"本書闡述了數(shù)字信號處理的基本理論、算法和實際應(yīng)用，內(nèi)容包括：離散時間信號和系統(tǒng)的時域及頻域表示、有限長序列的離散傅里葉變換(DFT)、快速傅里葉變換(FFT)算法、數(shù)字濾波器的設(shè)計及實現(xiàn)、數(shù)字譜分析及數(shù)字信號處理的實際應(yīng)用等。重點介紹了離散時間信號和系統(tǒng)的時域、頻域和z域分析的基礎(chǔ)理論，以及信號抽樣與重建的基本概念；

本書系統(tǒng)講解了音視頻流媒體及播放器的基礎(chǔ)理論及案例應(yīng)用。本書為FFmpeg音視頻流媒體系列叢書的第五本，前4本分別是《FFmpeg入門詳細講解——音視頻原理及應(yīng)用》《FFmpeg入門詳細講解——流媒體直播原理及應(yīng)用》《FFmpeg入門詳細講解——命令行及音視頻特效原理及應(yīng)用》《FFmpeg入門詳細講解——SDK二次開發(fā)

本書介紹使用華為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備搭建網(wǎng)絡(luò)實訓(xùn)環(huán)境。全書以實際項目為導(dǎo)向，共6個項目，包括認識網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、構(gòu)建辦公局域網(wǎng)絡(luò)、局域網(wǎng)冗余技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)間路由互聯(lián)、網(wǎng)絡(luò)安全配置與管理，以及廣域網(wǎng)接入配置。

本書以理論知識、驗證性實驗、項目制作為主線，對數(shù)字電子技術(shù)相關(guān)內(nèi)容進行介紹。主要內(nèi)容有邏輯代數(shù)基礎(chǔ)，門電路及其應(yīng)用，組合邏輯電路及其應(yīng)用，觸發(fā)器及其應(yīng)用，集成555定時器及其應(yīng)用，時序邏輯電路及其應(yīng)用，模/數(shù)、數(shù)/模轉(zhuǎn)換器及其應(yīng)用等。

本書共9個單元，包括了解園區(qū)網(wǎng)路由技術(shù)、深入了解靜態(tài)路由技術(shù)、精通OSPF動態(tài)路由協(xié)議、優(yōu)化OSPF動態(tài)路由技術(shù)、管理路由重發(fā)布實現(xiàn)不同自治域路由注入、實施路由策略優(yōu)化路由表、使用策略路由優(yōu)化傳輸路徑、使用BGP路由實現(xiàn)域間路由選擇、實現(xiàn)園區(qū)網(wǎng)安全訪問控制列表。

本書以電子學(xué)實驗為主軸，帶領(lǐng)讀者探索各種電子元器件的性質(zhì)以及電子學(xué)的基本原理。讀者能夠跟隨書中的步驟完成各種有趣的電子學(xué)實驗：從基礎(chǔ)的焊接到設(shè)計數(shù)字邏輯電路，從用檸檬制作的電池到無須電源即可接收調(diào)幅電波信號的收音機。通過動手實驗，讀者能夠快速理解電子學(xué)的基本概念，包括電阻、電容、電壓、電流、電感，以及電與磁之間的關(guān)系。

本書將壓縮感知理論與超寬帶雷達技術(shù)相結(jié)合，以探達和穿墻雷達為研究對象，解決超寬帶雷達技術(shù)面臨成像數(shù)據(jù)海量增加和成像質(zhì)量不高的問題，具有很強的工程實際應(yīng)用價值。本書研究內(nèi)容豐富了超寬帶雷達系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理手段，擴展了超寬帶雷達系統(tǒng)的應(yīng)用范圍，對于提高超寬帶雷達系統(tǒng)的應(yīng)用能力具有重要的現(xiàn)實意義。本書注重理論與工程應(yīng)用的結(jié)合，

本書凝結(jié)了雷達對抗領(lǐng)域中交叉眼干擾技術(shù)的**成果，系統(tǒng)論述了可有效對抗單脈沖雷達的多源反向交叉眼干擾理論與技術(shù)，為反向交叉眼干擾的工程應(yīng)用提供參考。內(nèi)容可以分為三部分：第一部分在分析對抗單脈沖測角雷達的干擾現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上，著重介紹交叉眼干擾的理論發(fā)展歷程、現(xiàn)役裝備，論述傳統(tǒng)交叉眼干擾的若干應(yīng)用難題；第二部分闡述性能優(yōu)于傳

本書重點介紹薄膜、厚膜及粉體樣品組合材料芯片高通量制備技術(shù)及其應(yīng)用示范，內(nèi)容依托國家重點研發(fā)計劃項目“低維組合材料芯片高通量制備及快速篩選關(guān)鍵技術(shù)與裝備”（2016YFB0700200），同時增加了國內(nèi)外相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的研究進展、應(yīng)用案例和專利分析。本書技術(shù)內(nèi)容11章：基于物理氣相沉積的薄膜組合材料芯片高通量制備技術(shù)，基

本書全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進行了詳細論述。