全書共8章，第1章和第2章從閃爍發(fā)光的基本概念和基本原理入手，以簡潔通俗的方式闡述閃爍晶體的發(fā)光過程、發(fā)光機(jī)理，以及閃爍性能的測試和表征方法。第3-第7章按照材料的化學(xué)成分分別對鹵化物、鍺酸鉍、鎢酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽等五個(gè)類別中的典型閃爍晶體進(jìn)行介紹，闡述其結(jié)構(gòu)、性能、生長方法、生長缺陷，以及制備技術(shù)等。第8章集中展示

《材料X射線衍射基礎(chǔ)與實(shí)踐》根據(jù)“教育部高等學(xué)校材料類專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)委員會(huì)規(guī)劃教材”建設(shè)項(xiàng)目的要求，博采同類教材眾長并結(jié)合編者多年教學(xué)和科研心得，從學(xué)生學(xué)習(xí)角度整合教材內(nèi)容，教材深挖教學(xué)重點(diǎn)、剖析難點(diǎn)，不僅著眼于學(xué)生基礎(chǔ)知識(shí)結(jié)構(gòu)的構(gòu)建，更注重學(xué)生思考能力的培養(yǎng)。本書內(nèi)容的安排如下：第1章緒論，闡述該課程在材料科學(xué)與工程專

本書主要內(nèi)容包括晶體生長研究實(shí)例和晶體生長前沿專題研究進(jìn)展上下兩篇，上篇主要收集、整理、介紹了作者團(tuán)隊(duì)有關(guān)晶體生長的研究成果，包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長、納米顆粒對純鋁和鋁硅合金晶體生長的影響、合金元素對鎂合金表面氧化膜生長的影響等有關(guān)研究實(shí)例，下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國內(nèi)外超高溫Nb-Si基合

本書為研究生教材，主要內(nèi)容包括晶體生長研究實(shí)例和晶體生長前沿專題研究進(jìn)展上下兩篇，上篇主要收集、整理、介紹了作者團(tuán)隊(duì)有關(guān)晶體生長的研究成果，包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長、納米顆粒對純鋁和鋁硅合金晶體生長的影響、合金元素對鎂合金表面氧化膜生長的影響等有關(guān)研究實(shí)例，下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國內(nèi)外超高溫

本書共分為8章。主要內(nèi)容包括：向列相液晶的基礎(chǔ)理論和液晶中光折變光柵形成的基本機(jī)制、向列相液晶樣品的制備及光柵的表征、聚合物分散液晶光折變特性的研究、光折變光柵的衍射及能量耦合特性、全息光柵的動(dòng)態(tài)全息存儲(chǔ)現(xiàn)象、向列相液晶中基于取向光折變效應(yīng)的空間自相位調(diào)制現(xiàn)象、液晶器件的瓊斯矩陣表示。

本書涵蓋作者自20世紀(jì)80年代末師從郭可信先生起至近年帶領(lǐng)研究團(tuán)隊(duì)在有關(guān)電子衍射方面所積累的主要實(shí)驗(yàn)案例，旨在以案例的形式梳理電子顯微學(xué)及晶體學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)，展示如何通過對材料基礎(chǔ)科學(xué)問題的再認(rèn)識(shí)從而對經(jīng)典問題產(chǎn)生新理解，分享發(fā)現(xiàn)的樂趣，傳授30余載的學(xué)術(shù)經(jīng)驗(yàn)。本書主體（第2～6章）按晶體的對稱性從低到高依次展開，包括單

《工業(yè)結(jié)晶技術(shù)》系統(tǒng)介紹了結(jié)晶過程中涉及的概念和基礎(chǔ)理論、工業(yè)結(jié)晶的工藝技術(shù)和設(shè)備、結(jié)晶器的設(shè)計(jì)和應(yīng)用，并通過結(jié)合工程經(jīng)驗(yàn)和應(yīng)用實(shí)例，加深讀者對結(jié)晶學(xué)理論的理解。同時(shí)，緊跟行業(yè)發(fā)展前沿，全面介紹了近些年新發(fā)展起來的現(xiàn)代分析、結(jié)晶過程控制技術(shù)和模擬分析結(jié)晶過程的方法，為讀者提供了創(chuàng)新的發(fā)展方向和方法�！豆�業(yè)結(jié)晶技術(shù)》共八

《結(jié)晶礦物學(xué)》著重于對本學(xué)科基本概念、基本理論、基本知識(shí)和基本技能、專業(yè)應(yīng)用的闡述和訓(xùn)練，各章末均有習(xí)題，附錄為配套的實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書。全書共分四篇（十八章）：第一篇幾何結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)；第二篇礦物學(xué)通論；第三篇礦物學(xué)各論；第四篇礦物資源；第五篇礦物的合成與利用。除保留原礦物學(xué)的傳統(tǒng)精華外，還增加了礦物新成果、礦物資源及資源的開發(fā)

本教材以晶體衍射結(jié)構(gòu)表征為主線，介紹了X射線衍射、背散電子衍射和透射電子衍射的共性問題。書中運(yùn)用倒易點(diǎn)陣數(shù)學(xué)，詳細(xì)推導(dǎo)了晶體學(xué)結(jié)構(gòu)公式和單晶標(biāo)準(zhǔn)透射電子衍射斑點(diǎn)圖；運(yùn)用純數(shù)學(xué)推導(dǎo)和補(bǔ)充了背散電子衍射檢測中的核心晶體學(xué)公式，即晶體取向與歐拉空間的關(guān)系式，關(guān)系式包括了立方晶系、四方晶系、正交晶系和六方晶系等，擴(kuò)展了TD方向

歷時(shí)35年的科學(xué)冒險(xiǎn)，講述不可能存在的物質(zhì)準(zhǔn)晶的發(fā)現(xiàn)故事。 20世紀(jì)80年代初，保羅·斯坦哈特和他的學(xué)生在一條堪稱wan美的科學(xué)定律中發(fā)現(xiàn)了一個(gè)漏洞，這個(gè)漏洞讓他們意識(shí)到創(chuàng)造新物質(zhì)形式的可能性。在此基礎(chǔ)上，他們發(fā)展出一種理論，描述了長期以來被認(rèn)為不可能存在的新物質(zhì)形式準(zhǔn)晶。 在理論的指引下，他們逐漸走出實(shí)