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AlN/GaN基背入射式金屬-半導體-金屬紫外探測器研究
光電傳感器是太空探索、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)和人們日常生活中常見的一種元件。隨著我國對于太空探索的不斷深入、工業(yè)自動化程度的不斷提高,對于光電器件性能的要求越來越高。本書從理論和實踐兩方面出發(fā),首先提出了一種基于AlNGaN的背入射式3D結構紫外探測器。采用半導體仿真軟件分析了AlNGaN基3D結構器件各參數(shù)對器件性能的影響規(guī)律。第二部分,采用實驗方法,制備了不同結構參數(shù)的3D器件,并對各器件進行性能測試。最后,結合實驗結果和仿真結果分析,得到了影響3D結構器件性能的一般規(guī)律。本書研究結果為光電器件設計和應用提供了借鑒,促進光電器件的發(fā)展。
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