譯者前言
中文版前言
符號表
第1章 前言
　1.1 光伏的歷史發(fā)展
第2章 太陽輻射——光伏能源
　2.1 輻射源太陽與輻射接收者地球
　2.2 太陽——黑體輻射
　2.3 地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章 用于光伏能量轉換的半導體材料
　3.1 固體吸收電磁輻射
　3.2 光伏極限轉換效率
　3.3 輻射吸收導致載流子生成
　3.4 太陽電池的半導體技術基礎
　3.5 勻質半導體材料中的剩余載流子特征

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中文版前言
符號表
第1章 前言
　1.1 光伏的歷史發(fā)展
第2章 太陽輻射——光伏能源
　2.1 輻射源太陽與輻射接收者地球
　2.2 太陽——黑體輻射
　2.3 地球日照輻射的功率與光譜分布
第3章 用于光伏能量轉換的半導體材料
　3.1 固體吸收電磁輻射
　3.2 光伏極限轉換效率
　3.3 輻射吸收導致載流子生成
　3.4 太陽電池的半導體技術基礎
　3.5 勻質半導體材料中的剩余載流子特征
　3.6 分離激發(fā)剩余載流子的方法
　3.7 反射損失
第4章 太陽電池的晶態(tài)半導體材料基礎
　4.1 太陽電池中的半導體二極管
　4.2 晶體太陽電池的基本模型
　4.2.1 電子電流
　4.2.2 空穴電流
　4.2.3 總電流
　4.2.4 光譜靈敏度
　4.3 標準光譜照射
　4.4 太陽電池的技術參數(shù)
　4.5 晶體太陽電池的等效電路圖
　4.6 硅二極管太陽電池的極限轉換效率
第5章 單晶硅太陽電池
　5.1 關于光譜靈敏度的討論
　5.2 發(fā)電特性的溫度特性
　5.3 改進型單晶硅太陽電池的參數(shù)
　5.4 晶體培育
　5.5 制備
　5.6 高功率太陽電池
　5.7 航天應用中的太陽電池特性退化現(xiàn)象(即輻射損傷)
第6章 多晶硅太陽電池
　6.1 SGS太陽能級硅生產原料的制備
　6.2 新型硅精煉工藝
　6.3 多晶硅模塊鑄造法
　6.4 多晶硅中的晶界模型
　6.4.1 光譜剩余載流子密度的計算
　6.4.2 單一微晶體中光電流密度的二維邊界值問題
　6.5 光譜靈敏度與光電流密度的計算
　6.6 制備
第7章 化合物半導體太陽電池
　7.1 太陽電池材料硅和砷化鎵的對比
　7.2 具有AlGaAs窗口層的GaAs太陽電池
　7.3 AlGaAs／GaAs太陽電池的模型計算
　7.4 晶體培育
　7.5 GaAs太陽電池的液相外延生長
　7.6 制備GaAs太陽電池的LPE工藝流程
　7.7 用于制備薄膜結構的III／V族半導體氣相外延技術
　7.8 III／V族半導體材料的疊層結構太陽電池
　7.9 III／V族化合物半導體太陽電池的聚光技術
第8章 非晶硅薄膜太陽電池
　8.1 非晶硅特性
　8.2 非晶硅的摻雜
　8.3 a—Si：H太陽電池的物理模型
　8.3.1 暗電流
　8.3.2 光電流
　8.4 制備
　8.5 如何減小光退化效應
　8.6 a—Si：H太陽電池的生產制備
第9章 其他類型太陽電池
　9.1 晶體硅雙面光敏MIS太陽電池
　9.2 銅銦雙硒太陽電池
　9.3 a—Si：H／c—Si太陽電池
　9.4 球型太陽電池
　9.5 有機半導體太陽電池
　9.5.1 有機分子半導體
　9.5.2 有機材料太陽電池
　9.5.3 染料太陽電池
　9.6 第三代太陽電池
第10章 展望
附錄A 計算與表格
　A.1 計算極限轉換率的積分解法
　A.2 擴散方程的求解
　A.3 標準光譜AMl.5
　A.4 T=300 K下的硅材料吸收系數(shù)
附錄B 習題
　習題2.1 歐洲不同地點的AM值
　習題2.2 估算太陽常數(shù)E0
　習題2.3 估算柏林地區(qū)的AM(1.5)值
　習題2.4 太陽日常軌道以及柏林地區(qū)所處黃道面上接受的太陽輻射強度和太陽能量的日均及年均量
　習題3.1 丹伯太陽電池
　習題3.2 載流子擴散微分方程的二維數(shù)值解
　習題3.3 在陽光照射條件下，尺寸為B×H的p型硅片內的電子分布△n(x，y)偏微分方程的解析解
　習題5.1 硅太陽電池分析
　習題5.01 發(fā)電特性曲線測量
　習題5.02 光譜靈敏度測量
　習題5.03 測量太陽電池的空間電荷區(qū)電容
　習題5.04 利用兩種不同照射強度E1和E2下測得的短路電流Ipk(E)和開路電壓UL(E)確定二極管反向飽和電流I0
　習題5.05 根據(jù)先前確定的反向飽和電流I0曲線上開路點UL=U(I=0)的斜率計算寄生串聯(lián)電阻Rs
　習題5.06 根據(jù)先前確定的Rs，通過反向飽和電流I0曲線上短路點Ik=I(U=0)的斜率計算寄生并聯(lián)電阻Rp
　習題5.07 計算基底和發(fā)射極內的載流子擴散系數(shù)
　習題5.08 基底內少數(shù)載流子的擴散長度
　習題5.09 計算較高摻雜區(qū)中的擴散長度
　習題5.10 外量子效率Qext(γ)的測量與模擬
　習題5.11 使用半導體參數(shù)模擬發(fā)電特性曲線I(U)
　習題7.1 六層太陽電池的極限轉換率
附錄C 實踐練習
　C1 柏林工業(yè)大學的硅太陽電池簡易工藝
　C2 利用簡易材料制作染料太陽電池
參考文獻
索引