本書較全面地討論了半導體物理學的基礎(chǔ)知識。全書共11章，主要包括：半導體的晶體結(jié)構(gòu)與電子狀態(tài)，半導體的缺陷與摻雜，熱平衡時的電子和空穴分布，半導體中的載流子輸運，非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及運動，pn結(jié)，金屬-半導體接觸，金屬-絕緣層-半導體結(jié)構(gòu)，半導體異質(zhì)結(jié)與低維結(jié)構(gòu)，半導體光學性質(zhì)，以及半導體的其他性質(zhì)。

本書主要介紹二維半導體物理的國際研究近況和本書作者最近的研究成果，著重在物理方面，內(nèi)容包括二維半導體的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)、第一性原理計算方法、緊束縛方法、聲子譜、光學性質(zhì)、輸運性質(zhì)、缺陷態(tài)、磁性二維半導體、催化作用等。每一章開始先簡單介紹三維半導體的有關(guān)性質(zhì)和理論，讀者可以比較三維和二維的差別和相同之處。

本書主要講述半導體物理的基本知識。全書共11章，主要內(nèi)容包括半導體的概述、晶體結(jié)構(gòu)、半導體中的電子狀態(tài)、半導體中載流子的平衡統(tǒng)計分布、半導體的導電性、非平衡載流子、金屬和半導體的接觸、半導體PN結(jié)、半導體的表面、半導體的光學與光電性質(zhì)，以及半導體的其他性質(zhì)。

本書從半導體物理學與現(xiàn)代高科技之間互為驅(qū)動的關(guān)系出發(fā)，在縱觀近三十年來國內(nèi)外重大進展的基礎(chǔ)上，研討了半導體物理學各個分支學科涌現(xiàn)出來的新概念、新突破和新方向，以及它們對半導體物理學學科發(fā)展的影響與貢獻，分析了半導體物理學的研究現(xiàn)狀及面臨的挑戰(zhàn)和機遇。

《半導體光譜和光學性質(zhì)（第三版）》系統(tǒng)論述了半導體及其超晶格、量子阱、量子線以及量子點結(jié)構(gòu)等的光譜和光學性質(zhì).從宏觀光學常數(shù)和量子理論出發(fā)，分別論述了它們的反射和吸收光譜、發(fā)光光譜與輻射復合、光電導和光電子效應、磁光效應、拉曼散射以及量子阱、量子線、量子點的光譜和光學性質(zhì).《半導體光譜和光學性質(zhì)（第三版）》第二版總結(jié)了

本書梳理和總結(jié)了中國科學院院士、半導體物理學家夏建白院士近60年從事半導體物理學領(lǐng)域科研活動的歷程。主要包括夏建白院士生活和工作的珍貴照片、有代表性的研究論文、自傳以及獲授獎項等內(nèi)容。夏建白院士是我國著名的半導體物理學家，在低維半導體微結(jié)構(gòu)電子態(tài)的量子理論及其應用方面進行了系統(tǒng)的研究，對推動我國半導體物理科學領(lǐng)域的學術(shù)

本書主要討論窄禁帶半導體的基本物理性質(zhì)，包括晶體生長，能帶結(jié)構(gòu)，光學性質(zhì)，晶格振動，自由載流子的激發(fā)、運輸和復合，雜質(zhì)缺陷，表面界面，二維電子氣，超晶格和量子阱，器件物理和應用等方面的基本物理現(xiàn)象、效應和規(guī)律以及近年來的主要研究進展。在窄禁帶半導體物理研究過程中建立的新型實驗方法及器件應用也在書中有所介紹。

全書分上下兩篇,上、下兩篇既獨立成篇又互為聯(lián)系,隸屬于微電子相關(guān)專業(yè)的知識體系,其中每篇又由“基礎(chǔ)知識”和“實驗”兩部分構(gòu)成。上篇為“半導體物理實驗”,分別為構(gòu)建晶體結(jié)構(gòu)、仿真與分析晶體電子結(jié)構(gòu)、單波長橢偏法測試分析薄膜的厚度與折射率、四探針測試半導體電阻率、霍耳效應實驗、高頻光電導法測少子壽命、肖特基二極管的電流電壓

光子學是與電子學平行的科學。半導體光子學是以半導體為介質(zhì)的光子學，專門研究半導體中光子的行為和性能，著重研究光的產(chǎn)生、傳輸、控制和探測等特性，進一步設(shè)計半導體光子器件的結(jié)構(gòu)，分析光學性能及探索半導體光子系統(tǒng)的應用。《半導體光子學》分為13章，包括光子材料、異質(zhì)結(jié)構(gòu)和能帶、輻射復合發(fā)光和光吸收、光波傳輸模式；超晶格和量子

《半導體物理導論》的主要內(nèi)容包括：第一章半導體的晶體結(jié)構(gòu)與價鍵模型。第二章半導體的電子結(jié)構(gòu)。第三章半導體中的載流子定性描述。第四章半導體中的載流子定量描述。第五章半導體中載流子的電輸運。第六章低維半導體中的量子輸運和石墨烯電輸運。第七章金屬—半導體的接觸。第八章半導體表面效應和MIS結(jié)構(gòu)。第九章半導體的內(nèi)光電效應和發(fā)光