1  實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)知識
  1.1  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)概述
    1.1.1  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)的意義
    1.1.2  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)的特點(diǎn)
    1.1.3  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)的目的
    1.1.4  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)的要求
  1.2  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)方法
    1.2.1  基本規(guī)則
    1.2.2  基本方法
  1.3  電子技術(shù)實(shí)驗(yàn)操作規(guī)程
    1.3.1  安全注意事項(xiàng)
    1.3.2  實(shí)驗(yàn)器材使用注意事項(xiàng)
2  基本測量技術(shù)
  2.1  概述
    2.1.1  測量方法的分類
    2.1.2  選擇測量方法的原則
  2.2  電壓測量
  2.3  電阻測量
  2.4  增益及幅頻特性測量
  2.5  測量數(shù)據(jù)的采集和處理
    2.5.1  測量數(shù)據(jù)的采集
    2.5.2  測量數(shù)據(jù)的誤差
    2.5.3 測量數(shù)據(jù)的處理
3  常用電子元器件基礎(chǔ)知識
  3.1  半導(dǎo)體分立器件型號命名法
  3.2  晶體二極管
    3.2.1  晶體二極管的分類和圖形符號
    3.2.2  晶體二極管的主要技術(shù)參數(shù)
    3.2.3  常用晶體二極管
    3.2.4  晶體二極管使用注意事項(xiàng)
    3.2.5  晶體二極管的變通運(yùn)用
  3.3  晶體三極管
    3.3.1  晶體三極管的分類和圖形符號
    3.3.2  晶體三極管的主要技術(shù)參數(shù)
    3.3.3  常用晶體三極管的主要參數(shù)
    3.3.4  晶體三極管使用注意事項(xiàng)
  3.4  場效應(yīng)晶體管
    3.4.1  場效應(yīng)晶體管的特點(diǎn)
    3.4.2  場效應(yīng)晶體管的分類和圖形符號
    3.4.3  場效應(yīng)晶體管主要技術(shù)參數(shù)
    3.4.4  常用場效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)
    3.4.5  場效應(yīng)晶體管的測量
    3.4.6  場效應(yīng)晶體管使用注意事項(xiàng)
  3.5  半導(dǎo)體模擬集成電路
    3.5.1  模擬集成電路基礎(chǔ)知識
    3.5.2  集成運(yùn)算放大器
    3.5.3  集成穩(wěn)壓器
    3.5.4  集成功率放大器
    3.5.5  集成電路的測試
  3.6  數(shù)字集成器件
    3.6.1  數(shù)字集成器件的發(fā)展和分類
    3.6.2  TTL集成電路的特點(diǎn)
    3.6.3  CMOS集成電路的特點(diǎn)
    3.6.4  TTL集成電路與CMOS集成電路混用時應(yīng)注意的問題
    3.6.5  數(shù)字集成電路的數(shù)據(jù)手冊
    3.6.6  邏輯電平
4  模擬電路基本實(shí)驗(yàn)
  4.1  常用儀器的使用
    4.1.1  實(shí)驗(yàn)?zāi)康?br />    4.1.2  實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    4.1.3  實(shí)驗(yàn)原理
    4.1.4  實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
    4.1.5  實(shí)驗(yàn)報告
    4.1.6  思考題
  4.2  常用電子元器件的識別和測量
    4.2.1  實(shí)驗(yàn)?zāi)康?br />    4.2.2  實(shí)驗(yàn)設(shè)備
    ……
5  數(shù)字電路基本實(shí)驗(yàn)
6  Multisim仿真實(shí)驗(yàn)
7  實(shí)體電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)
8  模擬和數(shù)字電路綜合實(shí)驗(yàn)
附錄 常用IC封裝
參考文獻(xiàn)