這是一本幫助讀者設(shè)計(jì)高速電路的專業(yè)著作，本書(shū)對(duì)快速分析和優(yōu)化大規(guī)模電路提供了一種有效的設(shè)計(jì)思路。通過(guò)邏輯勢(shì)技術(shù)的引入，無(wú)論是新手設(shè)計(jì)者還是有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)者，都能獲得設(shè)計(jì)高速電路的一般規(guī)律。邏輯勢(shì)是一個(gè)多學(xué)科的交叉領(lǐng)域技術(shù)，需要讀者具有較高的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)和電路基礎(chǔ)，對(duì)于大多數(shù)高速電路設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō)，這顯然是應(yīng)該具備的能力。與傳統(tǒng)的

《納米級(jí)系統(tǒng)芯片單粒子效應(yīng)研究》主要介紹28nm系統(tǒng)芯片(SoC)的單粒子效應(yīng)，內(nèi)容包括SoC單粒子效應(yīng)研究現(xiàn)狀與測(cè)試系統(tǒng)的研制，SoC的粒子、重離子、質(zhì)子和中子單粒子效應(yīng)實(shí)驗(yàn)研究，SoC單粒子效應(yīng)軟件故障注入、模擬故障注入、軟錯(cuò)誤故障分析、故障診斷和SoC抗單粒子效應(yīng)軟件加固方法研究；提出XilinxZynq-700

針對(duì)短溝道MOSFET的高頻噪聲機(jī)理分析和模型表征，《短溝道MOSFET的高頻噪聲機(jī)理分析與表征》以不同研究階段采用的不同方法為脈絡(luò)，從新型器件研發(fā)初始階段的仿真模擬，遞進(jìn)到基于物理的理論數(shù)學(xué)模型推導(dǎo)和基于樣片測(cè)量的實(shí)驗(yàn)研究與半經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ捅碚�，揭示了短溝道器件與長(zhǎng)溝道器件高頻熱噪聲機(jī)理完全不同的偏置不守恒特性和頻率依賴性

光刻機(jī)是集成電路制造的核心裝備，直接決定了集成電路的微細(xì)化水平。本書(shū)介紹了集成電路與光刻機(jī)的發(fā)展歷程；重點(diǎn)介紹了光刻機(jī)整機(jī)、分系統(tǒng)與曝光光源的主要功能、基本結(jié)構(gòu)、工作原理、關(guān)鍵技術(shù)等；簡(jiǎn)要介紹了計(jì)算光刻技術(shù)；最后介紹了光刻機(jī)成像質(zhì)量的提升與光刻機(jī)整機(jī)、分系統(tǒng)的技術(shù)進(jìn)步。

本書(shū)系統(tǒng)介紹了微傳感器及其接口集成電路的設(shè)計(jì)。首先，以熱對(duì)流式加速度計(jì)、電容式加速度計(jì)、微機(jī)械陀螺儀、電容式麥克風(fēng)、壓電式超聲換能器等常見(jiàn)微傳感器為例，介紹了微傳感器的基本工作原理以及國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀。然后，介紹了將傳感物理量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的讀出電路，將所獲得的電信號(hào)進(jìn)行放大、去噪、濾波等處理的信號(hào)調(diào)理電路，將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換

本書(shū)系統(tǒng)描述了片上光互連的背景、基本理論、研究現(xiàn)狀、設(shè)計(jì)應(yīng)用以及發(fā)展前景；側(cè)重片上光互連的設(shè)計(jì)，為該領(lǐng)域發(fā)展提供一定的技術(shù)參考。全書(shū)共8章：第1章介紹片上光互連的背景、技術(shù)概念、基本理論；第2章闡述片上光路由器的基本原理和分類；第3章介紹新型片上光路由器的設(shè)計(jì)；第4章闡述片上光互連架構(gòu)的研究現(xiàn)狀；第5章介紹新型片上光互

《硅基毫米波集成電路與系統(tǒng)》以硅基毫米波集成電路與系統(tǒng)涉及的關(guān)鍵技術(shù)為主線，結(jié)合三位作者所在團(tuán)隊(duì)的科研工作，詳細(xì)討論在毫米波元器件、毫米波核心單元電路及毫米波集成系統(tǒng)等方面的關(guān)鍵技術(shù)和科研進(jìn)展。 《硅基毫米波集成電路與系統(tǒng)》共分10章。第1章介紹毫米波的應(yīng)用和毫米波集成電路面臨的主要技術(shù)挑戰(zhàn)；第2章討論硅基片上集成毫

《硅基功率集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)》重點(diǎn)講述硅基功率集成電路及相關(guān)集成器件的設(shè)計(jì)技術(shù)理論和應(yīng)用。第1章綜述功率集成電路基本概念、特點(diǎn)及發(fā)展；第2～3章介紹功率集成電路最核心的兩種集成器件(LDMOS和SOI-LIGBT)的結(jié)構(gòu)、原理及可靠性；在器件基礎(chǔ)上，第4～6章重點(diǎn)闡述高壓柵驅(qū)動(dòng)集成電路、非隔離型電源管理集成電路及隔離型電

《集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化》系統(tǒng)介紹集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化的理論、算法和軟件等關(guān)鍵技術(shù)。首先介紹數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)流程、層次化設(shè)計(jì)方法及設(shè)計(jì)描述，重點(diǎn)介紹集成電路設(shè)計(jì)自動(dòng)化的前端設(shè)計(jì)和后端設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)與方法，包括高層次綜合技術(shù)、模擬驗(yàn)證和形式驗(yàn)證技術(shù)、布圖規(guī)劃與布局技術(shù)、總體布線與詳細(xì)布線技術(shù)、時(shí)鐘綜合與時(shí)序分析優(yōu)化方法、供

本書(shū)介紹有關(guān)數(shù)字信號(hào)處理算法的VLSI硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)方法，包括傅里葉變換算法、FIR數(shù)字濾波器和IIR數(shù)字濾波器的算法表示。

《電路板制造與應(yīng)用問(wèn)題改善指南》是“PCB先進(jìn)制造技術(shù)”叢書(shū)之一。《電路板制造與應(yīng)用問(wèn)題改善指南》針對(duì)電路板制作流程，結(jié)合作者積累的材料、設(shè)備、工藝方面的經(jīng)驗(yàn)，介紹電路板制造工藝常見(jiàn)問(wèn)題�！峨娐钒逯圃炫c應(yīng)用問(wèn)題改善指南》共16章，首先介紹了問(wèn)題判讀方法，然后介紹了切片、工具底片、基材、內(nèi)層工藝、壓合、機(jī)械鉆孔、激光鉆孔

本書(shū)針對(duì)印制電路板（PCB）常見(jiàn)的多種失效問(wèn)題：分層起泡、可焊性不良、鍵合不良、導(dǎo)通不良和絕緣不良，分別從常用失效分析技術(shù)、失效機(jī)理和案例分析、失效分析流程和思路、各類失效分析判定標(biāo)準(zhǔn)和資料庫(kù)進(jìn)行歸納總結(jié)，同時(shí)分享了多個(gè)案例，為廣大PCB從業(yè)人員提供了PCB板級(jí)的失效分析技術(shù)、思路、案例和解決方案。

微納電子學(xué)是信息技術(shù)學(xué)的基礎(chǔ)，是信息時(shí)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石。《中國(guó)學(xué)科發(fā)展戰(zhàn)略·“后摩爾時(shí)代”微納電子學(xué)》依據(jù)微納電子學(xué)科的生態(tài)系統(tǒng)，將該學(xué)科細(xì)化為“后摩爾時(shí)代新型器件基礎(chǔ)研究”“基于新材料的器件與集成技術(shù)基礎(chǔ)研究”“新工藝基礎(chǔ)研究”“設(shè)計(jì)方法學(xué)基礎(chǔ)研究”“集成微系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)研究”五個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行具體闡述，通過(guò)對(duì)微納電子學(xué)發(fā)展

本書(shū)系統(tǒng)介紹CMOS混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)的工程技術(shù)和科學(xué)問(wèn)題，包括各種放大器理論和電路、鎖相環(huán)和片上時(shí)鐘、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)模轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)和電路、高速串行和并行數(shù)據(jù)接口、生物前端傳感器接口結(jié)構(gòu)和電路、激光雷達(dá)前端接口結(jié)構(gòu)和電路、寬帶電力線通信收發(fā)機(jī)架構(gòu)和電路等，對(duì)想深入低功耗、高性能CMOS混合信號(hào)集成電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)人員和研

本書(shū)針對(duì)大規(guī)模MIMO檢測(cè)算法VLSI架構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行討論（包括專用集成電路設(shè)計(jì)和動(dòng)態(tài)可重構(gòu)設(shè)計(jì)）。本書(shū)主要分析了典型大規(guī)模MIMO檢測(cè)線性算法設(shè)計(jì)及專用集成電路設(shè)計(jì)；典型大規(guī)模MIMO檢測(cè)非線性算法設(shè)計(jì)及專用集成電路設(shè)計(jì)；多類型大規(guī)模MIMO檢測(cè)算法分析及共性提��；動(dòng)態(tài)重構(gòu)處理器硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)；動(dòng)態(tài)重構(gòu)編譯方法設(shè)計(jì)。

本書(shū)涉及的微電子器件包括二極管、雙極晶體管、GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管等微電子器件，從其靜態(tài)特性、直接特性、小信號(hào)交流特性、開(kāi)關(guān)特性、擊穿特性等方面對(duì)其性能及機(jī)理進(jìn)入了深入的分析與討論，揭示了器件性能與器件結(jié)構(gòu)參數(shù)、工藝參數(shù)及物理參數(shù)間的關(guān)系。還介紹了納米CMOS器件所要解決的主要問(wèn)題，有助于讀者了解小尺

本書(shū)系“電路與仿真”叢書(shū)之一。本書(shū)全面講述使用TannerToolsPro進(jìn)行集成電路設(shè)計(jì)、電路仿真以及電路布局的方法�！禕R》全書(shū)共17章。第1章為基礎(chǔ)部分，主要介紹TannerToolsPro軟件的基本功能及其工作環(huán)境；第2～9章指導(dǎo)讀者使用S-Edit設(shè)計(jì)電路并利用T-Spice檢驗(yàn)電路；第10～16章講述用L-

本書(shū)從集成電路驗(yàn)證領(lǐng)域存在的問(wèn)題出發(fā)，詳細(xì)介紹數(shù)字電路和模擬電路驗(yàn)證方法，主要包括設(shè)計(jì)驗(yàn)證語(yǔ)言基礎(chǔ)、模擬仿真驗(yàn)證、覆蓋率檢驗(yàn)方法、電路的形式驗(yàn)證、物理驗(yàn)證、SPICE仿真、低功耗設(shè)計(jì)和驗(yàn)證方法、低功耗驗(yàn)證技術(shù)實(shí)例、硅后驗(yàn)證等方面。全書(shū)緊密圍繞工業(yè)界集成電路驗(yàn)證流程進(jìn)行闡述，盡可能覆蓋集成電路驗(yàn)證領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)容，同時(shí)

《PCB失效分析技術(shù)》內(nèi)容來(lái)自我國(guó)先進(jìn)印制電路制造企業(yè)，是一群長(zhǎng)期從事PCB失效分析的資深工程師的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)。作者以常見(jiàn)失效模式為切入點(diǎn)，針對(duì)分層起泡、可焊性不良、鍵合不良、導(dǎo)通不良和絕緣不良等，歸納出了失效機(jī)理、失效分析思路、失效分析案例。《PCB失效分析技術(shù)》共8章，主要內(nèi)容包括常用分析技術(shù)、PCB分層失效分析、PC

集成電路制造與封裝基礎(chǔ)