本書(shū)將半導(dǎo)體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過(guò)簡(jiǎn)明扼要的語(yǔ)言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書(shū)主要圍繞“史前文明”——電子管時(shí)代、“新石器時(shí)代”——晶體管時(shí)代、“戰(zhàn)國(guó)時(shí)代”——中小規(guī)模集成電路時(shí)代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時(shí)代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時(shí)代、“走進(jìn)新時(shí)代”——移動(dòng)互聯(lián)時(shí)代、“擁抱未來(lái)”——半導(dǎo)體科技的展望，對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域涉及的技術(shù)發(fā)展情況、關(guān)鍵的人和事件等進(jìn)行了描述，對(duì)未來(lái)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)行了展望，為我們勾勒了一幅半導(dǎo)體技術(shù)也是人類(lèi)社會(huì)發(fā)展

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書(shū)詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書(shū)涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。本書(shū)適合從事半導(dǎo)體制造及可靠性方面的工程師與研究人員閱讀，也可作為高等院校微電子等相關(guān)專(zhuān)業(yè)高年級(jí)本科生和研究生的教材和參考書(shū)。

《LED驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用電路設(shè)計(jì)及案例分析》針對(duì)電子電路應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)務(wù)中的痛點(diǎn)和難點(diǎn),通過(guò)案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問(wèn)題的方法和思路。全書(shū)的編排設(shè)計(jì)始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的全過(guò)程。全書(shū)采用案例式教學(xué),通過(guò)問(wèn)題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知識(shí)和經(jīng)驗(yàn),啟發(fā)創(chuàng)新性思維。此外,本書(shū)還對(duì)標(biāo)工程認(rèn)證要求,注重對(duì)過(guò)程和結(jié)果的評(píng)價(jià),根據(jù)達(dá)成目標(biāo)設(shè)計(jì)了學(xué)習(xí)效果評(píng)價(jià)的內(nèi)容和標(biāo)準(zhǔn),可供讀者對(duì)學(xué)習(xí)成果進(jìn)行自查。本書(shū)基于OBE理念和工程認(rèn)證

本書(shū)是國(guó)外學(xué)者們對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢(shì)的及時(shí)總結(jié)。首先，對(duì)寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢(shì)做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，以及它們?cè)跇O端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢(shì)。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開(kāi)論述，同時(shí)，介紹了磁性材料，并對(duì)不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷卻技術(shù)和散熱器設(shè)計(jì)進(jìn)行了介紹。然后，考慮到功率器件的質(zhì)量必須通過(guò)各種測(cè)試和可靠性驗(yàn)證方法來(lái)評(píng)估，還介紹了瞬態(tài)熱測(cè)試的原理和方法，同時(shí)闡述了各種可靠性測(cè)試的機(jī)理和選擇動(dòng)機(jī)。最后，就計(jì)

本書(shū)對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計(jì)，且重點(diǎn)介紹了近些年的工藝節(jié)點(diǎn)縮小趨勢(shì)和最前沿的技術(shù)。本書(shū)第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲(chǔ)器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲(chǔ)層級(jí)，同時(shí)也介紹了存儲(chǔ)器技術(shù)在機(jī)器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當(dāng)下，本書(shū)旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計(jì)、制造工藝的學(xué)習(xí)參考書(shū)�！稑O簡(jiǎn)圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書(shū)第3版）》以圖解的形式，簡(jiǎn)單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類(lèi)型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細(xì)介紹了ISI的開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)、ISI制造的前端工程、ISI制造的后端工程以使讀者全面了解集成電路芯片的設(shè)計(jì)技術(shù)、制造工藝和測(cè)試、封裝技術(shù)。最后，介紹了代表性半導(dǎo)體元件以及半導(dǎo)體工藝的發(fā)展極限。本書(shū)面向電子技術(shù)，特別

本書(shū)首次利用半導(dǎo)體超晶格作為真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器的混沌熵源，針對(duì)超晶格作為混沌熵源時(shí)所涉及的器件設(shè)計(jì)、混沌信號(hào)分析、隨機(jī)數(shù)提取等問(wèn)題進(jìn)行研究，從理論上對(duì)超晶格混沌產(chǎn)生自激振蕩的機(jī)理進(jìn)行了研究，從實(shí)踐上實(shí)現(xiàn)了基于超晶格混沌熵源的隨機(jī)數(shù)發(fā)生器設(shè)計(jì)及產(chǎn)生真隨機(jī)數(shù)的評(píng)估。

這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門(mén)類(lèi)讀物。全書(shū)共分4章，包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類(lèi)型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài)；第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別，以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性；第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等；第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書(shū)適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的初學(xué)者閱讀，也可以作為相關(guān)企事業(yè)單位人員的科普讀物。

暫無(wú)

彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機(jī)械變形-電場(chǎng)-熱場(chǎng)-載流子分布等物理場(chǎng)的耦合分析十分復(fù)雜�！稄椥园雽�(dǎo)體的多場(chǎng)耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理，建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ)，采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場(chǎng)耦合問(wèn)題，包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（撓*電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)）在靜態(tài)加載、失穩(wěn)、振動(dòng)時(shí)的變形及載流子分布等。作為該理論模型的應(yīng)用，研究了壓電半導(dǎo)體材料的變形傳感及機(jī)械力對(duì)電子電路中電流的調(diào)控。