本書從集成電路器件可靠性問題出發(fā)，具體闡述了輻射環(huán)境、輻射效應(yīng)、軟錯誤和仿真工具等背景知識，詳細介紹了抗輻射加固設(shè)計（RHBD）技術(shù)以及在該技術(shù)中常用的相關(guān)組件，重點針對表決器、鎖存器、主從觸發(fā)器和靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）單元介紹了經(jīng)典的和新穎的RHBD技術(shù)，扼要描述了相關(guān)實驗并給出了容錯性能和開銷對比分析。本書共分為6章，分別為緒論、常用的抗輻射加固設(shè)計技術(shù)及組件、表決器的抗輻射加固設(shè)計技術(shù)、鎖存器的抗輻射加固設(shè)計技術(shù)、主從觸發(fā)器的抗輻射加固設(shè)計技術(shù)以及SRAM單元的抗輻射加固設(shè)計技術(shù)。通過學(xué)習(xí)本書內(nèi)容，讀者可以強化對集成電路器件抗輻射加固設(shè)計技術(shù)的認知，了解該領(lǐng)域的當(dāng)前**研究成果和相關(guān)技術(shù)。

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