第1章 導(dǎo)論
1.1 計(jì)算凝聚態(tài)物理簡(jiǎn)介
1.1.1 計(jì)算凝聚態(tài)物理的發(fā)展歷程
1.1.2 計(jì)算凝聚態(tài)物理方法概述
1.1.3 計(jì)算凝聚態(tài)物理的發(fā)展趨勢(shì)
1.2 納米材料簡(jiǎn)介
1.2.1 納米材料的發(fā)展簡(jiǎn)介
1.2.2 納米材料的基本性質(zhì)
1.2.3 納米材料的實(shí)驗(yàn)制備
1.3 計(jì)算凝聚態(tài)物理在納米材料設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
1.3.1 分子動(dòng)力學(xué)方法在納米材料科學(xué)中的應(yīng)用
1.3.2 第一性原理方法在納米材料科學(xué)中的應(yīng)用
1.3.3 蒙特卡羅方法在納米材料設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

第2章 蒙特卡羅方法
2.1 蒙特卡羅方法概述
2.1.1 基本思想
2.1.2 理論依據(jù)
2.1.3 蒙特卡羅方法的收斂性與誤差
2.1.4 蒙特卡羅方法的特點(diǎn)
2.1.5 蒙特卡羅方法的主要應(yīng)用范圍
2.2 隨機(jī)數(shù)與偽隨機(jī)數(shù)
2.2.1 隨機(jī)數(shù)的定義及產(chǎn)生方法
2.2.2 偽隨機(jī)數(shù)序列的統(tǒng)計(jì)檢驗(yàn)
2.2.3 偽隨機(jī)數(shù)的問(wèn)題與分析
2.3 任意分布隨機(jī)變量的抽樣
2.3.1 離散型隨機(jī)變量的直接抽樣
2.3.2 連續(xù)型隨機(jī)變量的抽樣
2.4 動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法
2.4.1 KMC方法的基本原理
2.4.2 指數(shù)分布與KMC方法的時(shí)間步長(zhǎng)
2.4.3 躍遷速率的計(jì)算
2.4.4 KMC方法實(shí)現(xiàn)的幾種算法
2.5 蒙特卡羅方法的應(yīng)用
2.5.1 蒙特卡羅方法在統(tǒng)計(jì)物理中的應(yīng)用
2.5.2 基于DLA模型的薄膜生長(zhǎng)的蒙特卡羅模擬

第3章 經(jīng)典分子動(dòng)力學(xué)方法
3.1 分子動(dòng)力學(xué)運(yùn)動(dòng)方程數(shù)值求解
3.2 原胞與邊界條件
3.3 勢(shì)函數(shù)
3.4 分子動(dòng)力學(xué)模擬的基本步驟
3.5 平衡態(tài)分子動(dòng)力學(xué)模擬
3.6 分子動(dòng)力學(xué)模擬實(shí)例

第4章 第一性原理方法
4.1 Born-Oppenheimer絕熱近似
4.2 Hartree-Fock近似
4.3 密度泛函理論
4.3.1 Hohenberg-Kohn定理
4.3.2 Kohn-Sham方程
4.4 交換關(guān)聯(lián)泛函
4.4.1 Slater平均交換勢(shì)
4.4.2 局域密度泛函
4.5 全電子勢(shì)線(xiàn)性綴加平面波方法與平面波贗勢(shì)方法簡(jiǎn)介
4.6 全電子勢(shì)線(xiàn)性綴加平面波方法的計(jì)算實(shí)例與分析

第5章 智能優(yōu)化方法
5.1 智能優(yōu)化方法概述
5.2 遺傳算法
5.2.1 遺傳算法的基本思想
5.2.2 遺傳算法的算法流程
5.2.3 遺傳算法的特點(diǎn)
5.3 模擬退火算法
5.3.1 模擬退火算法的基本原理
5.3.2 模擬退火算法的流程
5.3.3 模擬退火算法關(guān)鍵參數(shù)和操作的設(shè)計(jì)
5.4 模擬退火算法優(yōu)化硅納米線(xiàn)結(jié)構(gòu)

第6章 格林函數(shù)方法
6.1 格林函數(shù)及兩種表象
6.1.1 格點(diǎn)表象
6.1.2 混合表象
6.2 兩種表象之間的轉(zhuǎn)換
6.2.1 表象之間的轉(zhuǎn)換關(guān)系
6.2.2 遞歸格林函數(shù)方法
6.3 格林函數(shù)的應(yīng)用實(shí)例

第7章 納米團(tuán)簇的結(jié)構(gòu)與性能設(shè)計(jì)
7.1 金屬和半導(dǎo)體納米團(tuán)簇
7.1.1 金屬納米團(tuán)簇
7.1.2 半導(dǎo)體納米顆粒
7.2 過(guò)渡金屬合金納米團(tuán)簇
7.2.1 合金納米顆粒結(jié)構(gòu)
7.2.2 原子分離情況研究

第8章 碳納米管復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)與性能設(shè)計(jì)
8.1 碳納米管簡(jiǎn)介
8.1.1 單壁碳納米管的幾何結(jié)構(gòu)
8.1.2 碳納米管的穩(wěn)定性
8.1.3 碳納米管復(fù)合體系
8.2 碳納米管的熔化與預(yù)熔化
8.2.1 納米體系熔化判據(jù)
8.2.2 標(biāo)準(zhǔn)碳納米管的熔化
8.2.3 缺陷對(duì)碳納米管預(yù)熔化的影響
8.2.4 結(jié)論
8.3 碳納米管填充金屬納米線(xiàn)的結(jié)構(gòu)特性與熱穩(wěn)定性
8.3.1 細(xì)小金屬納米線(xiàn)的殼層螺旋結(jié)構(gòu)
8.3.2 （8，8）碳納米管內(nèi)Au納米線(xiàn)的殼層螺旋結(jié)構(gòu)
8.3.3 （8，8）碳納米管內(nèi)Au納米線(xiàn)的熱穩(wěn)定性
8.3.4 不同類(lèi)型碳納米管內(nèi)Au納米線(xiàn)的熱穩(wěn)定性比較
8.4 Si納米顆粒在碳納米管表面的生長(zhǎng)
8.4.1 分子動(dòng)力學(xué)模擬參數(shù)與勢(shì)模型
8.4.2 超小Si納米顆粒（10≤n≤30）
8.4.3 小Si納米顆粒（n=60，123，191）
8.4.4 大Si納米顆粒（n=281，417）

第9章 石墨烯納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)與形貌控制
9.1 石墨烯的結(jié)構(gòu)與特征
9.2 碳化硅（SiC）晶體表面石墨烯納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)
9.2.1 計(jì)算方法和模型
9.2.2 6H-SiC（0001）表面石墨烯的生長(zhǎng)與形貌演化
9.3 碳化硅（SiC）晶體表面石墨烯納米結(jié)構(gòu)形貌的動(dòng)力學(xué)模擬
9.3.1 計(jì)算方法與模型
9.3.2 碳化硅晶體表面石墨烯納米薄膜的結(jié)構(gòu)形貌
9.3.3 SiC晶體表面石墨烯納米條帶的褶皺形貌：溫度與尺寸效應(yīng)

第10章 石墨烯納米條帶電子輸運(yùn)的調(diào)控
10.1 石墨烯及氮化硼納米條帶
10.2 復(fù)合結(jié)構(gòu)對(duì)石墨烯及氮化硼納米條帶電子輸運(yùn)的調(diào)制效應(yīng)
10.3 褶皺對(duì)石墨烯納米條帶電子輸運(yùn)的調(diào)制效應(yīng)
第n章 二維納米材料的電子性質(zhì)調(diào)控
11.1 缺陷對(duì)石墨烯電子性質(zhì)的調(diào)控
11.1.1 缺陷的產(chǎn)生和分類(lèi)
11.1.2 缺陷對(duì)電子態(tài)的調(diào)控
11.2 應(yīng)變對(duì)石墨烯電子結(jié)構(gòu)的調(diào)制效應(yīng)
11.2.1 計(jì)算方法與模型
11.2.2 無(wú)應(yīng)變下Graphene的電子結(jié)構(gòu)
11.2.3 對(duì)稱(chēng)應(yīng)變下Graphene的電子結(jié)構(gòu)
11.3 應(yīng)變對(duì)二維BN電子結(jié)構(gòu)的調(diào)制效應(yīng)
11.3.1 空間結(jié)構(gòu)
11.3.2 電子結(jié)構(gòu)

第12章 低維納米材料的摻雜效應(yīng)
12.1 石墨烯的發(fā)現(xiàn)及其研究現(xiàn)狀
12.2 3d過(guò)渡金屬在單層石墨烯表面的吸附
12.2.1 計(jì)算方法和理論模型
12.2.2 石墨烯吸附3d過(guò)渡金屬研究
12.3 摻雜對(duì)雙層石墨烯結(jié)構(gòu)和性能的影響
12.3.1 理論模型和計(jì)算方法
12.3.2 Au摻雜雙層石墨烯量子結(jié)構(gòu)
12.3.3 分區(qū)摻雜的可行性
12.4 碳納米管中3d過(guò)渡金屬摻雜的能帶特征

第13章 新型石墨烯納米結(jié)構(gòu)的電聲子輸運(yùn)
13.1 不對(duì)稱(chēng)T型石墨納米帶的不對(duì)稱(chēng)輸運(yùn)特性
13.2 Z型石墨納米帶中的共振輸運(yùn)和量子束縛態(tài)
13.3 周期T型石墨納米帶中的聲子共振劈裂
13.4 鋸齒型同位素超晶格石墨納米帶的熱輸運(yùn)