光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)。介紹了國際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測量法、干涉測量法等檢測技術(shù)，包括初級像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測技

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本書重點(diǎn)介紹全球功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展潮流中的寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝的基本原理和器件可靠性評價(jià)技術(shù)。書中以封裝為核心，由熟悉各個(gè)領(lǐng)域前沿的專家詳細(xì)解釋當(dāng)前的狀況和問題。主要章節(jié)為寬禁帶功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和封裝、模塊結(jié)構(gòu)和可靠性問題、引線鍵合技術(shù)、芯片貼裝技術(shù)、模塑樹脂技術(shù)、絕緣基板技術(shù)、冷卻散熱技術(shù)、可靠性評估和檢查技術(shù)等。盡

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本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結(jié)。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設(shè)備及關(guān)鍵工藝的基礎(chǔ)上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設(shè)置、熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)與制造等方面的內(nèi)容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關(guān)鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結(jié)合變量檢測、智能優(yōu)化及

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