本書以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應(yīng)用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類似不良

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學(xué)方法、動力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進行了詳細(xì)論述。

本書主要描述常用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及電特性。內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、PN結(jié)二極管應(yīng)用、雙極型晶體管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、MOSFET以及新型場效應(yīng)晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計七章。與同類教材比較，本教材增加了pn結(jié)二極管應(yīng)用以及新型場效應(yīng)晶體管的介紹，反

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本書比較全面地介紹了當(dāng)前表面組裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線及主要設(shè)備、建線工程、設(shè)備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎(chǔ)知識和表面組裝印制電路板可制造性設(shè)計(DFM)等內(nèi)容。全書分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準(zhǔn)備、第3章SMT涂敷工藝技術(shù)、第4章MT貼裝工藝技術(shù)、第5章MT檢測工藝技術(shù)、第6章MT清洗工藝技術(shù)

本書旨在向材料及微電子集成相關(guān)專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專業(yè)技術(shù)。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與

本書介紹了當(dāng)前主流的光學(xué)光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術(shù)。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設(shè)備、關(guān)鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學(xué)效應(yīng)等，包括光刻技術(shù)的前沿進展，還總結(jié)了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。

全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導(dǎo)半導(dǎo)體缺陷的相關(guān)理論、數(shù)值模擬方法、表征技術(shù)及應(yīng)用。空間輻射誘導(dǎo)缺陷是導(dǎo)致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導(dǎo)缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導(dǎo)體材料本身物理屬性、器件類型及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。

本書概述了氮化物半導(dǎo)體及其在功率電子和光電子器件中的應(yīng)用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細(xì)討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應(yīng)用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，并提出了將它們與2D材料結(jié)合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導(dǎo)性和