第1章 電化學(xué)測(cè)試基礎(chǔ) 001
1.1 電化學(xué)原理概述 002
1.2 電化學(xué)測(cè)量基礎(chǔ) 004
1.2.1 電極電位測(cè)量方法 004
1.2.2 極化電流測(cè)量方法 005
1.3 交流阻抗基礎(chǔ) 006
1.3.1 基本元件及其阻抗特性 006
1.3.2 復(fù)合元件及其阻抗特性 007
1.3.3 其他等效電路元件及其阻抗特性010
1.4 交流阻抗測(cè)量方法 014
1.4.1 直接比較法015
1.4.2 電橋法015
1.4.3 李沙育圖形法016
1.4.4 快速傅里葉變換法017
1.4.5 頻率響應(yīng)分析法017
1.4.6 高頻阻抗測(cè)試中的二次采樣技術(shù)018

第2章 電化學(xué)分析測(cè)試系統(tǒng) 019
2.1 電化學(xué)工作站簡(jiǎn)介 020
2.1.1 系統(tǒng)組成與結(jié)構(gòu) 020
2.1.2 主要性能與技術(shù)指標(biāo)021
2.1.3 系統(tǒng)軟件 022
2.1.4 圖形顯示設(shè)置 024
2.1.5 濾波器等設(shè)置 024
2.1.6 特殊的數(shù)值表示法 024
2.2 恒電位/恒電流控制技術(shù)025
2.2.1 控制電位/電流的經(jīng)典方法 026
2.2.2 恒電位控制技術(shù) 026
2.2.3 恒電流控制技術(shù) 028
2.3 運(yùn)算放大器概述029
2.3.1 運(yùn)算放大器簡(jiǎn)介 029
2.3.2 運(yùn)算放大器的功能031
2.3.3 恒電位儀的原理 040
2.4 嵌入式微型化電化學(xué)集成電路模塊045
2.4.1 EmStat pico 芯片簡(jiǎn)介 045
2.4.2 EmStat pico 開(kāi)發(fā)板 046
2.5 電化學(xué)工作站的發(fā)展概況048
2.5.1 多通道電化學(xué)工作站 048
2.5.2 便攜式電化學(xué)工作站 049
2.5.3 手機(jī)電化學(xué)工作站 050

第3章 電化學(xué)實(shí)驗(yàn)技術(shù) 051
3.1 電解池技術(shù)052
3.1.1 電解池構(gòu)型與設(shè)計(jì) 052
3.1.2 三電極系統(tǒng) 054
3.1.3 鹽橋及Luggin 毛細(xì)管 055
3.1.4 電解質(zhì)溶液 058
3.1.5 電解液的電位窗口061
3.1.6 電解液除氧061
3.2 參比電極簡(jiǎn)介062
3.2.1 標(biāo)準(zhǔn)氫電極 063
3.2.2 甘汞電極 064
3.2.3 硫酸亞汞電極 065
3.2.4 氧化汞電極 066
3.2.5 氯化銀電極 066
3.2.6 特殊參比電極 067
3.3 工作電極與制作方法069
3.3.1 指示電極 069
3.3.2 工作電極的制作 072
3.3.3 工作電極的表面處理 075
3.3.4 電極的表面積 075
3.4 碳電極 077
3.4.1 石墨電極 078
3.4.2 碳糊電極 079
3.4.3 玻碳電極 079
3.4.4 熱解石墨電極 080
3.4.5 碳纖維電極 080
3.4.6 納米碳電極 080
3.4.7 類(lèi)金剛石薄膜碳電極081
3.5 超微電極 081
3.5.1 常規(guī)UME 083
3.5.2 陣列電極 083
3.5.3 納米電極 084
3.6 多方式汞電極與極譜法 084
3.6.1 滴汞電極與極譜 085
3.6.2 懸汞電極 087
3.6.3 汞膜電極 088
3.7 旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極技術(shù) 089
3.7.1 旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極 089
3.7.2 旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)-環(huán)盤(pán)電極 093
3.8 絲網(wǎng)印刷電極 095
3.9 溶出分析技術(shù) 095

第4章 計(jì)時(shí)法 097
4.1 方法1——開(kāi)路電位法 098
4.1.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 098
4.1.2 相關(guān)理論基礎(chǔ) 099
4.1.3 應(yīng)用示例 099
4.2 方法2——單電位階躍電流-時(shí)間曲線法 100
4.2.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 101
4.2.2 相關(guān)基礎(chǔ)理論102
4.2.3 應(yīng)用示例105
4.3 方法3*——控制電位整體電解庫(kù)侖法 108
4.4 方法4——雙電位階躍計(jì)時(shí)安培法109
4.4.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 110
4.4.2 相關(guān)理論基礎(chǔ) 111
4.4.3 應(yīng)用示例 112
4.5 方法5*——計(jì)時(shí)庫(kù)侖法113
4.6 方法6*——多電位階躍計(jì)時(shí)電流法115
4.7 方法7——單電流階躍電位-時(shí)間曲線法116
4.7.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 117
4.7.2 相關(guān)基礎(chǔ)理論 118
4.7.3 應(yīng)用示例 119
4.8 方法8——雙電流階躍計(jì)時(shí)電位法121
4.8.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置122
4.8.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)123
4.8.3 應(yīng)用示例125
4.9 方法9*——多電流階躍計(jì)時(shí)電位法127
4.10 方法10——線性電流計(jì)時(shí)電位法128
4.10.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置128
4.10.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)130
4.10.3 應(yīng)用示例——測(cè)定電池極化曲線130
4.11 方法11*——電位溶出分析法131
4.12 方法12*——差分脈沖安培法132
4.13 方法13*——雙差分脈沖安培法134
4.14 方法14*——三脈沖安培法135
4.15 方法15——電化學(xué)噪聲法137
4.15.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置137
4.15.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)138

第5章 電位掃描伏安法 143
5.1 方法16——線性電位掃描伏安法144
5.1.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置145
5.1.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)146
5.1.3 應(yīng)用示例150
5.2 方法17——循環(huán)伏安法152
5.2.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置153
5.2.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)154
5.2.3 串聯(lián)反應(yīng)的CV 行為——理論模擬156
5.2.4 應(yīng)用示例159
5.3 方法18——階梯伏安法 172
5.3.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置173
5.3.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)174
5.3.3 應(yīng)用示例176
5.4 方法19——塔菲爾曲線法 176
5.4.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置177
5.4.2 塔菲爾曲線的特點(diǎn)178
5.4.3 應(yīng)用示例179
5.5 方法20*——掃描-階躍函數(shù)法 180
5.6 方法21——流體力學(xué)調(diào)制伏安法 181
5.6.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置182
5.6.2 應(yīng)用示例182
5.7 方法22——半微積分方法 185
5.7.1 半微積分的定義185
5.7.2 半積分電流的數(shù)值計(jì)算方法186
5.7.3 半積分電流的轉(zhuǎn)換電路187

第6章 電位調(diào)制伏安法 189
6.1 方法23——常規(guī)脈沖伏安法 190
6.1.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置190
6.1.2 相關(guān)理論基礎(chǔ) 191
6.1.3 應(yīng)用示例193
6.2 方法24*——差分常規(guī)脈沖伏安法 195
6.3 方法25——差分脈沖伏安法 196
6.3.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置196
6.3.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)198
6.3.3 應(yīng)用示例201
6.4 方法26——方波伏安法 202
6.4.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 203
6.4.2 相關(guān)理論基礎(chǔ) 204
6.4.3 應(yīng)用示例 206
6.5 方法27——交流伏安法206
6.5.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 207
6.5.2 相關(guān)理論基礎(chǔ) 208
6.5.3 應(yīng)用示例 211
6.6 方法28*——選相交流伏安法213
6.7 方法29——二次諧波交流伏安法214
6.7.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置215
6.7.2 相關(guān)理論基礎(chǔ)與應(yīng)用216
6.8 方法30——傅里葉變換交流伏安法217
6.8.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置217
6.8.2 應(yīng)用示例219
6.9 方法31*——積分脈沖安培法220

第7章 交流阻抗法 222
7.1 方法32——阻抗-頻率法223
7.1.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 223
7.1.2 交流阻抗測(cè)量中的注意事項(xiàng) 226
7.1.3 應(yīng)用示例 228
7.2 方法33——阻抗-電位法239
7.2.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置 239
7.2.2 相關(guān)理論基礎(chǔ) 240
7.2.3 應(yīng)用示例 244
7.3 方法34——阻抗-時(shí)間法251
7.3.1 常見(jiàn)測(cè)試界面及參數(shù)設(shè)置251
7.3.2 應(yīng)用示例 252

附錄 EIS 阻抗擬合軟件簡(jiǎn)介 254
一、概述255
二、ZView 軟件簡(jiǎn)介255
三、EIS Spectrum Analyser 軟件簡(jiǎn)介259

參考文獻(xiàn) 268