冀婷、徐閏、朱燕艷、方澤波編著的《稀土高K 柵介質(zhì)材料》全面系統(tǒng)地介紹了稀土高k柵介質(zhì)材料的組成、結(jié)構(gòu)、性能、制備及應(yīng)用知識(shí)。并論述了稀土金屬和合金材料、稀土磁性材料、稀土發(fā)光和激光材料、稀土熱電和電子發(fā)射材料、稀土催化材料、稀土儲(chǔ)氫材料和核材料、稀土超導(dǎo)材料、稀土高分子材料、鈧及其材料應(yīng)用等。
第1章 緒論
1.1 引言
1.2 MOSFET的按比例縮小
1.3 柵介質(zhì)的按比例縮小
1.3.1 柵介質(zhì)的漏電流和功率損耗
1.3.2 SiO2的極限問(wèn)題
1.4 用高K材料代替SiO2作為柵介質(zhì)的必要性及其特性需求
1.4.1 高介電常數(shù)與高K／Si界面勢(shì)壘
1.4.2 高K材料與Si的熱穩(wěn)定性
1.4.3 高K材料與si的界面質(zhì)量
1.4.4 高K材料的薄膜形態(tài)
1.4.5 工藝兼容性
1.5 稀土高K柵介質(zhì)材料
參考文獻(xiàn)
第2章 薄膜的生長(zhǎng)技術(shù)和表征技術(shù) 第1章 緒論
1.1 引言
1.2 MOSFET的按比例縮小
1.3 柵介質(zhì)的按比例縮小
1.3.1 柵介質(zhì)的漏電流和功率損耗
1.3.2 SiO2的極限問(wèn)題
1.4 用高K材料代替SiO2作為柵介質(zhì)的必要性及其特性需求
1.4.1 高介電常數(shù)與高K／Si界面勢(shì)壘
1.4.2 高K材料與Si的熱穩(wěn)定性
1.4.3 高K材料與si的界面質(zhì)量
1.4.4 高K材料的薄膜形態(tài)
1.4.5 工藝兼容性
1.5 稀土高K柵介質(zhì)材料
參考文獻(xiàn)
第2章 薄膜的生長(zhǎng)技術(shù)和表征技術(shù)
2.1 鍺硅的分子束外延生長(zhǎng)技術(shù)
2.1.1 分子束外延技術(shù)簡(jiǎn)介
2.1.2 鍺硅分子束外延系統(tǒng)
2.1.3 硅襯底片的清洗
2.1.4 鍺襯底片的清洗
2.2 表征技術(shù)
2.2.1 反射式高能電子衍射
2.2.2 俄歇電子能譜
2.2.3 原子力顯微鏡
2.2.4 X射線衍射
2.2.5 X射線光電子能譜
2.2.6 透射電子顯微鏡
2.2.7 電學(xué)性質(zhì)表征
參考文獻(xiàn)
第3章 Er2O3薄膜的生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)及其物理性質(zhì)
3.1 單晶Er2O3薄膜在si(001)襯底上的生長(zhǎng)及電學(xué)性質(zhì)
3.1.1 單晶Er2O3薄膜的生長(zhǎng)
3.1.2 氣壓及襯底溫度對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響
3.1.3 單晶Er2O3薄膜的電學(xué)性質(zhì)
3.2 單晶Er203薄膜在si(111)襯底上的生長(zhǎng)
3.2.1 不同襯底對(duì)薄膜結(jié)晶度的影響
3.2.2 不同襯底對(duì)薄膜表面形貌及界面的影響
3.3 非晶Er2O3薄膜在Si(001)襯底上的生長(zhǎng)及電學(xué)性質(zhì)
3.3.1 非晶Er2O3薄膜的生長(zhǎng)
3.3.2 組分與結(jié)構(gòu)特性
3.3.3 高真空退火樣品的電學(xué)性質(zhì)
3.3.4 氧氣氛退火對(duì)非晶Er2O3薄膜結(jié)構(gòu)及電學(xué)性質(zhì)的影響
3.4 Er2O3薄膜的熱穩(wěn)定性
3.4.1 氣氛對(duì)Er2O3薄膜熱穩(wěn)定性的影響
3.4.2 溫度Er2O3薄膜熱穩(wěn)定性的影響
3.4.3 襯底晶向Er2O3薄膜熱穩(wěn)定性的影響
3.5 Er2O3／si的能帶偏移及漏電流輸運(yùn)機(jī)制
3.5.1 Er2O3／si的能帶偏移
3.5.2 Al(Pt)／Er203／si結(jié)構(gòu)的FN隧穿
參考文獻(xiàn)
第4章 Tm2o3薄膜的生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)及其物理性質(zhì)
4.1 單晶Tm2o3薄膜在si(001)襯底上的生長(zhǎng)及物理性質(zhì)
4.1.1 單晶Tm2o3薄膜的生長(zhǎng)
4.1.2 單晶Tm2o3薄膜的微結(jié)構(gòu)
4.1.3 生長(zhǎng)氣壓對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)的影響
4.1.4 單晶Tm2o3薄膜的電學(xué)性質(zhì)
4.1.5 單晶Tm2o3薄膜的熱穩(wěn)定性
4.2 非晶Tm2o3薄膜在si(001)襯底上的生長(zhǎng)及電學(xué)性質(zhì)
4.2.1 非晶Tm2o3薄膜的生長(zhǎng)
4.2.2 非晶Tm2o3薄膜的電學(xué)性質(zhì)
4.3 Tm2o3／si的能帶偏移及漏電流輸運(yùn)機(jī)制
4.3.1 Tm203／si的能帶偏移
4.3.2 Al(Pt)／Tm2o3／Si結(jié)構(gòu)的FN隧穿
4.4 金屬／Tm2o3／si結(jié)構(gòu)漏電流輸運(yùn)機(jī)制及能帶圖
參考文獻(xiàn)
第5章 Er2O3薄膜在高遷移率襯底上的生長(zhǎng)及物理性質(zhì)
5.1 Er2O3薄膜在Ge(001)襯底上的生長(zhǎng)及電學(xué)性質(zhì)
5.1.1 Er2O3薄膜在Ge(001)襯底上的生長(zhǎng)
5.1.2 溫度薄膜生長(zhǎng)的影響
5.1.3 溫度對(duì)薄膜電學(xué)性質(zhì)的影響
5.2 Er2O3／Ge的能帶偏移
5.3 Er2O3薄膜的局域電學(xué)性質(zhì)及退火對(duì)其影響
5.3.1 Er2O3薄膜的形貌與局域電學(xué)性質(zhì)
5.3.2 氧氣氛退火對(duì)薄膜局域電學(xué)性質(zhì)的影響
5.3.3 氮?dú)夥胀嘶饘?duì)薄膜局域電學(xué)性質(zhì)的影響
5.3.4 退火前后形貌特征
5.3.5 Er2O3薄膜的局域組分、結(jié)構(gòu)與電學(xué)性質(zhì)的關(guān)系
參考文獻(xiàn)
書(shū)單推薦
