緒論 半導(dǎo)體和集成電路 歷史 集成電路（IC） 制造 參考文獻(xiàn) 第一部分 半導(dǎo)體材料屬性 第1章 固體晶格結(jié)構(gòu) 1.0 概述 1.1 半導(dǎo)體材料 1.2 固體類型 1.3 空間晶格 1.4 金剛石結(jié)構(gòu) 1.5 原子價(jià)鍵 *1.6 固體中的缺陷和雜質(zhì) *1.7 半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng) 1.8 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第2章 量子力學(xué)初步 2.0 概述 2.1 量子力學(xué)的基本原理 2.2 薛定諤波動(dòng)方程 2.3 薛定諤波動(dòng)方程的應(yīng)用 2.4 原子波動(dòng)理論的延伸 2.5 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第3章 固體量子理論初步 3.0 概述 3.1 允帶與禁帶 3.2 固體中電的傳導(dǎo) 3.3 三維擴(kuò)展 3.4 狀態(tài)密度函數(shù) 3.5 統(tǒng)計(jì)力學(xué) 3.6 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第4章 平衡半導(dǎo)體 4.0 概述 4.1 半導(dǎo)體中的載流子 4.2 摻雜原子與能級(jí) 4.3 非本征半導(dǎo)體 4.4 施主和受主的統(tǒng)計(jì)學(xué)分布 4.5 電中性狀態(tài) 4.6 費(fèi)米能級(jí)的位置 4.7 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第5章 載流子輸運(yùn)現(xiàn)象 5.0 概述 5.1 載流子的漂移運(yùn)動(dòng) 5.2 載流子擴(kuò)散 5.3 雜質(zhì)梯度分布 *5.4 霍爾效應(yīng) 5.5 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第6章 半導(dǎo)體中的非平衡過(guò)剩載流子 6.0 概述 6.1 載流子的產(chǎn)生與復(fù)合 6.2 過(guò)剩載流子的性質(zhì) 6.3 雙極輸運(yùn) 6.4 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) *6.5 過(guò)剩載流子的壽命 *6.6 表面效應(yīng) 6.7 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第二部分 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 第7章 pn結(jié) 7.0 概述 7.1 pn結(jié)的基本結(jié)構(gòu) 7.2 零偏 7.3 反偏 7.4 結(jié)擊穿 *7.5 非均勻摻雜pn結(jié) 7.6 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第8章 pn結(jié)二極管 8.0 概述 8.1 pn結(jié)電流 8.2 產(chǎn)生復(fù)合電流和大注入 8.3 pn結(jié)的小信號(hào)模型 *8.4 電荷存儲(chǔ)與二極管瞬態(tài) *8.5 隧道二極管 8.6 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第9章 金屬半導(dǎo)體和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) 9.0 概述 9.1 肖特基勢(shì)壘二極管 9.2 金屬半導(dǎo)體的歐姆接觸 9.3 異質(zhì)結(jié) 9.4 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第10章 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管基礎(chǔ) 10.0 概述 10.1 雙端MOS結(jié)構(gòu) 10.2 電容電壓特性 10.3 MOSFET基本工作原理 10.4 頻率限制特性 *10.5 CMOS技術(shù) 10.6 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第11章 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管： 概念的深入 11.0 概述 11.1 非理想效應(yīng) 11.2 MOSFET按比例縮小理論 11.3 閾值電壓的修正 11.4 附加電學(xué)特性 *11.5 輻射和熱電子效應(yīng) 11.6 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第12章 雙極晶體管 12.0 概述 12.1 雙極晶體管的工作原理 12.2 少子的分布 12.3 低頻共基極電流增益 12.4 非理想效應(yīng) 12.5 等效電路模型 12.6 頻率上限 12.7 大信號(hào)開(kāi)關(guān) *12.8 其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu) 12.9 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 參考文獻(xiàn) 第13章 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 13.0 概述 13.1 JFET概念 13.2 器件的特性 *13.3 非理想因素 *13.4 等效電路和頻率限制 *13.5 高電子遷移率晶體管 13.6 小結(jié) 重要術(shù)語(yǔ)解釋 知識(shí)點(diǎn) 復(fù)習(xí)題