本書系統(tǒng)介紹宇航MOSFET器件的單粒子效應(yīng)機(jī)理和加固技術(shù)。全書共6章，主要內(nèi)容包括空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型、宇航MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)、宇航MOSFET器件測試技術(shù)與輻照試驗(yàn)，并以一款宇航VDMOS器件為實(shí)例，詳述了抗單粒子加固樣品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝細(xì)節(jié)，最后介紹宇航MOSFET器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。

作為薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的入門教材，本書以非晶硅薄膜晶體管（a-SiTFT)和多晶硅薄膜晶體管(p-SiTFT)為例詳細(xì)講解了與TFT技術(shù)相關(guān)的材料物理、器件物理和制備工藝原理及其在平板顯示中的應(yīng)用原理等。本書共分7章。第1章簡單介紹了薄膜晶體管的發(fā)展簡史；第2章詳細(xì)闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅(qū)動中的應(yīng)用原理；第3章深入講解了薄膜晶體管相關(guān)的半導(dǎo)體、絕緣體和電極材料物理；第4章詳細(xì)闡述了非晶硅TFT和多晶硅TFT器件物理的相關(guān)基礎(chǔ)知識；第5章系統(tǒng)介紹了TFT制備的單項(xiàng)工藝原理；第6章仔細(xì)

薄膜晶體管（TFT）是一種金屬-絕緣層-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，迄今已經(jīng)歷了60年的發(fā)展，在原理與技術(shù)方面的創(chuàng)新層出不窮�！侗∧ぞ�體管原理與技術(shù)》首先概述TFT的物理基礎(chǔ)及典型薄膜工藝原理；接著以氫化非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物和有機(jī)TFT為主，系統(tǒng)介紹TFT相關(guān)的材料、器件及制備技術(shù)；再以有源驅(qū)動液晶顯示和有機(jī)發(fā)光顯示兩種顯示技術(shù)為主，介紹TFT面板驅(qū)動原理及集成制造工藝技術(shù)；最后介紹柔性TFT在材料、器件及制造工藝等方面的進(jìn)展及所面臨的挑戰(zhàn)。每章后附有知識點(diǎn)和思考題，思考題可供課后作業(yè)或課堂討論使

本書基于作者在薄膜晶體管液晶顯示器領(lǐng)域的開發(fā)實(shí)踐與理解，并結(jié)合液晶顯示技術(shù)的最新發(fā)展動態(tài)，首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點(diǎn)，然后依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術(shù)的光學(xué)特點(diǎn)與補(bǔ)償技術(shù)、薄膜晶體管器件的SPICE模型、液晶取向技術(shù)、液晶面板與電路驅(qū)動的常見不良與解析，最后介紹了新興的低藍(lán)光顯示技術(shù)、電競顯示技術(shù)、量子點(diǎn)顯示技術(shù)、MiniLED和MicroLED技術(shù)及觸控技術(shù)的原理與應(yīng)用。

《氮化鎵功率晶體管——器件、電路與應(yīng)用（原書第3版）》共17章，第1章概述了氮化鎵（GaN）技術(shù)；第2章為GaN晶體管的器件物理；第3章介紹了GaN晶體管驅(qū)動特性；第4章介紹了GaN晶體管電路的版圖設(shè)計(jì)；第5章討論了GaN晶體管的建模和測量；第6章介紹了GaN晶體管的散熱管理；第7章介紹了硬開關(guān)技術(shù)；第8章介紹了軟開關(guān)技術(shù)和變換器；第9章介紹了GaN晶體管射頻性能；第10章介紹了DC-DC功率變換；第11章討論了多電平變換器設(shè)計(jì)；第12章介紹了D類音頻放大器；第13章介紹了GaN晶體管在激光雷達(dá)