前言
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電能變換裝置的核心部件,在航空航天、電磁發(fā)射、海上運輸、軌道交通、新能源發(fā)電等軍事、經濟領域得到廣泛應用,具有不可替代的地位和作用。因此,提高電能變換裝置可靠性與IGBT器件疲勞失效之間的矛盾日益凸顯,已成為當前研究的首要任務。IGBT疲勞失效按照其失效部位分為芯片疲勞失效和封裝疲勞失效。當前,針對IGBT芯片疲勞失效的健康狀態(tài)監(jiān)測與可靠性評估研究基本處于空白,而針對封裝疲勞失效的健康狀態(tài)監(jiān)測與可靠性評估研究國內外已具備一定基礎,在封裝疲勞失效與外部特征量關系方面做了一些探索,但未形成確定結論,未能清楚分析IGBT疲勞失效的機理,未能建立準確有效的健康狀態(tài)監(jiān)測方法。本書通過詳細分析IGBT芯片與封裝疲勞失效機理,在研究失效特征量隨疲勞老化時間變化規(guī)律的基礎上,通過將理論分析與解析描述相結合,建立了IGBT相關電氣特征量的健康狀態(tài)監(jiān)測方法,對處于不同壽命階段的IGBT器件健康狀態(tài)進行有效評估?本書主要研究內容與成果包括:
1)對IGBT器件芯片相關疲勞失效機理和芯片疲勞后IGBT電氣特性變異規(guī)律進行了深入分析,得出芯片疲勞相關的特征量及其變化機理。
2)對IGBT器件封裝相關疲勞失效機理和封裝疲勞后IGBT外部表征演變規(guī)律進行了深入分析,得出封裝疲勞相關的特征量及其變化機理。
3)基于芯片疲勞失效機理,通過將理論分析與解析描述相結合,建立了基于芯片疲勞的閾值電壓?集電極漏電流和關斷時間的健康狀態(tài)監(jiān)測方法,通過該方法可以對IGBT芯片疲勞程度進行有效評估。
4)基于封裝疲勞失效機理,通過建模與分析,建立了基于封裝疲勞的熱阻、集射極飽和壓降和結溫的健康狀態(tài)監(jiān)測方法,通過該方法可以對IGBT封裝疲勞程度進行有效評估。
本書的框架制定?章節(jié)編排和全書統(tǒng)稿由肖飛教授負責,第7章中的7.1.1節(jié)由羅毅飛研究員編寫,第5章中的5.4節(jié)和5.5.3節(jié)由黃永樂老師編寫,其余內容由劉賓禮老師編寫。
本書可作為從事電力電子技術理論與工程的技術人員的參考書,也可作為電力電子與電力傳動專業(yè)的本科生?碩士和博士研究生以及從事電力電子器件方面研究的師生與研究人員的參考書。
感謝尊敬的馬偉明院士為我們營造了良好的學習環(huán)境和學術氛圍,使我們能夠潛心研究?專注科研;感謝團隊和課題組全體成員在本書內容開展研究過程中給予的支持;感謝唐勇、汪波和陳明老師在編寫第1章緒論過程中提供的幫助;感謝國家自然科學基金重大項目電力電子器件及其組合混雜系統(tǒng)多時間尺度的動力學表征(編號:51490681)、國家重點基礎研究發(fā)展計劃973項目大功率全控型電力電子器件失效機理及盡限應用(編號:2015CB2510004)和國家自然科學基金青年項目IGBT芯片疲勞失效機理及其健康狀態(tài)監(jiān)測方法研究(編號:51507185)對本書的資助。
由于作者水平有限,書中難免存在不妥之處,歡迎廣大讀者提出寶貴意見與建議。
序
在國家大力發(fā)展清潔能源,提倡高效、節(jié)能、環(huán)保的戰(zhàn)略背景下,在國防武器裝備跨越式發(fā)展的重大需求下,各個行業(yè)和領域迫切需要高質量、高效率的電能。電力電子技術是一門依靠電力電子器件實現(xiàn)電能高效存儲、變換與控制的學科,是將一次能源變換為人類所需要的電能并實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保的重要手段。它是弱電控制強電、信息技術與制造技術、傳統(tǒng)產業(yè)自動化與智能化改造以及高科技產業(yè)之間不可缺少的重要橋梁,在推動科學技術和經濟發(fā)展的過程中發(fā)揮著不可替代的作用。每一次電力電子技術的重大變革,都離不開其核心部件電力電子器件的發(fā)展和更新?lián)Q代。
電力電子器件經歷了不可控器件、半控型器件、全控型器件的發(fā)展歷程。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為全控型電力電子器件的典型代表,具有開關速度快、開關損耗小、耐受脈沖電流能力強、通態(tài)壓降低、驅動功率小等優(yōu)點,已廣泛應用于各種中?大功率電能變換裝置。因此,充分發(fā)揮IGBT器件的電氣特性與全方位剖析其失效機理、提高其應用可靠性以及提升精細設計能力,已成為當前電力電子領域的突出矛盾與緊迫挑戰(zhàn)。
本書作者專注于電力電子與電能變換領域基礎理論及應用研究、關鍵技術攻關和重大裝備研制,主持和參與了國家973、國家自然科學基金、國防重大裝備研制等30余項重大科研項目。
本書針對IGBT器件可靠性中的疲勞失效問題,從現(xiàn)象到機理,從規(guī)律到方法,進行了詳細論述。作者通過對IGBT器件疲勞失效機理進行深入分析,闡明了IGBT器件疲勞產生的根本原因和產生疲勞之后相關電氣特征量及其表征的變化規(guī)律,建立了基于特征量的健康狀態(tài)監(jiān)測方法,實現(xiàn)了對IGBT器件健康狀態(tài)與可靠性的有效評估,為電力電子裝置實現(xiàn)精確設計與可靠性定量評估奠定了堅實基礎,為電力電子裝置實現(xiàn)體積輕量化?成本最小化和性能最優(yōu)化的精細設計等提供了重要技術支撐。
本書邏輯清晰、觀點鮮明、結構合理、內容豐富、圖表公式準確,具有較好的可讀性和較強的參考價值,有助于提升讀者對IGBT器件疲勞失效的認識,同時為電力電子器件及裝置的健康狀態(tài)監(jiān)測和可靠性評估領域的研究,提供了有效的思路和可行的方法。
馬偉明
2019年10月于武漢
目 錄
序
前 言
第1章 緒論
1.1 IGBT失效機理
1.1.1 IGBT缺陷失效
1.1.2 IGBT隨機失效
1.1.3 IGBT疲勞失效
1.2 IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
1.2.1 基于IGBT結溫的健康狀態(tài)監(jiān)測方法
1.2.2 基于IGBT導通電阻與熱阻的健康狀態(tài)監(jiān)測方法
1.2.3 基于IGBT壽命預測的健康狀態(tài)監(jiān)測方法
1.3 研究現(xiàn)狀小結
1.3.1 IGBT失效機理研究方面
1.3.2 IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法研究方面
1.4 本書的主要內容及章節(jié)安排
參考文獻
第2章 IGBT器件及其工作機理
2.1 IGBT基本結構
2.2 IGBT制造工藝
2.3 IGBT工作機理
2.4 IGBT發(fā)展歷程
2.5 本章小結
參考文獻
第3章 IGBT失效模式及其失效機理
3.1 IGBT主要應用對象及其工作特點
3.2 IGBT主要失效模式與失效機理
3.2.1 IGBT缺陷失效模式與機理分析
3.2.2 IGBT隨機失效模式與機理分析
3.2.3 IGBT疲勞失效模式與機理分析
3.3 疲勞失效實驗方法
3.3.1 IGBT電熱應力與功率循環(huán)疲勞老化
3.3.2 IGBT疲勞老化變異特征檢測與分析
3.3.3 IGBT疲勞老化特性綜合記錄處理
3.4 本章小結
參考文獻
第4章 與芯片相關的疲勞失效機理
4.1 界面疲勞失效機理
4.1.1 柵極Al-SiO2界面
4.1.2 柵極Si-SiO2界面
4.1.3 發(fā)射極Al-Si界面
4.2 硅材料疲勞失效機理
4.3 本章小結
參考文獻
第5章 與封裝相關的疲勞失效機理
5.1 Al金屬薄膜電遷移效應分析
5.2 電化學腐蝕分析
5.3 Al金屬層表面重構分析
5.3.1 表面重構原因
5.3.2 表面重構機理
5.4 芯片與襯底焊料層疲勞失效
5.4.1 焊料層疲勞失效微觀觀測分析方法
5.4.2 器件內部各層溫度場實驗測量
5.4.3 焊料層疲勞失效機理
5.5 鍵絲疲勞與翹起失效
5.5.1 鍵絲根部斷裂疲勞失效機理
5.5.2 鍵絲焊盤剝離疲勞失效
5.5.3 鍵絲與焊料層兩種主要失效模式之間的耦合關系分析
5.6 本章小結
參考文獻
第6章 基于芯片疲勞失效機理的健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.1 基于閾值電壓的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.1.1 IGBT閾值電壓疲勞變化規(guī)律建模與分析
6.1.2 IGBT閾值電壓健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.2 基于集電極漏電流的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.2.1 IGBT集電極漏電流疲勞變化規(guī)律建模與分析
6.2.2 IGBT集電極漏電流健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.3 基于關斷時間的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.3.1 IGBT關斷時間疲勞變化規(guī)律建模與分析
6.3.2 IGBT關斷時間健康狀態(tài)監(jiān)測方法
6.4 本章小結
參考文獻
第7章 基于封裝疲勞失效機理的健康狀態(tài)監(jiān)測方法
7.1 基于熱阻的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
7.1.1 焊料層空洞有限元建模及其對熱阻的影響
7.1.2 基于熱阻的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
7.2 基于集射極飽和壓降的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
7.2.1 IGBT集射極飽和壓降隨封裝疲勞的變化規(guī)律
7.2.2 基于集射極飽和壓降的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
7.3 基于結溫的IGBT健康狀態(tài)監(jiān)測方法
7.3.1 基于IGBT關斷電壓變化率的結溫監(jiān)測方法
7.3.2 基于IGBT損耗與傳熱特征的結溫預測方法
7.3.3 基于結溫的IGBT失效判據(jù)與壽命預測方法
7.4 本章小結
參考文獻