1　半導(dǎo)體基礎(chǔ)
　1.1　半導(dǎo)體材料
　1.2　晶體結(jié)構(gòu)
　1.3　波爾原子模型　
　1.4　固體材料價(jià)鍵模型
　1.5　固體材料的能帶模型
　1.6　半導(dǎo)體中的自由載流子密度
　1.7　施主雜質(zhì)與受主雜質(zhì)
2　載流子的輸運(yùn)與復(fù)合
　2.1　電子與空穴的散射與漂移
　2.2　漂移電流
　2.3　載流子擴(kuò)散
　2.4　載流子產(chǎn)生與復(fù)合過(guò)程　
3　二極管特性
　3.1　介紹
　3.2　理想PN結(jié)（定性）
　3.3　理想同質(zhì)PN結(jié)（定量）
　3.4　PN結(jié)小信號(hào)阻抗
　3.5　二極管的開(kāi)關(guān)特性
4　雙極型晶體管的靜態(tài)特性
　4.1　介紹
　4.2　輸出特性　
　4.3　電流增益
　4.4　理想晶體管模型
　4.5　緩變基區(qū)晶體管
　4.6　基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（EARLY效應(yīng)）
　4.7　晶體管的電流集邊效應(yīng)與基區(qū)電阻
　4.8　大注入效應(yīng)
　4.9　基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)（KIRK效應(yīng)）
　4.10　發(fā)射結(jié)的復(fù)合
　4.11　擊穿電壓
　4.12　直流EBERS-MOLL基本模型
5　雙極型晶體管的動(dòng)態(tài)特性
　5.1　交流EBERS-MOLL模型
　5.2　小信號(hào)等效電路
　5.3　雙極型晶體管的儲(chǔ)藏電荷電容
　5.4　晶體管的頻率響應(yīng)
　5.5　高頻晶體管
　5.6　開(kāi)關(guān)晶體管
6　MOSFET晶體管的靜態(tài)特性
　6.1　介紹
　6.2　MOS結(jié)構(gòu)特性
　6.3　MOSFET晶體管的電流電壓方程
　6.4　橫向電場(chǎng)＆L與縱向電場(chǎng)＆L的影響
　6.5　溝道電荷QCH討論
　6.6　MOSFET晶體管的閾電壓
7　MOSFET晶體管的動(dòng)態(tài)特性
8　MEMS工藝微電子機(jī)械系統(tǒng)
附錄
參考文獻(xiàn)