本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介紹了MOSFET器件電學(xué)特性測(cè)試平臺(tái)、測(cè)試模式和測(cè)試流程；分別介紹了MOSFET器件電學(xué)特性如C-V、轉(zhuǎn)移特性和輸出特性的測(cè)量方法；深入介紹了MOSFET模型參數(shù)提取的實(shí)驗(yàn)步驟和使用流程；介紹了MOSFET射頻模型參數(shù)提取方法和使用流程；并介紹了GaN器件模型參數(shù)提取方法和使用流程。