《半導體器件物理學習與考研指導》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移

本書共11章，全面系統地闡述了納米半導體基本概念、制備技術和十種典型納米半導體的結構、形貌、組分、電子結構、光電特性、磁學性質、場發(fā)射特性及其應用。

電子學是研究電荷在空氣、真空和半導體內運動的一門科學（注意此處不包括電荷在金屬中的運動）。這一概念最早起源于20世紀早期，以便和電氣工程（主要研究電動機、發(fā)電機和電纜傳輸）加以區(qū)別，當時的電子工程是一個嶄新的領域，主要研究真空管中的電荷運動。如今，電子學研究的內容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學研究集成電路（IC）

本書較系統全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。具體內容包括：半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件制備技術、Ga在SiO（2）/Si結構下的開管摻雜共6章。每章后附有內容小結、思考題和習題。書后有附錄，附錄A是本書的主要符號表，附錄B是常用

本書在介紹輻射環(huán)境、空間應用器件的選擇策略以及半導體材料和器件的基本輻射效應機理的基礎上，介紹IV族半導體材料、CaAs材料、硅雙極器件以及MOS器件的輻射損傷等，并對先進半導體材料及器件的應用前景進行展望。

本書以器件和集成電路為軸線，從基本概念到器件的原理、設計、制造和電路應用，比較全面地介紹了新近發(fā)展起來的SiGe微電子技術。

本書的主要內容包括：高分辨X射線衍射，光學性質檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體研究中的應用，半導體深中心的表征。以上內容包括了目前半導體材料（第三代半導體和低維結構半導體材料）物理表征的實驗技術和具體應用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實驗技術，如LEED，

本書內容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分，介紹學習半導體器件必須的知識，包括半導體基本知識和pn結理論；其余各章為第二部分，闡述主要半導體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化合物半導體場效應晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應器件和光器件。每章末均有習題，書后附有習題參考解答。本書簡明扼要，討論