目錄
叢書序
前言
第1章緒論1
1.1引言1
1.2空間輻射環(huán)境與效應1
1.2.1空間輻射環(huán)境1
1.2.2空間輻射效應3
1.3納米器件與工藝5
1.3.1新材料5
1.3.2新結(jié)構(gòu)6
1.3.3新工藝7
1.4納米工藝材料、器件和電路空間輻射效應研究現(xiàn)狀8
1.4.1納米工藝材料空間輻射效應8
1.4.2納米器件空間輻射效應9
1.4.3納米電路空間輻射效應11
1.5本章小結(jié)12
參考文獻13
第2章先進半導體材料的輻射效應17
2.1引言17
2.2荷能離子在固體中主要的能量損失方式17
2.3材料輻射損傷類型、形成機理及實驗表征方法20
2.3.1材料輻射損傷類型及形成機理20
2.3.2材料微觀輻射損傷實驗表征方法28
2.4典型器件材料的輻射效應30
2.4.1硅材料輻射效應30
2.4.2寬禁帶半導體材料輻射效應30
2.4.3低維材料輻射效應41
2.4.4高K材料輻射效應51
2.5粒子在材料中能量沉積和輻射損傷的計算機模擬方法58
2.5.1粒子在材料中能量沉積的蒙特卡羅模擬方法58
2.5.2粒子在材料中輻射損傷的分子動力學模擬方法62
2.6本章小結(jié)67
參考文獻67
第3章納米器件總劑量效應與可靠性76
3.1引言76
3.2總劑量效應概述76
3.3納米MOSFET器件總劑量效應78
3.3.1總劑量效應對納米MOSFET器件電學參數(shù)的影響78
3.3.2納米MOSFET器件總劑量效應關(guān)鍵影響區(qū)域82
3.3.3多變量對納米MOSFET器件總劑量效應的影響84
3.4納米MOSFET器件長期可靠性99
3.4.1經(jīng)時擊穿效應99
3.4.2熱載流子注入效應101
3.4.3偏置溫度不穩(wěn)定效應102
3.4.4總劑量效應與電應力耦合作用104
3.5本章小結(jié)111
參考文獻112
第4章納米器件單粒子效應115
4.1引言115
4.2單粒子效應概述115
4.2.1單粒子效應實驗技術(shù)116
4.2.2單粒子效應仿真技術(shù)117
4.3納米存儲器單粒子多位翻轉(zhuǎn)118
4.3.1納米存儲器單粒子多位翻轉(zhuǎn)實驗技術(shù)118
4.3.2納米存儲器單粒子多位翻轉(zhuǎn)的影響因素124
4.4納米組合邏輯電路單粒子多瞬態(tài)154
4.4.1納米組合邏輯電路單粒子多瞬態(tài)實驗技術(shù)154
4.4.2納米組合邏輯電路單粒子多瞬態(tài)的影響因素156
4.5本章小結(jié)187
參考文獻187
第5章納米電路單粒子效應時空特征分析與加固193
5.1引言193
5.2單粒子效應時空特征193
5.2.1單粒子效應時空特征的內(nèi)涵194
5.2.2單粒子效應時空特征的測量方法194
5.3納米電路單粒子效應的時間特征195
5.3.1單粒子效應時間特征測試結(jié)構(gòu)與方法195
5.3.2單粒子效應時間特征測試結(jié)果及分析197
5.4納米電路單粒子效應的空間特征200
5.4.1單粒子效應空間特征測試結(jié)構(gòu)與方法200
5.4.2單粒子效應空間特征測試結(jié)果201
5.4.3單粒子效應空間特征分析206
5.5考慮單粒子加固的納米電路多目標優(yōu)化方法210
5.5.1基于貝葉斯優(yōu)化的時序電路多目標尋優(yōu)框架211
5.5.2組合電路多目標優(yōu)化加固方法222
5.6本章小結(jié)232
參考文獻233
第6章重離子輻照實驗技術(shù)236
6.1引言236
6.2重離子輻照實驗技術(shù)概述236
6.2.1聚焦型重離子微束輻照238
6.2.2針孔型重離子微束輻照239
6.2.3重離子寬束輻照241
6.3重離子微束輻照實驗的關(guān)鍵技術(shù)和實驗方法243
6.3.1輻照平臺搭建243
6.3.2單粒子瞬態(tài)測試技術(shù)248
6.3.3單離子輻照實驗方法251
6.4重離子輻照實驗技術(shù)的應用254
6.4.1重離子微束輻照實驗技術(shù)的應用254
6.4.2重離子寬束輻照實驗技術(shù)的應用263
6.5新型“微束”——二次粒子敏感區(qū)定位270
6.5.1概述270
6.5.2IPEM研究271
6.6本章小結(jié)277
參考文獻277