定 價(jià):39 元
叢書(shū)名:高等學(xué)校電子信息類專業(yè)系列教材
- 作者:董承遠(yuǎn)
- 出版時(shí)間:2016/2/1
- ISBN:9787302430001
- 出 版 社:清華大學(xué)出版社
- 中圖法分類:TN321
- 頁(yè)碼:0
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開(kāi)本:16開(kāi)
作為薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的入門教材,本書(shū)以非晶硅薄膜晶體管(aSi TFT)和多晶硅薄膜晶體管(pSi TFT)為例詳細(xì)講解了與TFT技術(shù)相關(guān)的材料物理、器件物理和制備工藝原理及其在平板顯示中的應(yīng)用原理等。 本書(shū)共分7章。第1章簡(jiǎn)單介紹了薄膜晶體管的發(fā)展簡(jiǎn)史; 第2章詳細(xì)闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用原理; 第3章深入講解了薄膜晶體管相關(guān)的半導(dǎo)體、絕緣體和電極材料物理; 第4章詳細(xì)闡述了非晶硅TFT和多晶硅TFT器件物理的相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí); 第5章系統(tǒng)介紹了TFT制備的單項(xiàng)工藝原理; 第6章仔細(xì)講解了非晶硅TFT陣列和多晶硅TFT陣列工藝整合原理; 第7章簡(jiǎn)單總結(jié)全書(shū)并展望了以aIGZO TFT為代表的非晶氧化物薄膜晶體管技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。每章后附有習(xí)題,可供課堂練習(xí)或課后作業(yè)使用。 本書(shū)適合于作為大學(xué)本科生和研究生相關(guān)課程的教材,也適合針對(duì)從事TFT技術(shù)相關(guān)工作的工程技術(shù)人員作為技術(shù)培訓(xùn)和在職進(jìn)修的教材或參考書(shū)籍。
“本書(shū)緣起于2008年底,是時(shí)本書(shū)作者剛離開(kāi)奮斗了5年的平板顯示產(chǎn)業(yè)界并加入到上海交通大學(xué)電子工程系。在著手開(kāi)展氧化物TFT相關(guān)科研工作的同時(shí),我也決心在上海交通大學(xué)開(kāi)設(shè)與薄膜晶體管技術(shù)相關(guān)的本科和研究生課程。”董承遠(yuǎn) 現(xiàn)執(zhí)教于上海交通大學(xué)電子工程系。主要研究方向?yàn)楸∧ぞw管(TFT)工藝、器件與電路及其在平板顯示(FPD)中的應(yīng)用。2003年7月于上海交通大學(xué)獲工學(xué)博士學(xué)位。2003年至2008年先后在上海廣電NEC、昆山龍騰光電和上海天馬等國(guó)內(nèi)幾家主要平板顯示制造企業(yè)從事與TFT相關(guān)的工藝開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)和新技術(shù)研發(fā)工作等。本書(shū)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)薄膜晶體管技術(shù)教材領(lǐng)域的空白。內(nèi)容定位于講解和闡述與薄膜晶體管技術(shù)相關(guān)的最基礎(chǔ)原理,包括材料物理、器件物理、工藝原理和實(shí)際應(yīng)用原理等;讀者定位是大專院校的本科生和研究生以及平板顯示產(chǎn)業(yè)界無(wú)相關(guān)基礎(chǔ)的工程師等。本書(shū)作者結(jié)合自身的教學(xué)實(shí)際經(jīng)驗(yàn),在內(nèi)容講解順序上另辟蹊徑,即按照從應(yīng)用原理到器件物理再到工藝原理的順序闡述。具體而言,首先從薄膜晶體管在平板顯示的有源矩陣中的應(yīng)用原理講起,并由此引出實(shí)際應(yīng)用對(duì)TFT器件特性的基本要求;接著便詳細(xì)闡述了薄膜晶體管相關(guān)的材料物理和器件物理,并由此確定了TFT工藝的技術(shù)目標(biāo),其中非晶硅/多晶硅禁帶缺陷態(tài)的產(chǎn)生機(jī)理和分布特點(diǎn)以及TFT器件的理論模型和特性參數(shù)提取方法等內(nèi)容為著重闡述之處;最后,重點(diǎn)講解了薄膜晶體管陣列的單項(xiàng)工藝原理和工藝整合原理,其中非晶硅TFT的5MASK工藝流程和多晶硅TFT的6MASK工藝流程正是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)界的首選技術(shù)。雖然本書(shū)以非晶硅/多晶硅薄膜晶體管技術(shù)的相關(guān)原理作為主要闡述目標(biāo),作者結(jié)合自身在產(chǎn)業(yè)界的實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)對(duì)TFT實(shí)際生產(chǎn)中的相關(guān)實(shí)務(wù)也多有涉及。此外,在本書(shū)的結(jié)尾處作者還根據(jù)自身的研究經(jīng)驗(yàn)對(duì)當(dāng)前比較熱門的以a-IGZO TFT為代表的非晶氧化物薄膜晶體管(AOS TFT)技術(shù)進(jìn)行了簡(jiǎn)單的總結(jié)和展望。
董承遠(yuǎn) 現(xiàn)執(zhí)教于上海交通大學(xué)電子工程系。主要研究方向?yàn)楸∧ぞw管(TFT)工藝、器件與電路及其在平板顯示(FPD)中的應(yīng)用。2003年7月于上海交通大學(xué)獲工學(xué)博士學(xué)位。
作為上海光電NEC液晶顯示器有限公司最早的工程師之一,曾赴日學(xué)習(xí)過(guò)TFT工藝技術(shù),后來(lái)又參與了國(guó)內(nèi)第一條TFT-LCD生產(chǎn)線的啟動(dòng)工作。2006年離開(kāi)SVA-NEC后先后在昆山龍騰光電有限公司和上海天馬微電子有限公司從事過(guò)TFT-LCD產(chǎn)品設(shè)計(jì)和新技術(shù)開(kāi)發(fā)的工作。值得一提的是,作者在上述這些平板顯示公司工作時(shí)負(fù)責(zé)一些針對(duì)年輕工程師的技術(shù)培訓(xùn)工作。
從2009年至今,作者先后在上海交通大學(xué)電子工程系開(kāi)設(shè)了《顯示電子學(xué)》(研究生選修課)、《薄膜晶體管原理及應(yīng)用》(本科生必修課)和《薄膜晶體管技術(shù)》(工程碩士必修課)等幾門與TFT技術(shù)相關(guān)的課程。
第1章緒論
1.1薄膜晶體管發(fā)展簡(jiǎn)史
1.2薄膜晶體管的技術(shù)分類及比較
1.3薄膜晶體管的應(yīng)用簡(jiǎn)介
1.4本書(shū)的主要內(nèi)容及架構(gòu)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章平板顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2.1平板顯示簡(jiǎn)介
2.1.1顯示技術(shù)的分類及特性指標(biāo)
2.1.2平板顯示的定義和分類
2.1.3液晶顯示器件的基本原理
2.1.4有機(jī)發(fā)光二極管顯示的基本原理
2.2液晶顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2.2.1液晶顯示的靜態(tài)驅(qū)動(dòng)和無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)介
2.2.2AMLCD像素電路的充放電原理
2.2.3AMLCD像素陣列的相關(guān)原理
2.2.4液晶顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的特殊方法
2.2.5液晶顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)的技術(shù)要求
2.3有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)
2.3.1有機(jī)發(fā)光二極管顯示的無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)介
2.3.2有機(jī)發(fā)光二極管顯示的有源矩陣驅(qū)動(dòng)基本原理
2.3.3有機(jī)發(fā)光二極管有源矩陣驅(qū)動(dòng)的技術(shù)要求
2.4本章小結(jié)
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章薄膜晶體管材料物理
3.1非晶硅材料物理
3.1.1非晶體簡(jiǎn)介
3.1.2非晶硅材料結(jié)構(gòu)
3.1.3非晶硅電學(xué)特性
3.2多晶硅材料物理
3.2.1多晶體簡(jiǎn)介
3.2.2多晶硅材料結(jié)構(gòu)
3.2.3多晶硅電學(xué)特性
3.3薄膜晶體管絕緣層材料
3.3.1絕緣層介電特性
3.3.2絕緣層漏電特性
3.3.3氮化硅薄膜
3.3.4氧化硅薄膜
3.4薄膜晶體管電