第一章  緒論
1.1  晶體管的發(fā)明
1.2  集成電路的發(fā)展歷史
1.3  集成電路的分類(lèi)
1.3.1  按器件結(jié)構(gòu)類(lèi)型分類(lèi)
1.3.2  按集成電路規(guī)模分類(lèi)
1.3.3  按結(jié)構(gòu)形式分類(lèi)
1.3.4  按電路功能分類(lèi)
1.3.5  集成電路的分類(lèi)小結(jié)
1.4  微電子學(xué)的特點(diǎn)
第二章  半導(dǎo)體物理和器件物理基礎(chǔ)
2.1  半導(dǎo)體及其基本特性
2.1.1  金屬-半導(dǎo)體-絕緣體
2.1.2  半導(dǎo)體的摻雜
2.2  半導(dǎo)體中的載流子
2.2.1  半導(dǎo)體中的能帶
2.2.2  多子和少子的熱平衡
2.2.3  電子的平衡統(tǒng)計(jì)規(guī)律
2.3  半導(dǎo)體的電導(dǎo)率和載流子輸運(yùn)
2.3.1  遷移率
2.3.2  過(guò)剩載流子
2.4  pn結(jié)
2.4.1  平衡pn結(jié)
2.4.2  pn結(jié)的正向特性
2.4.3  pn結(jié)的反向特性
2.4.4  pn結(jié)的擊穿
2.4.5  pn結(jié)的電容
2.5  雙極晶體管
2.5.1  雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)
2.5.2  晶體管的電流傳輸
2.5.3  晶體管的電流放大系數(shù)
2.5.4  晶體管的直流特性曲線(xiàn)
2.5.5  晶體管的反向電流與擊穿電壓
2.5.6  晶體管的頻率特性
2.6  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2.6.1  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)
2.6.2  MIS結(jié)構(gòu)
2.6.3  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的直流特性
2.6.4  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類(lèi)
2.6.5  MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電容
第三章  大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)
3.1  半導(dǎo)體集成電路概述
3.2  CMOS集成電路基礎(chǔ)
3.2.1  集成電路中的MOSFET
3.2.2  MOS數(shù)字集成電路
3.2.3  CMOS集成電路
3.3  半導(dǎo)體存儲(chǔ)器集成電路
3.3.1  存儲(chǔ)器的種類(lèi)和基本結(jié)構(gòu)
3.3.2  隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）
3.3.3  掩模只讀存儲(chǔ)器（ROM）
……
第四章  集成電路制造工藝
第五章  半導(dǎo)體材料
第六章  集成電路設(shè)計(jì)
第七章  集成電路設(shè)計(jì)的EDA系統(tǒng)
第八章  系統(tǒng)芯片（SOC）設(shè)計(jì)
第九章  光電子器件
第十章  微機(jī)電系統(tǒng)
第十一章  集成電路封裝
第十二章  微電子技術(shù)發(fā)展的規(guī)律和趨勢(shì)
附錄A
附錄B