《核磁共振的物理學(xué)和數(shù)學(xué)（英文）》是一部英文版的物理學(xué)專著，中文書名可譯為《核磁共振的物理學(xué)和數(shù)學(xué)》，《核磁共振的物理學(xué)和數(shù)學(xué)（英文）》的作者有兩位，一位是理查德·安索格（RichardAnsorge），他是劍橋卡文迪什實驗室（CavendishLaboratoryCambridge）的高級講師，也是劍橋菲茨威廉學(xué)院（

本書的王要內(nèi)客包括四部分：部分為引論與建模(包括引論光學(xué)和非光學(xué)相互結(jié)合的方法表征多孔氧化鋯樣品．寬光譜區(qū)薄膜表征的通用色散模型從頭計算預(yù)測光學(xué)特性)；第二部分為分光光度法和橢圓偏振光譜法(包括薄膜的反射光譜成像法光學(xué)表征，成像分光光度法的數(shù)據(jù)處理方法．單層膜與多層膜的在線和離線分光光度法)；第三部分為缺陷和渡紋的薄膜

本書的選材總是受到個人指導(dǎo)物理專業(yè)博士研究生經(jīng)驗的強烈影響。在很大程度上．選材源自于開姆尼茨工業(yè)大學(xué)物理研究所的教學(xué)活動。在那里我參與了大學(xué)對薄膜特性的研究．并作為講師閱讀了幾門應(yīng)用光譜學(xué)主體的課程，這段大學(xué)時光賦予了這本書更有學(xué)術(shù)特征。必須提到的是，當(dāng)時我在德國出版了一本關(guān)于薄膜光學(xué)的教科書《薄膜光譜》，重點討論了薄

本書論述了固體物理學(xué)的基礎(chǔ)知識和理論，共分為6章內(nèi)容，包括晶體結(jié)構(gòu)和晶體衍射、晶體的結(jié)合、晶體中的缺陷、晶格振動和晶體的熱學(xué)性質(zhì)、金屬自由電子論以及固體能帶理論。書中系統(tǒng)地介紹了晶體結(jié)構(gòu)及其表征、晶體的衍射原理、晶體的結(jié)合類型及其形成的物理機制和表現(xiàn)出的物理性質(zhì)、晶體缺陷的產(chǎn)生和缺陷類型及其對物性的影響、晶格振動的色散

本書全面闡述了核磁共振實驗方法、核磁共振譜中重要的參數(shù)——化學(xué)位移和耦合常數(shù)、一維核磁譜解析和深入探討、二維核磁譜解析、高級實驗方法和核磁共振譜在結(jié)構(gòu)解析中的應(yīng)用。對核磁共振譜學(xué)中的關(guān)鍵概念和實驗方法進(jìn)行了清晰、簡潔的討論，并與實例相結(jié)合，全面介紹了核磁共振譜和技術(shù)在分子結(jié)構(gòu)解析中的應(yīng)用。從編排上，本書的內(nèi)容介于核磁結(jié)

本書是美國著名高分子科學(xué)家艾倫?托內(nèi)利教授的代表性著作。在聚合物、共聚物、生物大分子、改性聚合物、固態(tài)聚合物以及聚合物溶液和熔體等的各種核磁共振（NMR）測定結(jié)果的基礎(chǔ)上，系統(tǒng)總結(jié)了它們的化學(xué)位移與其微結(jié)構(gòu)的關(guān)系。包括應(yīng)用1H、13C、15N、19F、29SI和31P作為分子探針，專門研究高分子構(gòu)象與其微結(jié)構(gòu)的關(guān)聯(lián)。以

仿生疏水表面是一種潛在的兼具防污功能的水下減阻新方法，也是減阻領(lǐng)域的研究熱點之一，未來有望廣泛應(yīng)用于海洋工程和其他相關(guān)領(lǐng)域。本書整理了作者十余年在疏水表面減阻方面取得的一系列研究成果，不僅從微觀角度深入揭示了疏水表面滑移效應(yīng)的分子動力學(xué)機理，而且系統(tǒng)分析了仿生疏水表面氣膜流失與減阻失效的機制，還提出多種可能的氣膜維持新

本書主要包括結(jié)晶學(xué)理論、缺陷理論、晶格振動理論和能帶理論四章，重點論述了組成晶體的微觀粒子（原子、離子、電子等）之間的相互作用及運動規(guī)律，進(jìn)而闡述了晶體的宏觀性質(zhì)及其應(yīng)用。書中結(jié)合作者長期的教學(xué)研究和實踐，對很多問題采取了新的處理方法，通過深入淺出的論述，使初學(xué)者易于理解和接受。書中每章后面都配有一定量的習(xí)題和思考題。

本書主要介紹固體物理的基本概念和基本理論，包括晶體結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)合、晶格振動、金屬電子論和能帶理論等內(nèi)容。本書可作為材料學(xué)科或其他非物理學(xué)科本科生固體物理教學(xué)用書，也可供相關(guān)專業(yè)科技人員參考。

本書旨在倡導(dǎo)計量譜學(xué)工程以獲取前所未及的有關(guān)化學(xué)鍵-電子-聲子-物性受激關(guān)聯(lián)弛豫的定量和動態(tài)信息。主要涉及電子發(fā)射和衍射以及多場聲子譜學(xué)分析原理、積分差譜專利技術(shù)、局域鍵平均近似、化學(xué)鍵受激弛豫、氫鍵非對稱耦合振子對、非鍵電子極化等理論方法。通過改變原子配位、受力、沖擊、受熱、摻雜、水合、電磁輻射等對哈密頓量中的晶體勢