn)介
4．2 sic的C面上生長(zhǎng)GaN單晶
4．3 低溫緩沖層的形貌和性質(zhì)
4．3．1 低溫緩沖層退火前形貌對(duì)比
4．3．2 低溫緩沖層退火后形貌對(duì)比
4．3．3 適合單晶生長(zhǎng)和自剝離的低溫緩沖層研究
4．4 SiC的C面生長(zhǎng)HT-GaN
4．4．1 無緩沖層直接生長(zhǎng)HT-GaN
4．4．2 不進(jìn)行緩沖層退火生長(zhǎng)HT-GaN
4．4．3 不同生長(zhǎng)時(shí)間的緩沖層對(duì)HT-GaN的影響
4．4．4 V／Ⅲ對(duì)HT-GaN的影響
4．5 自支撐GaN單晶的性質(zhì)研究
4．5．1 自支撐GaN單晶的極性
4．5．2 自支撐GaN單晶的晶體質(zhì)量
4．5．3 自支撐GaN單晶的殘余應(yīng)力
4．5．4 自支撐GaN單晶的晶體取向分布規(guī)律
4．5．5 自支撐GaN的光學(xué)性質(zhì)
4．6 GaN單晶自剝離機(jī)理
4．7 本章小結(jié)
第5章 高溫退火法表征GaN中的位錯(cuò)
5．1 高溫退火法表征位錯(cuò)的機(jī)理
5．2 高溫退火法表征位錯(cuò)
5．3 高溫退火襯底表面形貌
5．4 不同位錯(cuò)表征方法對(duì)比
5．4．1 熔融堿腐蝕法表征位錯(cuò)
5．4．2 CL表征位錯(cuò)
5．5 高溫退火坑對(duì)應(yīng)的位錯(cuò)類型
5．6 本章小結(jié)
第6章 采用高溫退火襯底生長(zhǎng)自支撐GaN單晶
6．1 前言
6．2 實(shí)驗(yàn)部分
6．3 多孔結(jié)構(gòu)襯底制備
6．4 采用多孔襯底制備自支撐GaN單晶
6．5 本章小結(jié)
第7章 采用兩步腐蝕襯底生長(zhǎng)自支撐GaN單晶
7．1 前言
7．2 兩步腐蝕M0cVD-GaN襯底
7．2．1 兩步腐蝕法概述
7．2．2 電化學(xué)腐蝕MOCVD-GaN襯底
7．2．3 熱磷酸再次腐蝕M()CVD-GaN襯底
7．3 采用兩步腐蝕襯底生長(zhǎng)自支撐GaN單晶
7．3．1 兩步腐蝕襯底用于HVPE生長(zhǎng)概述
7．3．2 兩步腐蝕襯底的結(jié)構(gòu)
7．3．3 兩步腐蝕襯底生長(zhǎng)自剝離GaN晶體的性能表征
7．4 本章小結(jié)
第8章 本書總結(jié)
參考文獻(xiàn)
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