第1章 概況 1.1研究背景 1.1.1技術(shù)發(fā)展概況 1.1.2產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀 1.1.3產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì) 1.2研究對(duì)象和方法 1.2.1研究對(duì)象 1.2.2研究方法 1.2.3相關(guān)事項(xiàng)和約定 第2章 專利壁壘指數(shù)模型研究 2.1研究意義 2.2研究對(duì)象 2.3研究?jī)?yōu)勢(shì) 2.4專利壁壘指數(shù)模型 2.4.1建立流程 2.4.2相關(guān)因素 第3章 高端光刻機(jī)全球競(jìng)爭(zhēng)情報(bào)分析 3.1高端光刻機(jī)專利總體競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì) 3.1.1總體申請(qǐng)趨勢(shì) 3.1.2原創(chuàng)目標(biāo)國(guó)家地區(qū)專利申請(qǐng)分布 3.1.3重要申請(qǐng)人分析 3.2全球科技文獻(xiàn)技術(shù)情報(bào)分析 3.3各領(lǐng)域申請(qǐng)趨勢(shì)及布局趨勢(shì)分析 3.3.1曝光系統(tǒng) 3.3.2工件臺(tái)及測(cè)量系統(tǒng) 3.3.3環(huán)境與真空 3.4ASML專利分析 3.4.1ASML成長(zhǎng)經(jīng)歷 3.4.2ASML專利申請(qǐng)與布局 3.4.3ASML科技文獻(xiàn)信息分析 3.5中國(guó)申請(qǐng)人專利分析 3.5.1專利申請(qǐng)趨勢(shì)分析 3.5.2申請(qǐng)人構(gòu)成分析 3.5.3申請(qǐng)人的各技術(shù)分支申請(qǐng)分布 3.5.4重要申請(qǐng)人分析 3.6本章小結(jié) 第4章 EUV光源專利分析 4.1EUV光源技術(shù)介紹 4.2專利競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析 4.2.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì) 4.2.2專利區(qū)域分布 4.2.3重要申請(qǐng)人分析 4.3技術(shù)路線分析 4.3.1提高轉(zhuǎn)換效率 4.3.2減少污染 4.3.3提高穩(wěn)定性 4.4重要專利技術(shù)介紹 4.5全球科技文獻(xiàn)情報(bào)分析 4.5.1EUV光源提高轉(zhuǎn)換效率 4.5.2防止EUV光源污染 4.5.3提高穩(wěn)定性 4.5.4全球科技文獻(xiàn)情報(bào)分析小結(jié) 4.6技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè) 4.7專利壁壘研究 4.8技術(shù)未來發(fā)展預(yù)測(cè)與中國(guó)技術(shù)發(fā)展路線 4.8.1借鑒G公司準(zhǔn)分子激光器技術(shù)可行性分析 4.8.2人才戰(zhàn)略資源導(dǎo)航 4.8.3專利可利用性淺析 4.9本章小結(jié) 第5章 投影物鏡專利分析 5.1投影物鏡技術(shù)介紹 5.2專利競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)分析 5.2.1申請(qǐng)態(tài)勢(shì) 5.2.2專利區(qū)域分布 5.2.3主要申請(qǐng)人分析 5.3技術(shù)路線分析 5.3.1膜層設(shè)計(jì) 5.3.2多鏡投影物鏡系統(tǒng)整體設(shè)計(jì) 5.4重要專利技術(shù)介紹 5.5全球科技文獻(xiàn)情報(bào)分析 5.6技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)預(yù)測(cè) 5.7投影物鏡專利壁壘研究 5.8反射鏡鍍膜專利技術(shù)的充分利用 5.9本章小結(jié) 第6章 主要結(jié)論和建議 6.1主要結(jié)論 6.2主要建議 附錄 附錄1申請(qǐng)人名稱約定表 附錄2EUV光刻機(jī)重要專利列表 附錄3可被借鑒的部分專利列表 圖索引 表索引