脈沖功率技術(shù)在軍事和工業(yè)的眾多領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用。脈沖功率開(kāi)關(guān)是脈沖功率系統(tǒng)的核心器件之一，由于半導(dǎo)體器件具有體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，脈沖功率開(kāi)關(guān)出現(xiàn)了半導(dǎo)體化的趨勢(shì)。本書(shū)首先對(duì)脈沖功率開(kāi)關(guān)的發(fā)展歷程進(jìn)行了總體概述，然后分別論述了電流控制型器件(具體包括GTO晶閘管、GCT和IGCT、非對(duì)稱(chēng)晶閘管)和電壓控制型器件(具體包括功率MOSFET、IGBT、SITH)的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性參數(shù)、封裝技術(shù)、可靠性及其在脈沖功率系統(tǒng)中的應(yīng)用，特別討論了幾種新型專(zhuān)門(mén)用于脈沖功率領(lǐng)域的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(包括反向開(kāi)關(guān)晶體管、半導(dǎo)體斷路開(kāi)關(guān)、漂移階躍恢復(fù)二極管、光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)和快速離化晶體管)的機(jī)理模型和實(shí)際運(yùn)用等問(wèn)題，論述了部分新型碳化硅基器件，最后闡述了脈沖功率應(yīng)用技術(shù)。